基于Navitas NV6115的150W電源解決方案

傳統的功率半導體被設計用來(lái)提升系統的效率以及減少能量損失?？墒菍?shí)際上，出于兩個(gè)方面的原因-傳導和開(kāi)關(guān)切換，設備可能會(huì )出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術(shù)，其改善開(kāi)關(guān)切換的延遲時(shí)間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅動(dòng)器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實(shí)現許多軟開(kāi)關(guān)拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。

該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵功率芯片 并且搭配 ONSEMI 半導體的 LLC 驅動(dòng)器NCP13992與 同步整流驅動(dòng)芯片NCP4306，其中 PFC驅動(dòng)為NCP1615 。本電源解決方案為輸入85-260VAC 輸出 DC19.5V/7.69A，其簡(jiǎn)化布局并減少外部組件數，采用跳周期模式提升輕載能效，并集成一系列保護特性以提升系統可靠性。這150W 方案的體積為 103mm x 55mm x 17mm ，這個(gè)體積尺寸是市面上其他方案的2/3。本方案的PFC 采用開(kāi)關(guān)頻率為100~200KHz / LLC采用開(kāi)關(guān)頻率為270KHz，并且在滿(mǎn)負載又不需要外加風(fēng)扇去散熱的情況下其轉換效率高于95.2%。用于工業(yè)電源大功率電源系統應用，可顯著(zhù)實(shí)現輕載和滿(mǎn)載時(shí)的高能效及超低待機能耗。

?場(chǎng)景應用圖

?產(chǎn)品實(shí)體圖

?展示板照片

?方案方塊圖

?核心技術(shù)優(yōu)勢

· 無(wú)輔助電源, 快速啟動(dòng)

· X2 電容放電功能

· 輸入功率因數 接近0.99

· 低電源&過(guò)載保護

· 溫度保護功能

· Dimension 103*55*17 96CC

· 功率密度為1.56 W/cc

· 輸出滿(mǎn)載功率下的最高效率為95.2%

· 空載損耗為135mW

?方案規格

· 輸入：AC90 – 265 V;

· 輸出：19.5 Vdc / 7.69 A 功率150 W ，紋波< 120 mV；

· 待機功耗小于135MW；