DRAM價(jià)格跌　上季全球產(chǎn)值掉9%

　　DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統計報告，受到DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下降及市況持續供過(guò)于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋(píng)果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預期更佳，但由于各DRAM廠(chǎng)制程轉進(jìn)，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉進(jìn)20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續增加，使得當季DRAM價(jià)格持續下修。

　　三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營(yíng)收下跌9.7%至47.6億美元，但市占率仍達46.4%。

　　SK海力士營(yíng)收下滑9.3%到28.7億美元，市占率27.9%，位居全球第2。

　　美光則是3大廠(chǎng)衰退幅度最大者，季衰退達10.5%，市占率18.9%。美光受到技術(shù)轉進(jìn)落后沖擊，與SK海力士已產(chǎn)生競爭差距。

　　此外，兩大韓系廠(chǎng)的營(yíng)業(yè)獲利率與上季相比呈現小幅衰退，三星與SK海力士分別為43%與32%;美光下滑則較為明顯，由去年第3季的14.8%，下滑至第4季約8.5%。吳雅婷表示，如果DRAM價(jià)格持續下滑，美光將在今年第2季面臨成本保衛戰。

　　三星20奈米比重持續攀升，且良率表現高于競爭對手，為3大廠(chǎng)商中成本最低，預定于今年中導入18奈米制程，成本降低有望更進(jìn)一步。

　　SK海力士去年第4季正式導入21奈米制程，整體投片量將于今年第1季逐步放大，加上新廠(chǎng)M14啟用，讓SK海力士成為新增產(chǎn)能最多的DRAM廠(chǎng)。

　　美光在去年第4季大幅轉進(jìn)20奈米制程，唯良率仍有待提升，今年上半年預定導入16奈米制程，但于同樣制程下產(chǎn)出仍與韓系廠(chǎng)商有一定程度差距，成本降低并未如外界想像優(yōu)異。

　　臺系廠(chǎng)中，南亞科(2408)30奈米微縮制程產(chǎn)出持續增加，加上投片小幅提升，即使受利基型記憶體價(jià)格下跌沖擊，南亞科營(yíng)收僅小幅下滑1.8%。

　　華邦電受惠于車(chē)用電子開(kāi)花結果及工規記憶體的需求不錯，去年第4季營(yíng)收小幅成長(cháng)2.4%，明2017年預計進(jìn)入30奈米世代，正式擺脫近年來(lái)無(wú)新制程可用的窘境。

　　力晶科技受到LCD驅動(dòng)IC訂單滑落，為維持產(chǎn)能利用率，空閑皆轉而生產(chǎn)標準型記憶體，讓營(yíng)收大幅成長(cháng)10.6%。力晶目前正小量轉入25奈米制程，有助成本降低。