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AP3012的應用
- AP3012是BCD公司發(fā)布的內部含有1.5MHz的固定頻率振蕩器，具有電流模式的PWM DC/DC轉換器，并具有內部過(guò)壓保護OVP功能，其開(kāi)關(guān)電流達到500mA，外形為SOT23-5封裝。 1、AP3012的性能參數： 輸入電壓范圍：2.6~16V； 關(guān)斷電流：1uA； 靜態(tài)電流：3.5mA； 開(kāi)關(guān)電流：500mA； 開(kāi)關(guān)頻率：1.5MHz； 過(guò)壓保護電壓：29V； 軟啟動(dòng)時(shí)間：550uS； 反饋檢測電壓：1.25V，反饋端輸入
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) AP3012 BCD 模擬IC 電源
BCD半導體推出雙路LDO穩壓器–AP2401
- BCD半導體（BCD Semiconductor Manufacturing Limited）日前宣布推出新系列的高性能雙路LDO(低壓差穩壓器)- AP2401，該芯片具有高紋波抑制比，低壓差，低噪聲，高輸出電壓精度，電流消耗小等特性，因此能很好的適用于各種電池供電的設備中。通過(guò)電路使能端，可以獨立地開(kāi)啟/關(guān)閉該電路任一通道的輸出，極大地降低功耗。 AP2401系列產(chǎn)品是以CMOS工藝制造的雙路正向電壓LDO穩壓器。該電路內置一個(gè)電壓基準源，兩個(gè)誤差放大器，兩個(gè)電阻網(wǎng)絡(luò )設置輸出電壓。每一個(gè)通道
- 關(guān)鍵字： AP2401 BCD 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙路LDO穩壓器
BCD推出高壓霍爾開(kāi)關(guān)電路AH278
- 日前，BCD半導體制造有限公司推出了一款集成霍爾傳感器、具有高壓和大電流輸出驅動(dòng)能力的霍爾開(kāi)關(guān)電路——AH278。該款芯片用于直流無(wú)刷馬達的電子切換，主要應用在12V/24V 雙線(xiàn)圈無(wú)刷 DC 馬達或風(fēng)扇上，具有高壓、大電流和適合高溫工作的特點(diǎn)。用該IC生產(chǎn)的馬達或風(fēng)扇主要應用在電源和配電盤(pán)，通訊設施和工業(yè)設備等領(lǐng)域。 AH278的特殊設計和工藝技術(shù)可使它在寬電源電壓范圍內工作。其內部不僅有包括用于磁性檢測的霍爾電壓傳感器， 霍爾電壓放大器， 抑制開(kāi)關(guān)遲滯
- 關(guān)鍵字： BCD 電源技術(shù) 霍爾開(kāi)關(guān)
BCD半導體推出5A LDO調節器
- BCD 半導體宣布推出 AZ1084 系列低壓差正向電壓穩壓器，在負載電流為 5A 時(shí)最大壓差是1.5V。AZ1084 適用于高效線(xiàn)性穩壓器，可用于電池充電器，開(kāi)關(guān)電源后級調整以及用作為微處理器電源，桌上計算機和嵌入式處理器電源。 該產(chǎn)品內置基準電壓源和電流限制電路, 具有優(yōu)秀的線(xiàn)路調整率和負載調整率。 這一系列產(chǎn)品還具有片上溫度限制特性。當電路過(guò)載或環(huán)境溫度太高引起結溫過(guò)高時(shí)可以保護電路不受損害。 AZ1084&
- 關(guān)鍵字： 5A BCD LDO調節器 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
投資10億美元 BCD芯片項目落戶(hù)上?？茖W(xué)園
- 投資總額１０億美元的上海力芯集成電路制造有限公司２８日在上海紫竹科學(xué)園區正式開(kāi)工興建。 上海力芯集成電路制造有限公司是BCD半導體控股公司獨資設立的芯片企業(yè)，注冊資金３.３４億美元，占地３５０畝，包括晶圓廠(chǎng)、測試封裝廠(chǎng)和研發(fā)中心。據BCD半導體控股公司董事長(cháng)張國威介紹，力芯集成電路將建設功率、模擬和數?；旌霞呻娐樊a(chǎn)品的設計研發(fā)中心和前、后道生產(chǎn)線(xiàn)，形成８英寸、
- 關(guān)鍵字： BCD
SOI(絕緣體上硅)的采用日趨活躍
- 2004年5月A版 目前，越來(lái)越多的公司在采用SOI(絕緣體上硅)作為半導體生產(chǎn)的材料。在3月上海舉行的SEMICON China期間，法國Soitec公司COO(首席運營(yíng)官)Pascal Mauberger先生介紹了近期SOI的發(fā)展動(dòng)向。 SOI市場(chǎng)與應用 “摩爾定律長(cháng)盛不衰，主要歸功于尺寸越來(lái)越小，90年代以前這主要靠設備供應商與IC供應商的努力?！?Mauberger話(huà)鋒一轉，“但由于材料供應商的崛起，特別是由于工程基板或工程材料的技術(shù)進(jìn)步，實(shí)際材料已進(jìn)入了這個(gè)等式，形成了與設備賞、I
- 關(guān)鍵字： SOI 半導體材料
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