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Qorvo 助力簡(jiǎn)化 GaN PA 偏置

移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計，可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET，運行時(shí)需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統中，需要以特定的順序進(jìn)行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負柵極電壓，以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內置可配置
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學(xué)貫中西(8)：從GAN領(lǐng)悟人機協(xié)同創(chuàng )新之道

1 回顧：GAN里的兩個(gè)角色在上一期里，詳細介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的兩個(gè)角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。其中的生成者，又稱(chēng)為創(chuàng )新者，而判別者又稱(chēng)為鑒賞者。在常見(jiàn)的圖像繪畫(huà)領(lǐng)域，其典型的協(xié)同創(chuàng )新模式是： G( 創(chuàng )新者 ) 負責創(chuàng )作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一張圖像的真或假，然后引領(lǐng) G 逐步改進(jìn)，止于完美逼近目標。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng )新模式，屬于 AI 機器與機器之間的協(xié)同合作或創(chuàng )新。然而，在 AI 科技不斷
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EPC開(kāi)拓"GaN Talk支持論壇"平臺

宜普電源轉換公司（EPC）新推線(xiàn)上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應用現狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術(shù)的應用現狀和發(fā)展趨勢。該論壇專(zhuān)為工程師、工程專(zhuān)業(yè)學(xué)生和所有氮化鎵技術(shù)愛(ài)好者而設，為用戶(hù)答疑解難和提供互相交流的平臺。提問(wèn)可以用主題類(lèi)別、熱門(mén)話(huà)題或最新帖子搜索。除了提問(wèn)外，用戶(hù)還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問(wèn)和反饋。此外，
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貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類(lèi)電源應用提供更好的支持

提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)UnitedSiC（現已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線(xiàn)架構中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽(yáng)能逆變器等應用。?貿澤電子分銷(xiāo)的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
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毫米波技術(shù)需要高度線(xiàn)性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

5G 通信正在改變我們的生活，同時(shí)也在促進(jìn)產(chǎn)業(yè)數字化轉型，為工業(yè)、汽車(chē)和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應用想象空間與市場(chǎng)機會(huì )，例如實(shí)現創(chuàng )建人與機器人和諧共存的環(huán)境，高質(zhì)量醫療，并且加速實(shí)現安全的自動(dòng)駕駛汽車(chē)，等等?！?打造未來(lái)智能工廠(chǎng)——5G 無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )可以幫助工廠(chǎng)實(shí)現更高的可靠性，例如縮短延遲時(shí)間、提高生產(chǎn)效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動(dòng)，并降低事故風(fēng)險?！?提供高質(zhì)量的醫療服務(wù)——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實(shí)施遠程監測，進(jìn)行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
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第三代半導體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級

5G 受到追捧是有充足的理由的。根據CCS Insight 的預測，到2023 年，5G 用戶(hù)數量將達10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎設施將承載近15％的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線(xiàn)性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個(gè)第三代半導體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開(kāi)始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開(kāi)關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應用，涵蓋移動(dòng)通信、無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)微波通
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TI：運用GaN技術(shù)可提升數據中心的能源效率

德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶(hù)充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實(shí)現更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數據中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實(shí)現更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數據中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著(zhù)各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導者期盼透過(guò)數據中心實(shí)現技術(shù)創(chuàng )新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶(hù)充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實(shí)現更高的功率密度和效率。他也強調，
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學(xué)貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)

1? ?GAN與NFT的結合在上一期里，我們說(shuō)明了天字第一號模型：分類(lèi)器。接著(zhù)本期就來(lái)看看它的一項有趣應用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網(wǎng)絡(luò ))。自從2014 年問(wèn)世以來(lái)，GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領(lǐng)域，就開(kāi)始涌現了許多極具吸引力的創(chuàng )作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫(huà)筆，使用GAN 進(jìn)行創(chuàng )作特別令人振奮，常常創(chuàng )作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺(jué)，例如圖1。?圖1近年來(lái)，非同質(zhì)化代幣NFT(
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UnitedSiC(現已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET

移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
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UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET

移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
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射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇

　　當世界繼續努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時(shí)，信息通信技術(shù)的能耗繼續飆升。這些市場(chǎng)需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò )性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規模MIMO（mMIMO）系統的推動(dòng)下，基站無(wú)線(xiàn)電中的半導體器件數量急劇增加，移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )運營(yíng)商在降低資本支出和運營(yíng)支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡(luò )的安裝和
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從手機快充到電動(dòng)汽車(chē)，氮化鎵功率半導體潛力無(wú)限

　　近期，蘋(píng)果“爆料大神”郭明錤透露，蘋(píng)果可能年某個(gè)時(shí)候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時(shí)采用新的外觀(guān)設計?！　∨c三星、小米、OPPO等廠(chǎng)商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋(píng)果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋(píng)果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋(píng)果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價(jià)729元。圖片來(lái)源：蘋(píng)果　　如今，蘋(píng)果有望持續加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場(chǎng)有望迎來(lái)高歌猛進(jìn)式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場(chǎng)規模將達1
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氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰

EETOP編譯整理自techinsights　　在處理氮化鎵（GaN）時(shí)，與硅(Si)相比，還有兩個(gè)額外的考慮因素可以?xún)?yōu)化器件性能?！　∮捎贕aN/AlGaN異質(zhì)結界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開(kāi)關(guān)的潛力?！　〉壍膶嵝韵鄬^差。(在300K時(shí)約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K)　　雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結周?chē)囊粋€(gè)小區域。漸進(jìn)式的改進(jìn)　　雖然不理想，但傳統的硅封裝可以而且已
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氮化鎵集成方案如何提高功率密度

　　氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器和電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電站等設計得以實(shí)施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅動(dòng)更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實(shí)現的性能，使得使用GaN元件進(jìn)行設計時(shí)，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰?！　aN場(chǎng)效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類(lèi)型，并且每種都具有各自的
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意法半導體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設計

意法半導體 VIPerGaN50能夠簡(jiǎn)化最高50 W的單開(kāi)關(guān)反激式功率變換器設計，并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開(kāi)關(guān)拓撲，集成很多功能，包括內置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用于高開(kāi)關(guān)頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進(jìn)的高能效開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)，可顯著(zhù)減少外圍元器件的數量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
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