nv6115 文章 進(jìn)入nv6115技術(shù)社區

基于Navitas NV6115的150W電源解決方案

• 傳統的功率半導體被設計用來(lái)提升系統的效率以及減少能量損失?？墒菍?shí)際上，出于兩個(gè)方面的原因-傳導和開(kāi)關(guān)切換，設備可能會(huì )出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術(shù)，其改善開(kāi)關(guān)切換的延遲時(shí)間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅動(dòng)器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實(shí)現許多軟開(kāi)關(guān)拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
• 關(guān)鍵字： NAVITAS  NV6115  NV6117  GAN