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臺積電推出0.25微米車(chē)用一次性可編程存儲器硅知識產(chǎn)權
- 臺積電今日宣布，推出通過(guò)美國汽車(chē)電子協(xié)會(huì )(Automotive Electronic Council, AEC)AEC-Q100產(chǎn)品規格驗證標準的0.25微米車(chē)用一次性可編程存儲器(One-time-programmable) 硅知識產(chǎn)權。 此一硅知識產(chǎn)權與TSMC的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝、混合信號/模擬(Mixed signal/analog)工藝以及標準CMOS邏輯工藝完全相容，因此無(wú)需額外增加其他工藝步驟，提供車(chē)用電源管理及模擬產(chǎn)品系統單芯片制造一個(gè)理想的選擇。
- 關(guān)鍵字： 臺積電 BCD 存儲器
華潤上華在北京舉辦工藝技術(shù)培訓
- 華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)主辦、北京集成電路設計園協(xié)辦的“2010 CSMC 工藝培訓(北京)”在北京舉行，有百余位主要來(lái)自北京的IC設計公司、大學(xué)、研究所的IC 設計人員和業(yè)務(wù)主管繞有興趣地參加了培訓和討論。此次培訓是繼去年華潤上華在京舉辦“共贏(yíng)中國半導體應用市場(chǎng)研討會(huì )”后，應聽(tīng)眾的反響和要求而開(kāi)辦的。 根據聽(tīng)眾欲更多了解華潤上華的工藝及特點(diǎn)，為其產(chǎn)品尋找低成本、高效率的工藝解決方案的需求，華潤上華精心準備了針對
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基于A(yíng)P3768的高效率超低待機功耗的手機充電器解決方案
- 近年來(lái)，節能環(huán)保理念的深入人心，對半導體IC設計和應用也提出了更高的要求。2008年11月，五大手機制造商諾基亞、三星、索尼愛(ài)立信、摩托羅拉和LG電子聯(lián)合發(fā)布了手機充電器的五星級標準。新的分級制度將以零到五顆星的標志圖案來(lái)區分待機能耗。例如，待機功耗小于或等于30mW的手機充電器屬于最高星級，在其標簽上印有五顆星。相反，如果待機功耗≤500mW，則充電器標簽上將無(wú)任何星級標記。為適應手機充電器的技術(shù)革新和發(fā)展，新進(jìn)半導體制造有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)BCD半導體)于近期推出一種新的電源控制芯片AP3768，
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Dialog與臺積電攜手開(kāi)發(fā)適用于電源管理芯片的BCD工藝
- 領(lǐng)先業(yè)界的高整合創(chuàng )新電源管理半導體解決方案提供業(yè)者－德商Dialog半導體公司與TSMC 23日共同宣布，雙方正密切合作，為移動(dòng)產(chǎn)品的高效能電源管理芯片量身打造BCD（Bipolar–CMOS -DMOS）工藝技術(shù)。 此0.25微米高壓工藝技術(shù)世代能將各種高電壓功能有效整合在單一電源管理芯片中，因而增加成本效益，同時(shí)擴大Dialog公司解決方案的潛在市場(chǎng)。 Dialog公司下一世代電源管理芯片的重要特點(diǎn)之一，就是將更高電壓與更有效的元件予以整合，因此得以開(kāi)發(fā)出更小尺寸、更節能的芯片；這些芯
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TSMC推出高整合度LED驅動(dòng)集成電路工藝
- TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶(hù)生產(chǎn)高電壓之整合LED驅動(dòng)集成電路產(chǎn)品。 此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車(chē)用照明等，且工藝橫跨0.6微米至0.18微米等多個(gè)世代，并有數個(gè)數字核心模組可供選擇，適合不同的數字控制電路閘密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘試制服務(wù)，支援0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證。
- 關(guān)鍵字： TSMC BCD LED驅動(dòng)
ARM發(fā)布45納米SOI測試結果，最高節能40%
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會(huì )上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統的體效應工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節省的可能性。這一測試芯片是基于A(yíng)RM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實(shí)了在為高性能消費設備和移動(dòng)應用設計低功耗處理器時(shí)，SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術(shù)。
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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數
- 在最近召開(kāi)的GSA會(huì )議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱(chēng)其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時(shí)會(huì )在這個(gè)會(huì )議上展示其最新的制造設備。 據稱(chēng)目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進(jìn)入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過(guò)按AMD原來(lái)的計劃，32nm SOI制程將在2
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Soitec第一季度銷(xiāo)售額環(huán)比增長(cháng)22.3%
- 法國SOI技術(shù)公司Soitec公布2009-2010財年第一季度銷(xiāo)售額為4390萬(wàn)歐元(約合6190萬(wàn)美元)，環(huán)比增長(cháng)22.3%，同比減少27.2%。 6月，Soitec在收到了主要客戶(hù)的急單之后，大幅上調了第一財季的預期，預測第一季度銷(xiāo)售額環(huán)比增長(cháng)20%。 第一季度，Soitec稱(chēng)晶圓銷(xiāo)售收入為4110萬(wàn)歐元(約合5790萬(wàn)美元)，環(huán)比增長(cháng)30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額，環(huán)比增長(cháng)35%。
- 關(guān)鍵字： SOI 晶圓
Global Foundries挖角為新廠(chǎng)Fab2鋪路
- Global Foundries再度展開(kāi)挖角，繼建置布局營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)、設計服務(wù)團隊之后，這次延攬建廠(chǎng)、廠(chǎng)務(wù)人才并將目標鎖定半導體設備商，Global Foundries預計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫(huà)中，這次延攬的Norm Armour原屬設備龍頭應用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠(chǎng)營(yíng)運干部，兩人都熟稔晶圓廠(chǎng)設備系統與IBM技術(shù)平臺。 Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 晶圓 半導體設備 SOI
Global Foundries志在英特爾 臺廠(chǎng)不是主要對手
- Global Foundries制造系統與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專(zhuān)攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來(lái)將持續延攬來(lái)自各界半導體好手加入壯大軍容，同時(shí)他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數轉進(jìn)40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領(lǐng)域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實(shí)對準英特爾(Intel)。 競爭對手臺積電45/40
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 40納米 晶圓代工 SOI
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