華虹半導體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn)，助力LED照明騰飛

　　華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統稱(chēng)「集團」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經(jīng)成功實(shí)現量產(chǎn)，良率超過(guò)98%，達到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉換器和LED照明等綠色能源的應用，具有業(yè)內領(lǐng)先的低導通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn)，可為客戶(hù)提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶(hù)在該平臺量產(chǎn)，各項指標均達到或超過(guò)客戶(hù)要求。

　　在全球節能環(huán)保的大趨勢下，LED綠色照明已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展期。據相關(guān)機構統計，LED照明集成電路市場(chǎng)預期將由2013年的7億美元增至2020年的15 億美元，年復合增長(cháng)率為11.8%。尤其是，中國LED照明的市場(chǎng)滲透率目前僅20%-30%，可見(jiàn)未來(lái)市場(chǎng)規模巨大。華虹半導體新一代0.5微米700V BCD工藝是基于2013年第一代1微米700V BCD工藝升級開(kāi)發(fā)而成，在保持原有1P1M(1層Poly，1層Metal)最少版次12塊的低成本優(yōu)勢基礎上，進(jìn)一步集成7.5V CMOS和20V/40V的中壓LDMOS以及高壓200V/300V/400V/500V/600V/650V/700V的功率LDMOS，豐富了超高壓電壓系列選擇，以滿(mǎn)足不同電壓應用需求。該解決方案可為啟動(dòng)電路提供差異化的結型場(chǎng)效應管(JFET)及高壓電阻器件，還可提供雙極器件晶體管(VPNP/LNPN)、高精度電阻和電容、低溫度系數齊納二極管等豐富的可選器件，極大地方便客戶(hù)設計開(kāi)發(fā)使用。同時(shí)該工藝解決方案優(yōu)化了高壓器件模塊的設計規則，特別針對超高壓器件特征導通電阻進(jìn)行改良，其核心的700V DMOS器件特征導通電阻達到國際領(lǐng)先水平。

　　華虹半導體憑借經(jīng)驗豐富的IP設計和測試團隊，能夠向客戶(hù)提供多種高壓功率模塊IP，并且可完全根據客戶(hù)需求調整定制IP，從而降低客戶(hù)設計難度和成本，縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，幫助客戶(hù)快速占領(lǐng)市場(chǎng)先機。

　　華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：「華虹半導體超高壓700V BCD技術(shù)迎合了節能環(huán)保熱點(diǎn)，此工藝平臺所支持的高壓小電流LED 照明驅動(dòng)應用市場(chǎng)發(fā)展前景十分廣闊。我們將繼續增強應用于LED照明的先進(jìn)差異化工藝技術(shù)組合，制造高性能、低成本的LED驅動(dòng)IC。展望未來(lái)，我們將拓展先進(jìn)的電源管理平臺，為客戶(hù)提供一整套具成本效益的解決方案?！?/p>