爾必達采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開(kāi)始供貨

　　爾必達存儲器宣布，開(kāi)始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個(gè)2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個(gè)接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術(shù)實(shí)現32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據爾必達介紹，與采用引線(xiàn)鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節省耗電量、實(shí)現小型化和薄型化。

　　據爾必達介紹，如果采用此次的封裝產(chǎn)品，與SO-DIMM相比工作時(shí)的耗電量可削減約20%，待機時(shí)和更新時(shí)均可削減約50%。封裝面積方面，配備 2GB(16Gbit)時(shí)，SO-DIMM為67.6mm×30.0mm，此次配備兩個(gè)11.0mm×15.0mm的封裝即可。由此，封裝面積可削減約 70%。另外，還具有可省去DIMM槽、削減封裝高度等優(yōu)點(diǎn)。耗電量降低、封裝面積減小的原因是，采用TSV后用來(lái)連接芯片的布線(xiàn)長(cháng)度會(huì )變短。據爾必達介紹，布線(xiàn)長(cháng)度變短后，寄生電阻和寄生容量會(huì )降低，從而可以削減耗電量，還可以減小布線(xiàn)所需要的封裝面積。

　　爾必達存儲器正在發(fā)力制造以智能手機和平板終端為代表的移動(dòng)產(chǎn)品中使用的DRAM。作為其中一個(gè)環(huán)節，爾必達一直在大力開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)，這是一項削減移動(dòng)產(chǎn)品用DRAM耗電量和封裝面積的重要技術(shù)。此次樣品供貨采用TSV、32bit輸入輸出的8Gbit DR3 SDRAM，也是為了順應這一發(fā)展趨勢。