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賽靈思Kintex-7 FPGA DDR3接口性能演示

利用FPGA解決TMS320C54K與SDRAM的接口問(wèn)題

  • 在DSP應用系統中，需要大量外擴存儲器的情況經(jīng)常遇到。例如，在數碼相機和攝像機中，為了將現場(chǎng)拍攝的諸多圖...
  • 關(guān)鍵字： FPGA  TMS320C54K  SDRAM  

PDMA在測試SDRAM控制器中的應用

  • PDMA在測試SDRAM控制器中的應用,我們設計了一個(gè)PDMA（Programmable Direct Mem o ry Access）用于測試SDRAM控制器的性能。在SoC中，SDRAM控制器往往跟多個(gè)IP模塊（圖形處理單元，音頻處理單元等）交換數據，采用多個(gè)PDMA通道同時(shí)訪(fǎng)問(wèn)Memory可以真實(shí)
  • 關(guān)鍵字： 應用  控制器  SDRAM  測試  PDMA  

電源設計技巧：DDR內存電源

  • CMOS邏輯系統的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源...
  • 關(guān)鍵字： 電源設計  DDR  內存電源  

電源設計小貼士 41：DDR 內存電源

  • CMOS 邏輯系統的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度，允許系統時(shí)鐘頻
  • 關(guān)鍵字： 電源  內存  設計  DDR  

基于VHDL的SDRAM接口設計

  • 基于VHDL的SDRAM接口設計,RAM通常用于數據和程序的緩存,隨著(zhù)半導體工業(yè)的發(fā)展，RAM獲得了飛速的發(fā)展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動(dòng)態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動(dòng)態(tài)RAM)，RAM的容量越來(lái)越大、速度越來(lái)越高，可以說(shuō)存
  • 關(guān)鍵字： 設計  接口  SDRAM  VHDL  基于  

深入研究DDR電源

  • DDR存儲器的發(fā)展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數據(可能是計算機、服務(wù)器或游戲系統)的應用中都要求 ...
  • 關(guān)鍵字： DDR  電源  

使用Xilinx的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

  • 目前廣泛使用的計算機內存芯片是DDR(雙倍數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經(jīng)可以...
  • 關(guān)鍵字： DDR  測試  

使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

  • 使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB，在生成控制模塊時(shí)設置不同參數，可以輕而易舉的實(shí)現對不同型號的DDR存儲芯片的測試，數據率可高達800Mb/s以上。由于時(shí)間利用率比使用計算機主板測試DDR芯片高得多，所以可以極大地節約測試時(shí)間。
  • 關(guān)鍵字： Xilinx  FPGA  DDR  201109  

SDRAM接口時(shí)序和PCB布線(xiàn)長(cháng)度的分析

  • 隨著(zhù)系統復雜度的提高，SDRAM的運行速度也越來(lái)越快，對PCB布線(xiàn)帶來(lái)了影響，僅僅使用一些經(jīng)驗法則來(lái)設計SDRAM走線(xiàn)并不能完全保證系統的穩定。不同的芯片有不同的時(shí)序要求，對走線(xiàn)的要求也是有差別，需要從理論上分析SDRAM時(shí)序和PCB走線(xiàn)長(cháng)度之間的關(guān)系。
  • 關(guān)鍵字： SDRAM  PCB  201109  

便攜設備訪(fǎng)問(wèn)片外SDRAM的低功耗設計研究

  • DSP有限的片內存儲器容量往往使得設計人員感到捉襟見(jiàn)肘，特別是在數字圖像處理、語(yǔ)音處理等應用場(chǎng)合，需要有高...
  • 關(guān)鍵字： SDRAM  低功耗  

高速圖像處理系統中DDR2-SDRAM接口的設計

  • 摘要：為了滿(mǎn)足高速圖像處理系統中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設計方法，提出一種基于VHDL語(yǔ)言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對高速圖像處理系統中的具體情況，在Xilinx的ML506開(kāi)發(fā)
  • 關(guān)鍵字： 接口  設計  DDR2-SDRAM  理系  圖像  處理  高速  

爾必達采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開(kāi)始供貨

  • 　　爾必達存儲器宣布，開(kāi)始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個(gè)2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個(gè)接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術(shù)實(shí)現32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據爾必達介紹，與采用引線(xiàn)鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節省
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  SDRAM  

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制，提供更好的讀寫(xiě)速度，以適應高清播放和高清監控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
    關(guān)鍵詞：DDR NAN
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式  接口  設計  高性能  閃存  DDR  NAND  基于  

DDR SDRAM在高速數據采集系統中的應用

  • 在數據處理中為了更好地對被測對象進(jìn)行處理和分析，研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數據采集系統的研究上 由于A(yíng)／D芯片及高性能的FPGA的出現，已經(jīng)可以實(shí)現高速高精度的數據處理，則
  • 關(guān)鍵字： SDRAM  DDR  高速數據  采集系統    
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ddr-sdram介紹

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