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Soitec半導體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國創(chuàng )新藍圖
- 全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國Soitec半導體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會(huì )中介紹了該公司在中國市場(chǎng)的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統。與會(huì )發(fā)言人包括Soitec公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展部高級副總裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數字電子商務(wù)部高級副總裁Christophe Maleville。會(huì )上主要討論的問(wèn)題包括該技術(shù)是否適合各代工廠(chǎng)及應用設計師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國半導體行業(yè)及
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三星發(fā)飆：半導體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半
- 蘋(píng)果(Apple)宣布以182萬(wàn)美元從美信半導體(Maxim Integrated)買(mǎi)下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠(chǎng)。專(zhuān)家分析認為，此舉并不會(huì )影響與蘋(píng)果合作的晶圓代工廠(chǎng)生意。 據SemiWiki報導指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋(píng)果買(mǎi)下的晶圓廠(chǎng)于1987年建立，即使全面開(kāi)工每月也只能生產(chǎn)1萬(wàn)片晶圓，規模相對小且老舊，無(wú)法生產(chǎn)蘋(píng)果所需的應用處理器(AP)。 蘋(píng)果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開(kāi)發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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手機鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI
- DIGITIMES Research觀(guān)察，大陸半導體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱(chēng)Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì )關(guān)鍵晶圓片底材供應商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線(xiàn)，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線(xiàn)，估與手
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統
- 今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開(kāi)放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過(guò)去七年來(lái)我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對他們來(lái)說(shuō)，我們的排程應該不是什么秘密。” Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng )新園區的核心地帶 不過(guò)，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
- 關(guān)鍵字： FD-SOI 物聯(lián)網(wǎng)
哪些半導體公司會(huì )成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？
- 美國時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實(shí)現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內看好，因為無(wú)論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
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格羅方德半導體推出業(yè)內首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺
- 格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿(mǎn)足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò )市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。 雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無(wú)線(xiàn)設備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實(shí)現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內看好，因為無(wú)論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！
- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀(guān)念里，半導體業(yè)者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠(chǎng)，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶(hù)，有越來(lái)越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點(diǎn)采用
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FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點(diǎn)？
- 身為記者，我有時(shí)候會(huì )需要經(jīng)過(guò)一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(shí)(random facts)、推特文章、研討會(huì )/座談會(huì )資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線(xiàn)索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一個(gè)例子。 我從美國旅行到中國接著(zhù)又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過(guò)程中，發(fā)現FD-SOI從一個(gè)不容易了解的名詞，逐漸變得越來(lái)越“有形”。關(guān)于這個(gè)技術(shù)，我在最近這幾個(gè)星期所收集到的隨機
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華虹半導體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn)，助力LED照明騰飛
- 華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統稱(chēng)「集團」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經(jīng)成功實(shí)現量產(chǎn)，良率超過(guò)98%，達到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉換器和LED照明等綠色能源的應用，具有業(yè)內領(lǐng)先的低導通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn)，可為客戶(hù)提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶(hù)在該平臺量產(chǎn)，各項指標均達到或超過(guò)客戶(hù)要求。 在全球節能環(huán)保的大趨勢下，LED綠色照明已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展期。據相關(guān)機構統計，
- 關(guān)鍵字： 華虹半導體 BCD
華虹半導體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn) 助力LED照明騰飛
- 香港, 2015年4月22日 - (亞太商訊) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)── 華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統稱(chēng)「集團」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經(jīng)成功實(shí)現量產(chǎn)，良率超過(guò)98%，達到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉換器和LED照明等綠色能源的應用，具有業(yè)內領(lǐng)先的低導通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn)，可為客戶(hù)提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶(hù)在該平臺量產(chǎn)，各項指標均達到或超過(guò)客戶(hù)
- 關(guān)鍵字： 華虹 BCD
Peregrine半導體公司在大中華市場(chǎng)推出UltraCMOS? 單片相位幅度控制器
- Peregrine半導體公司是射頻 SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的奠基者和先進(jìn)射頻解決方案的先驅?zhuān)荚诖笾腥A市場(chǎng)推出該公司的新系列UltraCMOS?單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產(chǎn)品中集成了一個(gè)90度混合分離器、移相器、數字步進(jìn)衰減器以及一個(gè)數字SPI接口，全部做在一塊芯片上。與多芯片的砷化鎵(GaAs)解決方案比較，這種單片射頻控制器的線(xiàn)性度高，隔離性能好，能夠控制很大的功率，相位調諧靈活性極強，對于兩路動(dòng)態(tài)負載調制放大器結構，例如多爾蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射頻控制方案
- 關(guān)鍵字： Peregrine SOI MPAC
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對bcd-on-soi的理解，并與今后在此搜索bcd-on-soi的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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