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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> gan.功率元件

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng )新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
  • 關(guān)鍵字： 科銳  放大器  GaN  

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率

  • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
  • 關(guān)鍵字： SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件（二）

  • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí)，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
  • 關(guān)鍵字： 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源...
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內量子效率接近40%。硅襯底在
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED  分析    

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著(zhù)的摻雜剖面結構及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當今社會(huì )，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō)：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

  • 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
  • 關(guān)鍵字： LED  GaN  MOSFET  

IGBT功率元件的應用及保護技術(shù)

  • 1 引言　　隨著(zhù)半導體元件制造工藝的完善和制造技術(shù)的提高，半導體功率元件正朝著(zhù)大電流、高電壓、快通斷、 ...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  功率元件  

SiC國際會(huì )議：從功率元件到傳感器和集成電路

  • 　　作為新一代功率半導體材料而備受關(guān)注的SiC國際會(huì )議“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(當地時(shí)間)在美國俄亥俄州克利夫蘭舉行。會(huì )上圍繞著(zhù)SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應用等題目進(jìn)行了成果發(fā)表。雖然以SiC制功率元件相關(guān)成果為中心，但發(fā)表的內容其實(shí)涉及多個(gè)方面。比如，還有采用SiC制成的傳感器及可支持高溫工作的集成電路，以及SiC材料金剛石和在SiC基板上形成石墨烯等成果發(fā)表。 　
  • 關(guān)鍵字： 功率元件  傳感器  

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問(wèn)世以來(lái)，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
  • 關(guān)鍵字： MOCVD  GaN  LED芯片    

一種S波段寬帶GaN放大器的設計

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
  • 關(guān)鍵字： GaN  S波段  寬帶  放大器    

GaN基量子阱紅外探測器的設計

  • 摘要：為了實(shí)現GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過(guò)設計適當的量子阱結構，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
  • 關(guān)鍵字： 設計  探測器  紅外  量子  GaN  

HEV系統的主要部件：功率元件解析

  • 功率元件是最重要的部件就功能和成本而言，功率元件在逆變器中是最為重要的部件。要想降低成本，如何使用...
  • 關(guān)鍵字： 功率元件  開(kāi)關(guān)  IGBT  電容  電流  
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gan.功率元件介紹

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