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ST已經(jīng)做好部署,準備挖掘GaN的全部潛力

  • GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導體材料,以高頻、高壓等為特色。但長(cháng)期以來(lái),由于工藝、成本等因素制約,GaN還處于Si(硅)和SiC(碳化硅)應用的夾縫之間。在新的一年里,GaN的市場(chǎng)前景將如何?GaN技術(shù)和應用有何新突破?為此,本媒體邀請了部分GaN資深企業(yè),介紹一下GaN功率器件的新動(dòng)向。
  • 關(guān)鍵字: 202201  GaN  

GaN功率芯片走向成熟,納微GaNSense開(kāi)啟智能集成時(shí)代

  • GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導體材料,以高頻、高壓等為特色。但是長(cháng)期以來(lái),在功率電源領(lǐng)域,處于常規的Si(硅)和熱門(mén)的SiC(碳化硅)應用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場(chǎng)前景如何?GaN技術(shù)有何新突破?不久前,消費類(lèi)GaN(氮化鎵)功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片,采用了專(zhuān)利的GaNSense?技術(shù)。值此機會(huì ),電子產(chǎn)品世界的記者采訪(fǎng)了銷(xiāo)售營(yíng)運總監李銘釗、高級應用總監黃秀成、高級研發(fā)總監徐迎春。圖 從左至右:納微半導體級的高級應用總監黃秀成、銷(xiāo)售營(yíng)運總監李銘
  • 關(guān)鍵字: GaN  集成  202201  

蘋(píng)果證實(shí):新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

  •   10月19日消息,據The Verge報道,蘋(píng)果公司向其證實(shí),新上架的140W USB-C電源適配器是蘋(píng)果首款GaN充電器?! ∨c傳統充電器相比,GaN充電器的更小、更輕,同時(shí)支持大功率?! 〈送?,蘋(píng)果公司還確認,140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準,這意味著(zhù)該充電器可以為其他支持該標準的設備充電?! ⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線(xiàn)現已在蘋(píng)果中國官網(wǎng)上架?! ∑渲?,140W USB-C電源適配器的價(jià)格為729元,USB-C轉MagSa
  • 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果  電源適配器  GaN  充電器  

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰(shuí)是寬禁帶(WBG)材料的未來(lái)?

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段,Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規模應用。但不可否認,第三代半導體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢。
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

  •   2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案,不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能,同時(shí)還能顯著(zhù)減少BOM,非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計?! ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝,內部集成
  • 關(guān)鍵字: PI  InnoSwitch?3-PD  GaN  

TI推出全新GaN技術(shù),攜手臺達打造高效能服務(wù)器電源供應器

  • TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設計難題,降低總所有成本
  • 關(guān)鍵字: GAN  TI  電源供應器  

集邦咨詢(xún):新能源車(chē)需求助攻GaN功率元件

  • TrendForce集邦咨詢(xún)表示,2021年隨著(zhù)各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉換及新能源車(chē)等需求拉升,驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率元件成長(cháng)幅度最高,預估今年營(yíng)收將達8,300萬(wàn)美元,年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究,GaN功率元件,其主要應用大宗在于消費性產(chǎn)品,至2025年市場(chǎng)規模將達8.5億美元,年復合成長(cháng)率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車(chē)20
  • 關(guān)鍵字: 新能源車(chē)  GaN  功率元件  

ST和Exagan攜手開(kāi)啟GaN發(fā)展新章節

  • 氮化鎵(GaN)是一種III/V族寬能隙化合物半導體材料,能隙為3.4eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此,GaN的固有特性,讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻,亦即相較于同尺寸的硅基組件,GaN可處理更大的負載、效能更高,而且物料清單成本更低。在過(guò)去的十多年里,產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預測,GaN功率開(kāi)關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件,GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力,這
  • 關(guān)鍵字: ST  Exagan  GaN  

憑借快充出圈的氮化鎵,為什么這么火?

  • 氮化鎵快充火爆的背后,除了受消費者需求影響,是否還有其他原因?為什么快充會(huì )率先用到氮化鎵呢?
  • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  快充  GaN  

德州儀器宣布與中車(chē)株洲所簽署升級聯(lián)合設計實(shí)驗室合作備忘錄

  • 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設備制造商中車(chē)株洲電力機車(chē)研究所有限公司(后簡(jiǎn)稱(chēng)“株洲所”)簽署諒解備忘錄,升級共同運營(yíng)的聯(lián)合設計實(shí)驗室,實(shí)現更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車(chē)株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù),加速包括軌道交通,電動(dòng)汽車(chē)等方面的應用設計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設。合作還將拓展至太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源方面的應用,以響應中國在2060年實(shí)現碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車(chē)株洲電力機車(chē)研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動(dòng)中國城際軌道交通系統的快速
  • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN  

Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

  • 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅動(dòng)器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
  • 關(guān)鍵字: Nexperia  MOSFET  GaN  

砥礪前行,推進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

  • 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點(diǎn)實(shí)驗室,圍繞中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈,培養工程專(zhuān)業(yè)人才,搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺,建立以工程創(chuàng )新能力為核心指標的多元化機制,致力于對大灣區乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養成績(jì)斐然,在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
  • 關(guān)鍵字: 集成電路  微電子  氮化鎵器件  寬禁帶  IC  GaN  202103  

TI為何把首款GaN FET定位于汽車(chē)和工業(yè)應用

  • GaN(氮化鎵)作為新一代半導體材料,正有越來(lái)越廣泛的應用。近日,德州儀器(TI)宣布其首款帶集成驅動(dòng)器、內部保護和有源電源管理的GaN FET,分別面向車(chē)用充電器和工業(yè)電源,可以實(shí)現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車(chē)和工業(yè)方面的機會(huì )?此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么?為此,電子產(chǎn)品世界記者線(xiàn)上采訪(fǎng)了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
  • 關(guān)鍵字: GaN  FET  SiC  

在輕度混合動(dòng)力汽車(chē)中利用GaN實(shí)現雙電池管理

  • John Grabowski:安森美半導體電源方案部門(mén)的首席應用和市場(chǎng)工程師,部門(mén)位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導體,此前他曾在福特汽車(chē)公司研究實(shí)驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設計,應用于電氣、混合動(dòng)力汽車(chē)和汽車(chē)動(dòng)力總成系統。最近,他的團隊積極推動(dòng)將高功率半導體應用于汽車(chē)電子化。引言為應對氣候變化,汽車(chē)減排降油耗勢在必行。如今,許多國家/地區的法律強制要求汽車(chē)制造商做出這些改變。為實(shí)現這一目標,其中一種方式就是采用混合動(dòng)力,即在汽油或柴油車(chē)輛的傳動(dòng)鏈中
  • 關(guān)鍵字: GaN  48V  

第三代芯片徹底火了!45家公司實(shí)證涉足三代半導體

  • 延續9月4日以來(lái)的火熱行情,9月17日,A股第三代半導體概念股持續強勁,雙良節能、易事特漲停,多只概念股個(gè)股漲超7%。證券時(shí)報·e公司記者梳理發(fā)現,截至9月17日,已通過(guò)深交所互動(dòng)易或公告形式披露公司確有第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務(wù),或已積累相關(guān)技術(shù)專(zhuān)利等的A股公司共有45家,其中23家上市公司在第三代半導體方面有實(shí)際業(yè)務(wù),或已出貨相關(guān)產(chǎn)品,但多數為小批量出貨,銷(xiāo)售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續火熱近段時(shí)間以來(lái),以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起,成為低迷震蕩行情下一道亮
  • 關(guān)鍵字: 第三代芯片  三代半導體  GaN  
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