2016年整體DRAM需求預估成長(cháng)23%

　　2015年受到需求面不振、持續供過(guò)于求的影響，DRAM價(jià)格呈現顯著(zhù)衰退，尤其以標準型記憶體最為明顯。TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，在寡占市場(chǎng)型態(tài)下，雖然小幅供過(guò)于求且價(jià)格持續下滑，各供應商生產(chǎn)仍保持紀律，未有明顯新增產(chǎn)能，因此延續2013年與2014年態(tài)勢，今年DRAM各廠(chǎng)仍維持全面獲利。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2016年雖然受惠于來(lái)自智慧型手機及伺服器的需求影響，單機搭載容量會(huì )有顯著(zhù)提升，各項終端產(chǎn)品仍難有爆發(fā)性的發(fā)展。DRAMeXchange預估2016年整體DRAM需求成長(cháng)率約為23%，供給位元成長(cháng)約為25%。市場(chǎng)仍維持小幅供過(guò)于求，DRAM單價(jià)持續下滑，各家獲利能力將大幅取決于制程轉進(jìn)所造成的成本下降以及產(chǎn)品組合的調配。

　　2016年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢分析如下：

　　年度位元產(chǎn)出來(lái)自20奈米制程轉進(jìn)，晶圓投片量大約持平

　　吳雅婷表示，DRAM屬寡占市場(chǎng)型態(tài)，各供應商在產(chǎn)能的擴張上皆有所節制，相較仍處于完全競爭的市場(chǎng)型態(tài)的NAND Flash健康許多。2016年的位元產(chǎn)出主要是來(lái)自于SK海力士(Hynix)與美光半導體(Micron) 20/21奈米的轉進(jìn)，晶圓產(chǎn)能上，除三星(Samsung)的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠(chǎng)M14會(huì )陸續啟用之外，2016年DRAM總投片量與2015年呈現持平。

　　DDR4正式取代DDR3成為市場(chǎng)主流

　　隨著(zhù)市場(chǎng)需求轉變以及20奈米逐漸成熟，DDR4的生產(chǎn)比例越來(lái)越高。2015年由于英特爾(Intel)平臺支援度的問(wèn)題，DDR4的導入主要發(fā)生在伺服器端，并且已經(jīng)率先在第四季取代DDR3成為主流。DRAMeXchange預估，個(gè)人電腦/筆記型電腦端由新平臺Skylake開(kāi)始采用DDR4，將會(huì )在2016年第二季起放量，成為主流解決方案。

　　行動(dòng)式記憶體與伺服器記憶體生產(chǎn)比重持續提升

　　智慧型手機受惠于20nm制程產(chǎn)出的LPDDR4普及度越來(lái)越高，高階旗艦機種(除Apple以外)以3GB/4GB為標準規格。吳雅婷指出，2016年第二季起就會(huì )有單機DRAM搭載容量上達6GB的機種問(wèn)市，大幅增加行動(dòng)式記憶體的需求動(dòng)能。伺服器記憶體亦然，受惠于20nm制程產(chǎn)出的DDR4普及度升高，在高容量32GB/64GB模組成本降低，促使廠(chǎng)商策略性調降價(jià)格以刺激需求，有助于伺服器記憶體生產(chǎn)比重提升。

　　中國進(jìn)軍DRAM意圖仍在，但進(jìn)入門(mén)檻高，難有進(jìn)展

　　吳雅婷進(jìn)一步表示，與NAND Flash較為混亂的市場(chǎng)態(tài)勢相較，DRAM市場(chǎng)三強鼎立的狀態(tài)結構穩固，引進(jìn)新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過(guò)于求，因此三強與中國合作可能性低，使得中國欲進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)的困難度遠高過(guò)其他半導體產(chǎn)品類(lèi)別。