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lna 文章 進(jìn)入lna技術(shù)社區
瑞薩電子擴展射頻產(chǎn)品組合，覆蓋宏基站完整信號鏈
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布，推出四款全新高可靠性、高性能產(chǎn)品，以加強其傳統宏基站（BTS）射頻產(chǎn)品組合，為客戶(hù)帶來(lái)完整射頻信號鏈解決方案。此次擴展包括業(yè)界首款四通道F4482/1 TX可變增益放大器（VGA）和F011x系列雙通道一級低噪聲放大器（LNA）。新系列產(chǎn)品還包括F1471 RF驅動(dòng)放大器——首款P1dB超過(guò)1/2W的大功率前置驅動(dòng)器，以及采用更小的封裝、具有更高隔離度、適用于DPD反饋路徑的F2934 RF開(kāi)關(guān)。擴展后的產(chǎn)品組合可提供5G宏基站系統所需的高性能、高可靠性、靈活
- 關(guān)鍵字： LNA BTS VGA
Teledyne e2v的四通道ADC為5G NR ATE和現場(chǎng)測試系統的自動(dòng)校準測試測量帶來(lái)重大變革
- 無(wú)線(xiàn)技術(shù)在過(guò)去的20年里快速從3G發(fā)展到4G，現在已到了5G的時(shí)代。有一個(gè)技術(shù)問(wèn)題一直貫穿這一發(fā)展的過(guò)程，即高頻器件的自動(dòng)校準測試。 RF ATE和現場(chǎng)測試系統面臨的最困難的挑戰是校準、可重復性和測試結果的關(guān)聯(lián)度。未來(lái)的無(wú)線(xiàn)技術(shù)的發(fā)展需要5G NR器件。Teledyne e2v的四通道多輸入端口A(yíng)DC利用非并行片上高頻交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)輸入電路技術(shù)，使用戶(hù)可在RF ATE和/或現場(chǎng)測試環(huán)境中使用自動(dòng)校準和測量技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： RF 5G LNA CPS ADC CPS
無(wú)線(xiàn)設計中LNA和PA的基本原理
- 對性能、小型化和更高頻率的需求,正挑戰無(wú)線(xiàn)系統中兩個(gè)關(guān)鍵天線(xiàn)連接元器件的限制:功率放大器(PA) 和低噪聲放大器(LNA)。5G的發(fā)展以及PA 和LNA 在微波無(wú)線(xiàn)電鏈路、VSAT(衛星通信系統)和相控陣雷達系統中的使用正促成這種轉變。這些應用的要求包括較低噪聲(對于LNA)和較高能效(對于PA)以及在高達或高于10 GHz 的較高頻率下的運行。為了滿(mǎn)足這些日益增長(cháng)的需求,LNA 和PA 制造商正在從傳統的全硅工藝轉向用于LNA 的砷化鎵(GaAs) 和用于PA 的氮化鎵(GaN)。本文將介紹LNA 和P
- 關(guān)鍵字： LNA PA
加速LTE-A/5G設計 射頻LNA/PA需求爆發(fā)
- 射頻(RF)元件需求急速增長(cháng)。先進(jìn)長(cháng)程演進(jìn)計劃(LTE-Advanced, LTE-A)商轉啟動(dòng),下一代5G標準亦蓄勢待發(fā),驅動(dòng)行動(dòng)裝置射頻系統規格升級。系統廠(chǎng)為支援100MHz超大頻寬、四十個(gè)以上頻段并降低雜訊干擾,除計劃增加低雜訊放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射頻元件用量外,亦將要求射頻前端模組(FAM)提高功能整合度,吸引晶片商加緊展開(kāi)卡位。?英飛凌(Infineon)電源管理及多元電子事業(yè)處射頻暨保護元件協(xié)理麥正奇表示,隨著(zhù)多頻多模LTE及LTE-A設計加溫,手機廠(chǎng)對FAM各類(lèi)元
- 關(guān)鍵字： LNA/PA
高集成度低噪聲放大器用于基站
- 目前，一個(gè)基站的站點(diǎn)通常需要安放多個(gè)無(wú)線(xiàn)發(fā)射器。共享站點(diǎn)的方式，一來(lái)可以降低同一區域的基站站點(diǎn)數量，二來(lái)可以降低各種服務(wù)成本。為滿(mǎn)足這兩個(gè)要求，基站的接收鏈路需具有如下兩個(gè)特點(diǎn)：高接收靈敏度和高帶內/帶外雜散的抑制能力。
- 關(guān)鍵字： 高集成度 基站 低噪聲放大器 無(wú)線(xiàn)發(fā)射器 LNA
RF放大器輸出限制介紹
- 對于任何應用中的放大器，輸出電壓的擺動(dòng)范圍以及可供給負載的電流量都有一個(gè)限制。這些限制基本上由裝置電源電壓、輸出級架構和工藝技術(shù)限制設置。大多數線(xiàn)性放大器包括一個(gè)闡述支持的最大和最小輸出電壓和最大電流的規范。 對于諸如低噪聲放大器(LNA)、射頻功率放大器(PA)和射頻增益模塊等射頻導向型放大器而言，輸出擺幅限制通常以1dB增益壓縮點(diǎn)表示。隨著(zhù)線(xiàn)性和射頻放大器的速度在諸如LMH6401增益放大器的現代高速放大器中彼此接近，了解這兩種規范之間的關(guān)聯(lián)，以及他們反映裝置性能的方式很重要。 我們首
- 關(guān)鍵字： RF放大器 LNA
WLAN中的LNA選擇和設計，您做到“專(zhuān)業(yè)”了嗎？
- WLAN是無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)的簡(jiǎn)稱(chēng)，英文全文為?Wireless?Local?Area?Networks。作為傳統有線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )的一種替代方案或延伸，WLAN通過(guò)利用無(wú)線(xiàn)技術(shù)在空中傳輸數據、話(huà)音和視頻信號，將個(gè)人從辦公桌邊解放了出來(lái)，使他?們可以隨時(shí)隨地獲取信息。本文將以世強代理的Infineon多款高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品為例，介紹WLAN中LNA選擇和設計?！ ∫?、選擇合適器件 以某款雙頻段WLAN產(chǎn)品為例，其主要工作原理框圖如下： ?? &nb
- 關(guān)鍵字： WLAN LNA
三星Galaxy S7和Galaxy A智能手機選用英飛凌安全與射頻元件
- 智能手機制造商要使其產(chǎn)品在競爭激烈的市場(chǎng)上脫穎而出，就必須在安全性或性能上做足文章，而三星同時(shí)選擇了二者。全球市場(chǎng)領(lǐng)袖三星利用來(lái)自英飛凌科技股份公司的安全與RF(射頻)元件打造全新三星Galaxy S7和Galaxy A手機?！ 〉驮敕糯笃?LNA)、天線(xiàn)調諧器，以及可提高數據速率和降低功耗的射頻開(kāi)關(guān)，能為智能手機用戶(hù)帶來(lái)切實(shí)的利益。與此同時(shí)，嵌入式安全模塊(eSE)可以保護移動(dòng)設備中受到安全威脅的那些功能。它們支持安全地傳輸用于非接觸支付的敏感付款憑證，實(shí)現方便的用戶(hù)生物識別和移
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 LNA
L波段200MHz帶寬LNA設計
- 引言 低噪聲放大器(LNA)是雷達、通信、電子對抗、遙測遙控等電子系統中關(guān)鍵的微波部件，有廣泛的應用價(jià)值。由于微波系統的噪聲系數基本上取決于前級放大器的噪聲系數，因此LNA噪聲系數的優(yōu)劣會(huì )直接影響整個(gè)系統性能的好壞。低噪聲放大器的設計主要包括輸入、輸出匹配網(wǎng)絡(luò )和直流偏置網(wǎng)絡(luò )的設計以及改善晶體管穩定的措施。本文首先介紹放大器提高穩定性的源極串聯(lián)負反饋原理，然后設計了一個(gè)L波段的低噪聲放大器實(shí)例，并給出了放火器輸入、輸出回波損耗、增益、噪聲系數等參數的仿真結果。 低噪聲放大器的設計 本文
- 關(guān)鍵字： L波段 LNA
基于A(yíng)TF54143的微波LNA設計與實(shí)現
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： ADS2011 ATF54143芯片 LNA
基于A(yíng)TF54143的微波LNA設計方案
- 摘要：本論文采用ADS2011仿真軟件，使用Avago公司的ATF54143晶體管作為主要器件，設計了頻率范圍為2.35～2.45GHz、中心頻率為2.4GHz的LNA，其性能指標為：噪聲系數<1dB，增益>13dB，輸入輸出駐波比<2，基本上達到了預期的效果。設計過(guò)程分為四步。第一步是在明確放大器的性能指標后選擇晶體管，然后進(jìn)行直流偏置電路的設計。第二步是放大器的穩定性分析與設計。第三步就是放大器電路的輸入和輸出匹配。輸入匹配電路以最小噪聲系數來(lái)匹配網(wǎng)絡(luò )，輸出匹配電路以最大增益來(lái)匹配網(wǎng)
- 關(guān)鍵字： ATF54143 LNA
lna介紹
LNA（Low Noise Amplifier）就是所謂的低噪聲放大器，它決定手機接收器的整體性能；一般說(shuō)來(lái)，噪聲指數是LNA最重要的一個(gè)參數，通常LNA噪聲指數的性能太差時(shí)，便會(huì )影響到接收器偵測微弱信號的能力，影響手機收信。 [ 查看詳細 ]
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