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可適配N(xiāo)VIDIA Jetson Orin NX和Orin Nano的工業(yè)級準系統，研華EPC-R7300助力產(chǎn)品開(kāi)發(fā)
- 2023年，工業(yè)嵌入式AI解決方案供應商研華科技發(fā)布工業(yè)準系統 EPC-R7300，該產(chǎn)品適用于NVIDIA?Jetson Orin?NX及JetsonOrin?Nano模塊。利用強大的NVIDIA Jetson Orin模塊，EPC-R7300將以低功耗（7~25瓦）輸出20-100TOPS的AI性能。為了便于A(yíng)I部署，EPC-R7300采用了非常緊湊的外形（152×173×50 mm），具有多種后置I/O配置，其出色的柔性和計算性能為下一代機器人、監控和其它使用邊緣推理的應用提供了保障。用于NVIDI
- 關(guān)鍵字： Jetson Orin NX Orin Nano 研華 EPC-R7300
氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因
- 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數據中心依賴(lài)于日益流行的半導體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。?氮化鎵技術(shù)，通常稱(chēng)為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來(lái)越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開(kāi)關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數據中心，這些應用還包括 HVAC 系統、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線(xiàn)負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 GaN 電源管理
高電壓技術(shù)是構建更可持續未來(lái)的關(guān)鍵
- 隨著(zhù)世界各地的電力消耗持續增長(cháng)，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新讓設計工程師能夠開(kāi)發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著(zhù)人均用電量的持續增長(cháng)，可持續能源變得越來(lái)越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载撠煹姆绞焦芾砟茉词褂梅浅Ｖ匾?。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng )新是實(shí)現能源可持續的關(guān)鍵?！?隨著(zhù)電力需求的增加（在 2 秒內將電動(dòng)汽車(chē) (EV) 從 0mph加速到 60mph?
- 關(guān)鍵字： 高電壓技術(shù) 電動(dòng)汽車(chē) GaN IGBT
柵極長(cháng)度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性
- 當今行業(yè)中發(fā)現的大多數 FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現的電子特性。根據摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過(guò)渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問(wèn)題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實(shí)現激進(jìn)的溝道長(cháng)度縮放。自從在現代電子產(chǎn)品中引入場(chǎng)效應晶體管 (FET) 以來(lái)，理論和應用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進(jìn)。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
- 關(guān)鍵字： 柵極 FET
EPC發(fā)布第十五階段產(chǎn)品可靠性測試報告
- 宜普電源轉換公司(EPC)發(fā)布第十五階段產(chǎn)品可靠性測試報告，進(jìn)一步豐富了關(guān)于氮化鎵器件可靠性的知識庫和展示了EPC eGaN產(chǎn)品的穩健耐用性已在實(shí)際應用中得到驗證。EPC宣布發(fā)布其第十五階段產(chǎn)品可靠性測試報告，記錄了持續使用測試器件至失效的方法，并針對太陽(yáng)能優(yōu)化器、激光雷達傳感器和DC/DC轉換器等實(shí)際應用，加入了具體的可靠性指標和預測數據。本報告介紹了測試eGaN器件至失效的結果，以了解器件的內在故障機制，從而開(kāi)發(fā)基于物理的模型，以準確預測氮化鎵器件在一般操作條件下的安全使用壽命。這是根據特定現實(shí)應用條
- 關(guān)鍵字： EPC 氮化鎵器件
連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案
- ３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開(kāi)了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動(dòng)。通過(guò)此次活動(dòng)，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動(dòng)產(chǎn)品和基礎設施應用上的射頻領(lǐng)導地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世，化解萬(wàn)物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬(wàn)物互聯(lián)生活逐漸成為現實(shí)，但要將數以百億計的設備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現打破了這個(gè)局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
- 關(guān)鍵字： Qorvo Matter SiC FET UWB
GaN 出擊
- 自上世紀五十年代以來(lái)，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著(zhù)時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
EPC新推ePower? IC，可在不同功率預算提高功率密度和簡(jiǎn)化設計
- 繼早前推出的100 V、35 A功率級IC（EPC23102）之后，EPC公司新推兩款新型100V功率級IC，其額定電流分別為15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。這三款集成電路能夠承受100 V的最大電壓和集成了GaN半橋功率級，內含采用半橋配置的對稱(chēng)FET、半橋驅動(dòng)器、電平轉換器、自舉充電和輸入邏輯接口。這三款器件采用熱增強型QFN封裝，尺寸僅為3.5 mm x 5 mm，頂部裸露以實(shí)現雙面冷卻和可潤濕側面。其封裝兼容的特性使客戶(hù)的設計得以升級，從而實(shí)現更高的性能或更低的成本而無(wú)需修
- 關(guān)鍵字： EPC ePower
基于Navitas NV6115的150W電源解決方案
- 傳統的功率半導體被設計用來(lái)提升系統的效率以及減少能量損失?？墒菍?shí)際上，出于兩個(gè)方面的原因-傳導和開(kāi)關(guān)切換，設備可能會(huì )出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術(shù)，其改善開(kāi)關(guān)切換的延遲時(shí)間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅動(dòng)器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實(shí)現許多軟開(kāi)關(guān)拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
- 關(guān)鍵字： NAVITAS NV6115 NV6117 GAN
GaN 良率受限，難以取代 IGBT
- GaN 要快速擴散至各應用領(lǐng)域，仍有層層關(guān)卡待突破。
- 關(guān)鍵字： GaN
市場(chǎng)規模節節攀升，第三代半導體成收購的熱門(mén)賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著(zhù)，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書(shū)（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買(mǎi)博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務(wù)。2023年3月2
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 收購 SiC GaN
GaN 時(shí)代來(lái)了？
- 隨著(zhù)特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會(huì )產(chǎn)生后續替代效應。據業(yè)內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿(mǎn)足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車(chē)和機車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
面向USB PD 3.1應用,EPC新推基于eGaN IC的高功率密度、薄型DC/DC轉換器參考設計
- EPC推出EPC9177，這是一種基于eGaN?IC的高功率密度、薄型DC/DC轉換器參考設計，可滿(mǎn)足新型USB PD 3.1對多端口充電器和主板上從28 V~48 V輸入電壓轉換至12 V或20 V輸出電壓的嚴格要求。宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC9177，這是一款數字控制、單輸出同步降壓轉換器參考設計，工作在?720 kHz 開(kāi)關(guān)頻率，可轉換?48 V、36 V、28 V至穩壓12 V輸出電壓，并提供可高達20 A的連續輸出電流。這款小面積（21mm?x 13m
- 關(guān)鍵字： USB PD 3.1 EPC eGaN DC/DC轉換器
用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護
- 當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動(dòng)汽車(chē)、數據中心和高功率電機驅動(dòng)等高功率應用中實(shí)施。實(shí)現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開(kāi)關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應用。當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動(dòng)汽車(chē)、數據中心和高功率電機驅動(dòng)等高功
- 關(guān)鍵字： GaN HEMT 短路保護
英飛凌將收購氮化鎵系統公司（GaN Systems）
- 【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統公司。氮化鎵系統公司是全球領(lǐng)先的科技公司，致力于為功率轉換應用開(kāi)發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。 英飛凌科技首席執行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術(shù)為打造更加
- 關(guān)鍵字： 英飛凌將 氮化鎵系統公司 GaN Systems 氮化鎵產(chǎn)品
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