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epc gan fet 文章 進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區
汽車(chē)芯片，有兩大好賽道
- 汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢，勢必帶動(dòng)車(chē)用半導體的價(jià)值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機。先看功率半導體，車(chē)規功率半導體是新能源汽車(chē)的重要組件，無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規模擬芯片，模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應用，包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 SiC GaN 模擬芯片
更小、更快、更節能，半導體芯片迎大突破
- 最先進(jìn)的電子硬件在大數據革命面前都顯得有些“捉襟見(jiàn)肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個(gè)方面。隨著(zhù)數據集的存儲、搜索和分析越來(lái)越復雜，這些設備就必須變得更小、更快、更節能，以跟上數據創(chuàng )新的步伐。鐵電場(chǎng)效應晶體管（FE-FETs）是應對這一挑戰的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場(chǎng)效應晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì)，在其中植入場(chǎng)效應和電荷積累，實(shí)現了長(cháng)期穩定的記憶效應。與傳統存儲器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢。因此，一個(gè)成功的FE-FET設計可以大大降低傳統器件的尺寸和能量使
- 關(guān)鍵字： 半導體芯片 FE-FET
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動(dòng)器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅動(dòng)器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶(hù)的價(jià)值主張。 不同于同類(lèi)競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動(dòng)器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
- 關(guān)鍵字： Transphorm SuperGaN FET 驅動(dòng)器
第三代半導體高歌猛進(jìn)，誰(shuí)將受益？
- “現在的新車(chē)，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì )再用傳統功率器件”。功率半導體大廠(chǎng)意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著(zhù)獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關(guān)于第三代半導體的爭奪劇集已經(jīng)開(kāi)始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(cháng)期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(cháng)相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 SiC GaN
泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術(shù)驗證速度
- 中國北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開(kāi)關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿(mǎn)懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無(wú)縫集成到示波器測量系統
- 關(guān)鍵字： 泰克 示波器 雙脈沖測試 SiC GaN
Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
- 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書(shū)。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現Transphorm有能力支持未來(lái)的汽車(chē)電力系統，以及已普遍用于工業(yè)、數據通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統。與替代技術(shù)相比，這些應用可受益于1
- 關(guān)鍵字： Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常關(guān)型 氮化鎵.三相電力系統
使用開(kāi)爾文連接提高 SiC FET 的開(kāi)關(guān)效率
- 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類(lèi)封裝的連接往往會(huì )導致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開(kāi)爾文連接技術(shù)以解決電感問(wèn)題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動(dòng)汽車(chē) (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
- 關(guān)鍵字： Qorvo 開(kāi)爾文 FET
EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專(zhuān)利
- 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導者宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿易委員會(huì )（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專(zhuān)利組合中的 四項專(zhuān)利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱(chēng)英諾賽科）侵犯。 這些專(zhuān)利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 EPC 英諾賽科 氮化鎵 GaN
ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
- 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現無(wú)碳社會(huì )，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì )問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
- 關(guān)鍵字： ROHM 650V GaN HEMT
意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片
- 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過(guò)流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動(dòng)
EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動(dòng)器參考設計
- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實(shí)現更長(cháng)的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車(chē)、小型電動(dòng)汽車(chē)、農業(yè)機械、叉車(chē)和大功率無(wú)人機等應用。EPC9186在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET ARMS 電機驅動(dòng)器
Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關(guān)鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
研華邊緣計算設備EPC-B5000，高AI算力加速邊緣計算
- 在采集邊緣側數據時(shí)，邊緣計算設備通常需要連接4K 120幀高分辨率視頻攝像頭將采集到的原始圖像數據流暢且實(shí)時(shí)顯示出來(lái)。同時(shí)原始圖像數據往往數據量巨大，需要快速及時(shí)進(jìn)行預分析和數據處理，因此需要多張采集卡或顯卡來(lái)滿(mǎn)足設備性能，并借助高性能顯卡甚至專(zhuān)業(yè)AI級別顯卡將采集到的圖像數據進(jìn)行實(shí)時(shí)AI處理和圖像渲染。而邊緣側設備所處的環(huán)境不確定因素較多，條件惡劣，這對邊緣計算設備的品質(zhì)提出了要求，其在實(shí)際數據采集場(chǎng)景下必須穩定可靠，避免出現故障?；诖?，研華設計并研發(fā)了邊緣計算設備EPC-B5000。 網(wǎng)口
- 關(guān)鍵字： 研華 邊緣計算設備 EPC-B5000 高AI算力
深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊
- 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現商用，6 英寸
- 關(guān)鍵字： GaN-on-Si 氮化鎵
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