新思科技與中芯國際推出DesignWare USB 2.0 nanoPHY

　　全球半導體設計制造軟件和知識產(chǎn)權領(lǐng)先企業(yè)新思科技有限公司和全球領(lǐng)先的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司今天宣布開(kāi)始提供用于中芯國際65納米(nanometer)低漏電(Low Leakage)工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗證的和獲得USB標志認證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權(IP)。作為一家提供包括控制器、PHY和驗證IP等USB2.0接口完整IP解決方案的領(lǐng)先供應商，新思科技繼續致力于通過(guò)提供高品質(zhì)IP助力設計人員降低集成風(fēng)險，這些IP具備了驗證過(guò)的互操作性，并與標準規范設計兼容。

　　DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專(zhuān)為各種高市場(chǎng)容量移動(dòng)和消費電子應用而設計的，這些應用的關(guān)鍵要求包括要實(shí)現面積最小、低動(dòng)態(tài)和泄漏功耗等特性。此外，DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP內建了調整電路，可支持快速的、芯片加工后的調整，以應對意外的芯片/電路板寄生或工藝變化，而無(wú)需用戶(hù)對現有設計進(jìn)行修改。這一特性使得設計人員能夠提高良品率，并最大限度地降低昂貴的芯片改版成本。

　　“新思科技經(jīng)過(guò)硅驗證的DesignWare USB2.0 nanoPHY IP與中芯國際的低漏電65nm工藝技術(shù)相互融合，使得我們雙方的客戶(hù)能夠容易地將先進(jìn)功能集成到可幫助他們滿(mǎn)足低功耗要求、實(shí)現關(guān)鍵上市時(shí)間目標和快速投入量產(chǎn)的工藝中，”中芯國際高級副總裁兼首席業(yè)務(wù)官季克非表示，“近來(lái)，客戶(hù)充分利用中芯國際65納米低漏電工藝和新思科技USB2.0 nanoPHY IP在硅晶片領(lǐng)域大獲成功，這讓我們信心倍增。我們將加強與新思科技的戰略和協(xié)同關(guān)系，利用我們業(yè)內領(lǐng)先的集成、功率效率和性?xún)r(jià)比，為我們的客戶(hù)提供明顯領(lǐng)先的優(yōu)勢。我們期待著(zhù)與新思科技一如既往地開(kāi)展持續合作，并向更先進(jìn)的工藝制程邁進(jìn)。”

　　“隨著(zhù)新思科技面向SMIC 65 nm LL 工藝技術(shù)的高品質(zhì)DesignWare USB2.0 nanoPHY的上市，我們將繼續向設計人員提供他們滿(mǎn)足當今制造工藝要求所需的知識產(chǎn)權，”新思科技解決方案集團營(yíng)銷(xiāo)副總裁John Koeter表示，“我們通過(guò)與中芯國際合作，在其65 nm低漏電工藝中對我們的USB 2.0 nanoPHY IP進(jìn)行硅驗證。這種做法為我們的客戶(hù)提供了成熟的、經(jīng)過(guò)認證的IP解決方案，使他們能夠在集成DesignWare IP的過(guò)程中降低所面臨的風(fēng)險，并加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。”