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格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片
- 據外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠(chǎng)商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬(wàn)美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠(chǎng)研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無(wú)線(xiàn)基礎設施、電動(dòng)汽車(chē)、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱(chēng)，電動(dòng)汽車(chē)的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來(lái)需求。格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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GaN IC縮小電機驅動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、 機器人和無(wú)人機的上市時(shí)間
- EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動(dòng)系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素
- 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著(zhù)與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場(chǎng)中獲得應用。其中許多應用需要很長(cháng)的使用壽
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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器和 EV 充電站等設計得以實(shí)現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現的性能，使用 GaN 進(jìn)行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類(lèi)型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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貿澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
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大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案
- 2022年9月20日，致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動(dòng)智能設備已經(jīng)成為人們日常生活的重要工具，然而隨著(zhù)這些設備所覆蓋的功能越來(lái)越多，設備有限的續航能力已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足用戶(hù)對
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使用集成GaN解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器和 EV 充電站等設計得以實(shí)現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現的性能，使用 GaN 進(jìn)行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類(lèi)型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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GaN將在數據服務(wù)器中挑起效率大梁
- 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域，這是因為服務(wù)器及其冷卻系統對能源消耗，占據了數據中心將近40%的運營(yíng)成本。GaN具有獨特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求，并最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。數字化和云端服務(wù)的快速建置推動(dòng)了全球數據服務(wù)器的產(chǎn)業(yè)規模的成長(cháng)。今天，數據服務(wù)器消耗了全球近1%的電力，這個(gè)數字預計會(huì )不斷的成長(cháng)下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強實(shí)境和虛擬現實(shí)，所消耗大量電力將遠超現今地球上所能
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【機器視覺(jué)應用分享】包裹的奇幻漂流之物流分揀系統 ——研華EPC-B2205嵌入式工控機在物流分揀系統中的應用
- 前言：在后疫情時(shí)代，物流行業(yè)已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)新的階段。伴隨著(zhù)“直播”“電商”行業(yè)的崛起，線(xiàn)上購買(mǎi)并快遞至家成為了生活中不可或缺的購物模式。與此同時(shí)，依托于智慧物流的蓬勃發(fā)展，一只包裹從寄出到收貨，看似簡(jiǎn)單，實(shí)則歷經(jīng)了一系列“奇幻”的旅程。 智慧物流-包裹“漂流記”智慧物流是指通過(guò)智能硬件、物聯(lián)網(wǎng)、大數據等智慧化技術(shù)與手段，提高物流系統分析決策和智能執行的能力，提升整個(gè)物流系統的智能化、自動(dòng)化水平。與傳統物流方式不同，智慧物流的生產(chǎn)者、供應者、消費者均可獲得包裝、倉儲、運輸、配送的全流程及各時(shí)段的
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殺入新能源汽車(chē)市場(chǎng)的GaN，勝算幾何？
- 在電力電子應用中，為了滿(mǎn)足更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開(kāi)啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門(mén)。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著(zhù)許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長(cháng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應用實(shí)現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
UnitedSiC（現為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(cháng)的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實(shí)現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應用的痛點(diǎn)
- 和傳統的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著(zhù)更高的電壓能力、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來(lái)新興的半導體材料。但他們也存在著(zhù)各自不同的特性，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，GaN 的開(kāi)關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數極小，開(kāi)關(guān)速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動(dòng)汽車(chē)的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車(chē)載充電）、低功率開(kāi)關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛星發(fā)射器和通用射頻放大
- 關(guān)鍵字： 202207 東芝 共源共柵 GaN
Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標準TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴大SuperGaN平臺的優(yōu)勢
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場(chǎng)效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過(guò)了J
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