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殺入新能源汽車(chē)市場(chǎng)的GaN，勝算幾何？

在電力電子應用中，為了滿(mǎn)足更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開(kāi)啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門(mén)。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著(zhù)許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應用的痛點(diǎn)

和傳統的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著(zhù)更高的電壓能力、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來(lái)新興的半導體材料。但他們也存在著(zhù)各自不同的特性，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，GaN 的開(kāi)關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數極小，開(kāi)關(guān)速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動(dòng)汽車(chē)的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車(chē)載充電）、低功率開(kāi)關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛星發(fā)射器和通用射頻放大
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Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標準TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴大SuperGaN平臺的優(yōu)勢

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場(chǎng)效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過(guò)了J
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東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應用痛點(diǎn)

受訪(fǎng)人：黃文源東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術(shù)統括部技術(shù)企劃部高級經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　回答：自從半導體產(chǎn)品面世以來(lái)，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著(zhù)化合物半導體的出現，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
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第三代半導體市場(chǎng)的“互補共生”

　　受訪(fǎng)人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營(yíng)銷(xiāo)組的應用經(jīng)理，負責工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過(guò)去20年中設計了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
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GaN是否具有可靠性？或者說(shuō)我們能否如此提問(wèn)？

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會(huì )好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒(méi)有人詢(xún)問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對于硅可靠性方面的問(wèn)題措辭則不同，比如“這是否通過(guò)了鑒定？”盡管GaN器件也通過(guò)了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀(guān)點(diǎn)，因
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破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優(yōu)于傳統 Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開(kāi)關(guān)速度也給工程師帶來(lái)了使用和測量的挑戰，稍有不慎就無(wú)法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動(dòng)電壓VGS的測量，包括兩個(gè)部分：開(kāi)關(guān)過(guò)程和Crosstalk。此時(shí)是無(wú)法使用無(wú)源探頭進(jìn)行測量的，這會(huì )導致設備和人員危險，同時(shí)還會(huì )由
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GaN Systems HD半橋雙極驅動(dòng)開(kāi)關(guān)評估板在貿澤開(kāi)售

提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅動(dòng)開(kāi)關(guān)評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優(yōu)異，同時(shí)減少了組件總數，節省了寶貴的電路板空間。貿澤電子分銷(xiāo)的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個(gè)HEY1011-L12C GaN FET驅動(dòng)器和兩
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Qorvo 助力簡(jiǎn)化 GaN PA 偏置

移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計，可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET，運行時(shí)需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統中，需要以特定的順序進(jìn)行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負柵極電壓，以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內置可配置
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學(xué)貫中西(8)：從GAN領(lǐng)悟人機協(xié)同創(chuàng )新之道

1 回顧：GAN里的兩個(gè)角色在上一期里，詳細介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的兩個(gè)角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。其中的生成者，又稱(chēng)為創(chuàng )新者，而判別者又稱(chēng)為鑒賞者。在常見(jiàn)的圖像繪畫(huà)領(lǐng)域，其典型的協(xié)同創(chuàng )新模式是： G( 創(chuàng )新者 ) 負責創(chuàng )作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一張圖像的真或假，然后引領(lǐng) G 逐步改進(jìn)，止于完美逼近目標。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng )新模式，屬于 AI 機器與機器之間的協(xié)同合作或創(chuàng )新。然而，在 AI 科技不斷
關(guān)鍵字： 202206 GAN 人機協(xié)同

EPC開(kāi)拓"GaN Talk支持論壇"平臺

宜普電源轉換公司（EPC）新推線(xiàn)上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應用現狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術(shù)的應用現狀和發(fā)展趨勢。該論壇專(zhuān)為工程師、工程專(zhuān)業(yè)學(xué)生和所有氮化鎵技術(shù)愛(ài)好者而設，為用戶(hù)答疑解難和提供互相交流的平臺。提問(wèn)可以用主題類(lèi)別、熱門(mén)話(huà)題或最新帖子搜索。除了提問(wèn)外，用戶(hù)還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問(wèn)和反饋。此外，
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毫米波技術(shù)需要高度線(xiàn)性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

5G 通信正在改變我們的生活，同時(shí)也在促進(jìn)產(chǎn)業(yè)數字化轉型，為工業(yè)、汽車(chē)和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應用想象空間與市場(chǎng)機會(huì )，例如實(shí)現創(chuàng )建人與機器人和諧共存的環(huán)境，高質(zhì)量醫療，并且加速實(shí)現安全的自動(dòng)駕駛汽車(chē)，等等?！?打造未來(lái)智能工廠(chǎng)——5G 無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )可以幫助工廠(chǎng)實(shí)現更高的可靠性，例如縮短延遲時(shí)間、提高生產(chǎn)效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動(dòng)，并降低事故風(fēng)險?！?提供高質(zhì)量的醫療服務(wù)——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實(shí)施遠程監測，進(jìn)行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
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第三代半導體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級

5G 受到追捧是有充足的理由的。根據CCS Insight 的預測，到2023 年，5G 用戶(hù)數量將達10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎設施將承載近15％的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線(xiàn)性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個(gè)第三代半導體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開(kāi)始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開(kāi)關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應用，涵蓋移動(dòng)通信、無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)微波通
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TI：運用GaN技術(shù)可提升數據中心的能源效率

德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶(hù)充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實(shí)現更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數據中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實(shí)現更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數據中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著(zhù)各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導者期盼透過(guò)數據中心實(shí)現技術(shù)創(chuàng )新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶(hù)充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實(shí)現更高的功率密度和效率。他也強調，
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學(xué)貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)

1? ?GAN與NFT的結合在上一期里，我們說(shuō)明了天字第一號模型：分類(lèi)器。接著(zhù)本期就來(lái)看看它的一項有趣應用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網(wǎng)絡(luò ))。自從2014 年問(wèn)世以來(lái)，GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領(lǐng)域，就開(kāi)始涌現了許多極具吸引力的創(chuàng )作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫(huà)筆，使用GAN 進(jìn)行創(chuàng )作特別令人振奮，常常創(chuàng )作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺(jué)，例如圖1。?圖1近年來(lái)，非同質(zhì)化代幣NFT(
關(guān)鍵字： 202205 生成對抗網(wǎng)路 GAN