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爾必達宣布40nm制程2Gb DDR3內存芯片開(kāi)發(fā)完成
- 爾必達公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內存芯片的研發(fā)工作，今年11月份這種芯片將進(jìn)入送樣階段，年底前則可實(shí)現正式批量供貨。據爾必達公司表示，這種新芯片的面積更小，總體良品率 方面也比過(guò)去的50nm制程DDR3產(chǎn)品提升44%，而1.6Gbps數據傳輸率的產(chǎn)品良率更可達100%。 比較舊有的50nm制程產(chǎn)品，新40nm 2Gb DDR3內存驅動(dòng)電流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的較低工作電壓，同時(shí)也可以在DDR3標準的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的
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6月全球芯片設備訂單出貨比突破1，DDR3 SDRAM開(kāi)始發(fā)力
- 市場(chǎng)調研公司VLSI Research指出，6月全球半導體設備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。 VLSI Research的數據顯示，6月全球芯片設備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。6月全球設備訂單額達25億美元，較5月增長(cháng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(cháng)31%，達24億美元，但較去年6月減少57%。 VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現了一些積極的趨勢。后端設備供應商預計將獲得一次強勁增長(cháng)，后端工廠(chǎng)產(chǎn)能利用率正在快速增長(cháng)
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VLSI Research：6月全球芯片設備訂單出貨比突破1
- 市場(chǎng)調研公司VLSI Research指出，6月全球半導體設備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。 VLSI Research的數據顯示，6月全球芯片設備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。 6月全球設備訂單額達25億美元，較5月增長(cháng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(cháng)31%，達24億美元，但較去年6月減少57%。 VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現了一些積極的趨勢。 后端設備供應商預計將獲得一次強勁增長(cháng)，后端工廠(chǎng)產(chǎn)能利
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嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統中SDRAM控制器的實(shí)現
- 嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統中SDRAM控制器的實(shí)現,介紹一種用于嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統的SDRAM控制器的實(shí)現方案。根據實(shí)時(shí)系統對數據傳輸速率及連續性的要求，將SDRAM配置為全頁(yè)突發(fā)操作模式，并采用異步FIFO作為FPGA與SDRAM間的數據緩沖器。為配合SDRAM的全頁(yè)操作模式，并充分利用其高速讀寫(xiě)性能，將FIFO設計為基于乒乓操作的流水線(xiàn)結構，實(shí)現了數據的無(wú)縫緩存。將該方案用于實(shí)時(shí)紅外熱成像系統，經(jīng)實(shí)驗結果表明，該SDRAM控制器執行效率高，占用資源少，可移植性強。
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恒憶與三星電子共同合作開(kāi)發(fā) PCM
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規格，此新一代存儲技術(shù)可滿(mǎn)足載有大量?jì)热莺蛿祿脚_的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動(dòng)應用、嵌入式系統*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡(jiǎn)化設計流程并縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，使制造商能在短時(shí)間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 相較于
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
泰克推出第三代經(jīng)過(guò)驗證的DDR分析軟件產(chǎn)品
- 全球領(lǐng)先的測試、測量和監測儀器提供商--泰克公司日前宣布，為DPO/DSA70000B系列和DPO7000系列示波器推出第三代經(jīng)過(guò)驗證的DDR分析軟件產(chǎn)品(DDRA選件)。泰克DDR測試解決方案支持DDR、DDR2、DDR3、LP-DDR和GDDR3的全部速度，同時(shí)覆蓋了物理層和數字域。泰克公司還為DDR3存儲器設計推出一套新的擁有Nexus Technology技術(shù)的球柵陣列(BGA)元件內插器(Interposers)，改善了連接能力。泰克系列邏輯分析儀、示波器和探測系統共同構成了DDR設計和測試
- 關(guān)鍵字： tektronix 示波器 DPO/DSA70000B DPO7000 DDR
DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設計(08-100)
- DDR2(Double Data Rate 2，兩倍數據速率，版本2) SDRAM，是由JEDEC標準組織開(kāi)發(fā)的基于DDR SDRAM的升級存儲技術(shù)。 相對于DDR SDRAM，雖然其仍然保持了一個(gè)時(shí)鐘周期完成兩次數據傳輸的特性，但DDR2 SDRAM在數據傳輸率、延時(shí)、功耗等方面都有了顯著(zhù)提高，而這些性能的提高，主要來(lái)源于以下技術(shù)的提升：ODT，Post CAS，4n數據預取，封裝等。
- 關(guān)鍵字： 思科 DDR2 SDRAM
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