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SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
關(guān)鍵字： MMIC SiC GaN 襯底

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布，成功開(kāi)發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著(zhù)提高計算和通信、汽車(chē)和電器等終端設備的性能，并降低能耗。　　開(kāi)拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專(zhuān)利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實(shí)現電源轉換解決方案的革命性進(jìn)步。通過(guò)有效利用公司60年來(lái)在電源轉換專(zhuān)業(yè)知識方面
關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端

　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導地位。　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：　　1. 相比于類(lèi)似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍　　　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率　　3. 在免授權的5.8G
關(guān)鍵字：三極管 WiMAX Cree GaN

　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無(wú)裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在A(yíng)ixtron應用實(shí)驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應腔中生長(cháng)的。??????? 　　“對實(shí)現在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來(lái)說(shuō)，在200mm硅晶圓上生長(cháng)出
關(guān)鍵字：硅晶圓 GaN 200mm MEMC

　　要預測客戶(hù)對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類(lèi)測試。　　UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話(huà)在傳輸話(huà)音、數據、既有話(huà)音也有數據或既無(wú)話(huà)音也無(wú)數據時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò )(例如 GERAN--GSM/EDGE 無(wú)線(xiàn)接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò )(例如無(wú)線(xiàn) LAN)之間無(wú)縫切換的系統。作為網(wǎng)絡(luò )融合發(fā)展過(guò)程中一項里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機用戶(hù)得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
關(guān)鍵字：移動(dòng)電話(huà) UMA GAN SEGW WLAN

　　由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點(diǎn)項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長(cháng)設備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產(chǎn)權的并能同時(shí)生長(cháng)6片外延片的MOCVD設備研制成功。　　　　該設備在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽(yáng)能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關(guān)鍵設備，目前國內半導體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設備全部依賴(lài)進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
關(guān)鍵字：青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN