基于0．5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運算放

摘要：為了提高運算放大器的驅動(dòng)能力，依據現有CMOS集成電路生產(chǎn)線(xiàn)，介紹一款新型BiCMOS集成運算放大電路設計，探討BiCMOS工藝的特點(diǎn)。在S-Edit中進(jìn)行“BiCMOS運放設計”電路設計，并對其電路各個(gè)器件參數進(jìn)行調整，包括MOS器件的寬長(cháng)比和電容電阻的值。完成電路設計后，在T-spice中進(jìn)行電路的瞬態(tài)仿真，插入CMOS，PNP和NPN的工藝庫，對電路所需的電源電壓和輸入信號幅度和頻率進(jìn)行設定調整，最終在W-Edit輸出波形圖。在MCNC 0.5μm工藝平臺上完成由MOS、雙極型晶體管和電容構成的運算放大器版圖設計。根據設計的版圖，設計出Bi-CMOS相應的工藝流程，并提取各光刻工藝的掩模版。
關(guān)鍵詞：BiCMOS；運算放大器；版圖；VLSL

0 引言
近幾年來(lái)，隨著(zhù)混合微電子技術(shù)的快速發(fā)展及其應用領(lǐng)域的不斷擴大，使其在通信行業(yè)和計算機系統有了快速的發(fā)展和廣泛的應用。隨之電子和通信業(yè)界對于現代電子元器件(例如大規模集成電路)、電路小型化、高速度、低電源電壓、低功耗和提高性?xún)r(jià)比等方面的要求越來(lái)越高。傳統的雙極技術(shù)雖然具有高速、電流驅動(dòng)能力強和模擬精度高等優(yōu)點(diǎn)，但其功耗和集成度卻不能適應現代VLSI技術(shù)發(fā)展的需要。而一直作為硅鍺(SiGe)集成電路主要技術(shù)平臺的MOS器件及其電路雖在高集成度、低功耗、強抗干擾能力等方面有著(zhù)雙極電路無(wú)法比擬的優(yōu)勢，但在高速、大電流驅動(dòng)場(chǎng)合卻無(wú)能為力。由此可見(jiàn)，無(wú)論是單一的CMOS，還是單一的雙極技術(shù)都無(wú)法滿(mǎn)足VLSI系統多方面性能的要求，因此只有融合CMOS和單一的雙極技術(shù)這兩種優(yōu)勢構造BiCMOS器件及其電路，才是VLSI發(fā)展的必然產(chǎn)物。由于最先提出BiCMOS器件的構造思路時(shí)，雙極和CMOS技術(shù)在工藝和設備上差異很大，組合難度和成本都高，同時(shí)因應用上的需求并不十分迫切，所以BiCMOS技術(shù)的發(fā)展比較緩慢。

1 電路圖設計
本文基于MCNC 0．5 μm CMOS工藝線(xiàn)設計了BiCMOS器件，其集成運算放大器由輸入級、中間級、輸出級和偏置電路4部分組成。輸入級由CMOS差分輸入對即兩個(gè)PMOS和NMOS組成；中間級為CMOS共源放大器；輸出級為甲乙類(lèi)互補輸出。圖1為CMOS差分輸入級，可作為集成運算放大器的輸入級。NMOS管M1和M2作為差分對輸入管，它的負載是由NMOS管M3和M4組成的鏡像電流源；M5管用來(lái)為差分放大器提供工作電流。M1管和M2管完全對稱(chēng)，其工作電流IDS1和IDS2由電流源Io提供。輸出電流IDS1和IDS2的大小取決于輸入電壓的差值VG1-VG2。IDS1和IDS2之和恒等于工作電流源Io。假設M1和M2管都工作在飽和區，那么如果M1和M2管都制作在孤立的P阱里，就沒(méi)有襯偏效應，此時(shí)VTN1=VTN2=VT。忽略MOS管溝道長(cháng)度的調制效應，差分對管的輸入差值電壓VID可表示為：

M2管和M4管構成CMOS放大器，兩個(gè)管子都工作在飽和區，其電壓增益等于M2管的跨導gM2和M2，M4兩管的輸出阻抗并聯(lián)的乘積，即：