格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片
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時(shí)間：2022-10-19
來(lái)源：全球半導體觀(guān)察整理
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據外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠(chǎng)商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬(wàn)美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠(chǎng)研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202210/439313.htm這些芯片被用于智能手機、射頻無(wú)線(xiàn)基礎設施、電動(dòng)汽車(chē)、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱(chēng)，電動(dòng)汽車(chē)的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來(lái)需求。
格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。
Caulfield在一份聲明中表示，“有了這筆新的聯(lián)邦資金，以及在2023年聯(lián)邦預算中可能獲得的進(jìn)一步支持，GF完全有能力在佛蒙特州成為氮化鎵芯片制造的全球領(lǐng)導者?！?br/>
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