哪些半導體公司會(huì )成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

　　美國時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實(shí)現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。

　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內看好，因為無(wú)論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm 索性直接借用三星的。 盡管如此，GF 22nm FD-SOI工藝也是有一些獨特優(yōu)勢的，雖然無(wú)法制造高性能芯片，但也很適合移動(dòng)計算、IoT物聯(lián)網(wǎng)、射頻聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò )基礎架構等領(lǐng)域。

　　GlobalFoundries宣稱(chēng)，該工藝功耗比28nm HKMG降低了70%，芯片面積比28nm Bulk縮小了20%，光刻層比FinFET工藝減少接近50%，芯片成本比16/14nm低了20%，而且功耗超低，電壓可以做到業(yè)界最低的0.4V， 并可通過(guò)軟件控制晶體管電壓，還集成了RF射頻，功耗降低最多50%。

　　甚至，它可以提供類(lèi)似FinFET工藝的性能。

　　哪些半導體公司會(huì )成為22nm FD-SOI的嘗鮮者呢?

　　GF 22nm FD-SOI工藝將于2016年下半年在德國德累斯頓工廠(chǎng)投產(chǎn)，為此已投資2.5億美元。ARM、Imagination、意法半導體、飛思卡爾、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表達了支持，將會(huì )采納。

　　意法半導體CEO Jean-Marc Chery表示：GLOBALFOUNDRIES的FDX平臺，使用的先進(jìn)FD-SOI晶體管結構是我們長(cháng)期的合作研究而來(lái)的，能滿(mǎn)足IoT對always-on和低功耗的需求，以及其它功耗敏感的設備的需求。

　　飛思卡爾的MCU group VP Ron Martino表示：飛思卡爾的下一代i.MX系列應用程序處理器利用FD-SOI工藝實(shí)現低功耗。GLOBALFOUNDRIES 22FDX平臺將FD-SOI擴展到28nm以下，對成本和功耗都帶來(lái)顯著(zhù)優(yōu)化。

　　ARM物理設計部總經(jīng)理Will Abbey表示： 我們正在與GLOBALFOUNDRIES密切合作,提供客戶(hù)所需的IP生態(tài)系統，幫助他們從22FDX技術(shù)中獲益。

　　VeriSilicon總裁兼首席執行官戴偉民表示：VeriSilicon已經(jīng)擁有利用FD-SOI技術(shù)實(shí)現IoT SoC的經(jīng)驗，我們已經(jīng)通過(guò)FD-SOI實(shí)現超低功耗的應用。我們期待與GLOBALFOUNDRIES在22FDX繼續合作。

　　Imagination Technologies營(yíng)銷(xiāo)副總裁Tony King-Smith指出：GLOBALFOUNDRIES的22FDX與Imagination的廣泛IP組合結合后會(huì )賦予我們共同的客戶(hù)更多創(chuàng )新設計，這些IP包括PowerVR多媒體、MIPS CPU和Ensigma通信。

　　IBS公司創(chuàng )始人兼首席執行官Handel Jones 表示，FD-SOI技術(shù)可以提供一個(gè)多節點(diǎn)、低成本方案，GLOBALFOUNDRIES 的22FDX在一個(gè)低成本平臺上實(shí)現了FD-SOI技術(shù)的最低功耗。

　　CEA-Leti公司首席執行官Marie-Noelle Semeria 表示，只需要對現有設計和制造方法進(jìn)行微小調整，FD-SOI就能顯著(zhù)改善性能和功耗。我們可以共同為相關(guān)技術(shù)提供易用的設計和制造技術(shù)。

　　“Soitec首席執行官Paul Boudre表示，對下一代的低功耗電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)關(guān)鍵的里程碑。作為GLOBALFOUNDRIES的戰略合作伙伴，我們的超薄SOI襯底已經(jīng)準備好應對22FDX技術(shù)量產(chǎn)。