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華虹半導體推出0.2微米射頻SOI工藝設計工具包
- 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)-華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統稱(chēng)「集團」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設計工具包(Process Design Kit，PDK)。這標志著(zhù)新的0.2微米射頻SOI工藝平臺已成功通過(guò)驗證，并正式投入供客戶(hù)設計開(kāi)發(fā)使用。工藝設計工具包(PDK)的推出可協(xié)助客戶(hù)快速完成高質(zhì)量射頻器件的設計與流片。 華虹半導體的0.2微米SOI工藝平臺是專(zhuān)為無(wú)線(xiàn)射頻前端開(kāi)關(guān)應用優(yōu)化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
- 關(guān)鍵字： 華虹半導體 SOI
意法半導體(ST)發(fā)布2013年企業(yè)可持續發(fā)展報告
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體公布了2013年可持續發(fā)展報告(Sustainability Report)。意法半導體連續17年公布可持續發(fā)展報告。報告內容全面地介紹意法半導體在2013年實(shí)施的可持續發(fā)展戰略、政策和業(yè)績(jì)，并例證了可持續發(fā)展計劃如何在企業(yè)經(jīng)營(yíng)中發(fā)揮重要作用，為所有的利益相關(guān)者創(chuàng )造價(jià)值。 意法半導體公司總裁兼首席執行官Carlo Bozotti表示：“意法半導體在很早之前就認識到了可持續發(fā)展的重要性，20年來(lái)，可持續發(fā)展已成為意法半導體核心戰略的
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 FD-SOI 可持續發(fā)展
東芝推出智能手機專(zhuān)用射頻天線(xiàn)開(kāi)關(guān)
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布開(kāi)發(fā)出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線(xiàn)開(kāi)關(guān)，其插入損耗堪稱(chēng)智能手機市場(chǎng)業(yè)界最低，尺寸堪稱(chēng)業(yè)界最小。該產(chǎn)品即日起交付樣品。
- 關(guān)鍵字： 東芝 射頻天線(xiàn) SOI
BCD推出多款LED驅動(dòng)電源解決方案
- 近期，BCD半導體制造有限公司（BCDSemi）針對LED驅動(dòng)電源的特殊要求，推出了一系列高性?xún)r(jià)比、覆蓋中小功率應用...
- 關(guān)鍵字： BCD LED 驅動(dòng)電源
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm
- 在一場(chǎng)近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì )上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現在直接跳過(guò)了20nm節點(diǎn)，直接往14nm、接著(zhù)是10nm發(fā)展。 根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì )議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
- 關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠(chǎng)即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠(chǎng)投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導體以28納米技術(shù)節點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰，滿(mǎn)足多媒體和便攜應用市場(chǎng)的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過(guò)硅驗證的設計平臺和設
- 關(guān)鍵字： ST 晶圓 FD-SOI
華潤上華第二代200V SOI工藝實(shí)現量產(chǎn)
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性?xún)r(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤上華在2010年實(shí)現量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性?xún)r(jià)比，這在國內尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據市場(chǎng)需求持續開(kāi)發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的SOI工藝技術(shù)能力。
- 關(guān)鍵字： 華潤微電子 半導體 SOI
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