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ddr-sdram 文章 進(jìn)入ddr-sdram技術(shù)社區
茂德、鈺創(chuàng )攜手進(jìn)軍SDRAM
- 臺系DRAM廠(chǎng)陸續啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線(xiàn)策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng )進(jìn)行結盟，將在中科12寸晶圓廠(chǎng)為鈺創(chuàng )代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費性電子市場(chǎng)重要里程碑，對鈺創(chuàng )而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。 2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢(mèng)達(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識到太過(guò)執著(zhù)于標準型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開(kāi)始，陸續傳出DRAM廠(chǎng)開(kāi)始布局非標準型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、
- 關(guān)鍵字： Qimonda DRAM SDRAM
力晶王其國：DRAM制程難度提升 摩爾定律放緩
- 力晶總經(jīng)理王其國表示，目前12寸晶圓廠(chǎng)不論在標準型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅動(dòng)IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當吃緊，未來(lái)DRAM業(yè)者在轉制程和蓋新廠(chǎng)上，會(huì )因為財務(wù)問(wèn)題而放緩腳步，因此短期內不擔心供過(guò)于求的問(wèn)題，尤其是相當看好智能型手機(Smart Phone)對于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級的應用，對于未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當正面。 王其國表示，過(guò)去摩爾定律認為每隔18個(gè)月晶圓產(chǎn)出數量可多出1倍，但未來(lái)隨著(zhù)DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達成，加上現在轉進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 力晶 SDRAM DRAM
三星跳電 存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠(chǎng)24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現供貨排擠效應。 三星器興廠(chǎng)發(fā)生停電意外，在啟動(dòng)不斷電系統 (UPS)后，1小時(shí)內便恢復運作，估計此事件對公司營(yíng)運影響不大。 存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠(chǎng)區
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
中芯國際全面停止DRAM芯片生產(chǎn) 臺灣廠(chǎng)商受惠
- 上海芯片代工廠(chǎng)中芯國際自新任CEO王寧國掌權后，包括中芯本身、武漢廠(chǎng)新芯、成都廠(chǎng)成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。 由于中芯過(guò)去兩年以SDRAM填補產(chǎn)能，成為國內消費性電子產(chǎn)品及家電市場(chǎng)SDRAM最大供應商，此次停產(chǎn)后導致市場(chǎng)供貨短缺效應逐步發(fā)酵，128Mb及256Mb x32規格SDRAM現貨價(jià)近日飆出新天價(jià)，臺灣地區SDRAM供應商受惠最大。 中芯這兩年因SDRAM月投片產(chǎn)能維持在2萬(wàn)片8吋芯片規模，在大陸消費性電子及家電市場(chǎng)，擁有超過(guò)30%的市場(chǎng)占有率，
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 芯片代工 SDRAM
365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂
- 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價(jià)還在0.5美元，當時(shí)生產(chǎn)成本還在2美元，可見(jiàn)虧損有多嚴重，各廠(chǎng)只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問(wèn)題延伸至臺、美、日DRAM廠(chǎng)大整合階段，也演變成國與國之間的戰爭。但到了年底，DRAM廠(chǎng)又開(kāi)始生龍活虎起來(lái)，中間歷程看似短短 365天，但個(gè)中辛酸DRAM廠(chǎng)冷暖自知，未來(lái)各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進(jìn)在通往天堂的路上。 365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺幣1億元、每1季虧損超過(guò)百億元的DRAM
- 關(guān)鍵字： Microsoft DRAM DDR
泰克為DDR測試和驗證解決方案系列增加兩項新功能
- 泰克公司日前宣布增強和升級其業(yè)界領(lǐng)先的DDR測試和驗證解決方案系列。用于泰克TLA7000系列邏輯分析儀的新型內插器為工程師提供了最新DDR3-1867標準的總線(xiàn)捕捉和分析功能。新型內插器大大降低了TLA7000系列的DDR3測試成本，使存儲器總線(xiàn)捕捉功能能為更多的設計人員所使用。泰克同時(shí)還為DDR標準最新的節能版LP-DDR2推出業(yè)內第一款電氣接口測試和驗證解決方案。這些新功能完善了泰克全面而廣泛的DDR存儲器解決方案，為驗證和改善工程師的設計提供幫助。 DDR3-1867是最新一代雙倍數
- 關(guān)鍵字： 泰克 DDR TLA7000
Hynix40nm 2Gb DDR3內存芯片通過(guò)Intel驗證
- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品通過(guò)了Intel的認證，Hynix并稱(chēng)將開(kāi)始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱(chēng)面向服務(wù)器應用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。 這次通過(guò)驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條)，驗證時(shí)的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 Hynix宣稱(chēng)
- 關(guān)鍵字： Hynix 40nm SDRAM 50nm
實(shí)時(shí)視頻采集系統的SDRAM控制器設計
- 描述了一種在PAL→VGA的實(shí)時(shí)視頻采集系統中圖像數據處理的方法。針對實(shí)時(shí)視頻采集系統一般使用2片SDRAM進(jìn)行乒乓緩存的方式，給出一種使用一片SDRAM的不同BANK進(jìn)行乒乓操作的相對容易實(shí)現的SDRAM控制器設計方法。該方法通過(guò)充分利用SDRAM的切換BANK存取操作并采用指令計數的方式進(jìn)行讀寫(xiě)狀態(tài)轉換，在PAL→VGA實(shí)時(shí)視頻采集系統中實(shí)現了利用一片SDRAM進(jìn)行圖像緩存。它在實(shí)時(shí)視頻采集系統中圖像數據處理方面，具有良好的應用價(jià)值。
- 關(guān)鍵字： 控制器 設計 SDRAM 系統 視頻 采集 實(shí)時(shí)
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