硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內量子效率接近40%。

硅襯底在典型生長(cháng)溫度下可保持穩定性，成本低;它的直徑可上升至300mm,且硅表面適合外延生長(cháng)，結合以上特點(diǎn)，硅襯底被選作生長(cháng)氮化物的平臺。硅上氮化物外延片也能用到硅工業(yè)中標準的生產(chǎn)設備，使得芯片的生產(chǎn)更具成本效率，芯片能接受綁定，并轉變?yōu)榉庋b型LED。

一個(gè)由英國政府資助、領(lǐng)軍企業(yè)和研究機構牽頭的項目，用MOCVD設備在150mm的硅(111)襯底上開(kāi)發(fā)出硅上GaN LED，包括RFMD英國團隊、劍橋大學(xué)、Aixtron UK、QinetiQ和Forge Europa。

如今LED生產(chǎn)使用的襯底材料一般是藍寶石和SiC，比起它們硅有著(zhù)重要的優(yōu)勢，但也有一個(gè)致命的弱點(diǎn)，那就是硅與GaN的晶格和熱膨脹系數極度失配。在典型的生長(cháng)溫度1000℃時(shí)，若GaN直接被沉積到硅襯底上，自此刻起在生長(cháng)薄膜中產(chǎn)生了拉應力，而且隨著(zhù)晶片降至室溫，兩種材料之間不同的膨脹系數導致了拉應力的增大。除非得到正確的控制，這種應力甚至會(huì )致使GaN薄膜的破裂。往往產(chǎn)生了晶片翹曲，這會(huì )讓面向硅加工設計的自動(dòng)化設備束手無(wú)策。作為比較，當氮化物生長(cháng)在SiC襯底上，彼此的熱膨脹和晶格系數相當;然而在藍寶石上生長(cháng)時(shí)它們會(huì )引起GaN薄膜的緊縮，但這不會(huì )產(chǎn)生裂縫。

GaN與硅之間的晶格嚴重失配，致使外延片中的位錯密度相對高一些。雖然氮化物L(fēng)ED對高度位錯表現出難以置信的適應性，藍光LED的位錯密度還是跌破109cm-2，IQE值也會(huì )隨之下降。

在初期生長(cháng)階段，硅與反應腔中的載氣發(fā)生反應，在晶體表面產(chǎn)生瑕疵，其表面形貌已不適合隨后的GaN生長(cháng)，這是硅的另一弱點(diǎn)。

劍橋大學(xué)開(kāi)發(fā)的藍光LED生產(chǎn)工藝可解決所有的這些問(wèn)題。其中，利用Aixtron的CCS MOCVD設備制備外延結構，設備適合生長(cháng)單個(gè)150mm晶片(或多個(gè)2英寸晶片)，并配有原位監測儀器用于測量晶片翹曲及溫度。在150mm的硅(111)襯底上，先沉積一層復雜的勢壘結構，以控制應力和晶片曲率;接著(zhù)，生長(cháng)一個(gè)帶InGaN量子阱和GaN勢壘層的多量子阱(MQW)LED結構，能發(fā)出460nm的光;最后才是一個(gè)摻鎂p型GaN(圖1a)。

圖1.LED的結構包括一個(gè)降低位錯的SiNx層(a);Aixtron的Argus工具與LayTec提供的Epicurve監測器一起，可測量出晶片翹曲以及晶片溫度(b)。生長(cháng)過(guò)程可分為四個(gè)步驟：預生長(cháng)熱處理，AlN晶核層、勢壘層和n型GaN層，多量子阱區域和p型GaN層，以及退火/冷卻。

襯底在氫氣氛圍內退火之后，移除本征半導體層并形成一個(gè)梯田狀，并回流至硅表面。生長(cháng)過(guò)程如下：先沉積一個(gè)AlN晶核層，確保硅表面不會(huì )分解;接著(zhù)是一個(gè)復雜的勢壘結構。通過(guò)對勢壘層的成分和厚度進(jìn)行仔細的控制以平衡應力;當生長(cháng)溫度降至室溫時(shí)，熱膨脹失配在結構內產(chǎn)生了應力。

為了降低位錯密度、提高LED的性能，在勢壘層上又沉積GaN和AlGaN層。插入SiNX層是一項用于生長(cháng)藍寶石上氮化物薄膜的技術(shù)，在很大程度上能降低線(xiàn)位錯密度。

原位工具持續地監測晶片的溫度和曲率是成功的關(guān)鍵，可再次生長(cháng)出平整而無(wú)裂縫的材料。在劍橋大學(xué)，反應室內襯底的溫度通過(guò)Aixtron的Argus工具進(jìn)行圖形表征，并利用LayTec的Epicurve提供實(shí)時(shí)的晶片曲率測量。

我們所使用的硅有輕微的凸起翹曲，一經(jīng)加熱和在位式退火之后會(huì )變成凹型，這是因為，此時(shí)襯底底端的溫度比頂面要高(圖1b)。AlN晶核層的添加使得凹型翹曲更為嚴重，但隨著(zhù)勢壘層以及摻硅GaN層的生長(cháng)，表面又呈現凸起狀，壓應力隨之增加。量子阱的生長(cháng)和勢壘層導致曲率發(fā)生了少許變化，我們能察覺(jué)到，之后往GaN層中摻雜鎂元素時(shí)，反應腔內的溫度會(huì )增加，晶片因而變得更加凸起。薄膜的拉應力產(chǎn)生于GaN與硅之間存在的熱膨脹系數差異，通過(guò)沉積勢壘層匹配物，優(yōu)化其翹曲程度，這樣晶片在冷卻后還非常平整。

圖2.Aixtron的Argus溫度分布圖顯示了整個(gè)150mm晶片的剖面溫度。通過(guò)調整反應腔加熱器的放射區，能將任何差異逐一最小化(a, b, c)

生長(cháng)工藝的開(kāi)發(fā)把150mm外延片的生產(chǎn)帶入更佳狀態(tài)，整個(gè)表面的高度變化低于50m。這些晶片適合用RFMD的高產(chǎn)量生產(chǎn)設備來(lái)加工處理。

為確保晶片在冷卻時(shí)保持表面平整，必須在生長(cháng)溫度時(shí)引入翹曲;由于襯底與基座之間有著(zhù)距離差異，整塊晶片的溫度會(huì )有明顯的變動(dòng)。溫度變化對InGaN LED生長(cháng)不利，他們改變了量子阱中的銦組分以及發(fā)光波長(cháng)。幸運的是我們能用Argus分布圖來(lái)監測這些溫度變化，并通過(guò)調整三個(gè)加熱區的輸出功率將這些變化降至最小。

橫截面透射電子顯微鏡圖(TEM)顯示，器件層結構中的SiNx層會(huì )改變缺陷的方向甚至有的消失不見(jiàn)了，因而導致了低位錯密度(圖3)。與AlN相比GaN的面內晶格參數更大，它產(chǎn)生的壓應力使得AlGaN/GaN界面也出現這種現象。

圖3.TEM圖中的淡線(xiàn)和深色區域展示出，SiN層有助于降低InGaN/GaN LED中的位錯密度。圖中純螺旋式/混合型的位錯清晰可見(jiàn)。

用TEM的平面圖來(lái)評估外延片中的位錯密度。匯同其它的原子力顯微鏡圖像(在860°C時(shí)將表面暴露在硅烷助熔劑下面，可突出凹坑)，最終測得硅上GaN材料的位錯密度值低于109cm-2。

在曼切斯特大學(xué)，研究人員使用光致光測量法PL(受溫度的影響)來(lái)評估材料的IQE值，在室溫下約為50%。使用這種方法的前提是，假定非輻射復合接近零基本予以忽略。生長(cháng)在藍寶石上的類(lèi)似結構，它的位錯密度是108cm-2，典型的IQE值是70%;這表明在硅平臺上制備高性能LED的時(shí)候，硅上氮化物的位錯密度不可能成為一個(gè)主要的問(wèn)題。我們在QinetiQ繼續制備LED.通過(guò)刻蝕一個(gè)n型GaN層的臺面。接著(zhù)，往上面沉積一層Ti/Al/Pt/Au合金以產(chǎn)生n型接觸;p型接觸是一個(gè)退火后的半透明NiAu和一個(gè)更厚的金接觸焊盤(pán)。

我們最好的0.5×0.5mm LED，它所呈現的I-V特性與藍寶石上GaN器件極其相似，開(kāi)通電壓約是2.5V(圖4)，使用相同的光學(xué)方法測量?jì)煞N器件的頂部光輸出，結果發(fā)現藍寶石基LED產(chǎn)生的光輸出是硅器件的兩倍?？紤]到硅襯底的光吸收較大，對LED正向的總發(fā)光量進(jìn)行測量，據計算硅上LED的IQE是37%。

圖4. 硅上GaN LED產(chǎn)生了與常用器件非常相似的I-V曲線(xiàn)(a);但這種類(lèi)型器件的光輸出不到一半左右(b)

圖5 硅、藍寶石和SiC之比較

硅上LED仍處于早期階段，但初始結果令我們非常振奮。移除硅襯底可防止光吸收，但它將不再對制造商構成威脅，原因是高亮度LED生產(chǎn)通常會(huì )采取倒裝焊接和襯底移除。通過(guò)使用先進(jìn)的封裝及合適的熒光粉，我們現有的器件的發(fā)光效率可達70lm/W，這與基于藍寶石的LED形成了對照。由于硅的成本低，這意味著(zhù)，在硅上生長(cháng)的GaN LED將接近美國能源署關(guān)于2012年每千流明成本所需達到的目標。這些將促使我們的器件成為固態(tài)照明應用中名副其實(shí)的競爭者。隨著(zhù)原位生長(cháng)技術(shù)的提高，帶來(lái)了更高質(zhì)量的材料，為此器件的性能只會(huì )變得更好。