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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著(zhù) TLC 產(chǎn)品的主流應用開(kāi)始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動(dòng)，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續推出完整的TLC儲存解決方案，預估今年TLC產(chǎn)出比重將持續攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，由于成本較具優(yōu)勢，過(guò)去TLC廣泛應用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
- 關(guān)鍵字： TLC NAND
性?xún)r(jià)比優(yōu)勢更明顯 TLC NAND應用版圖急擴張
- 三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性?xún)r(jià)比較過(guò)去大幅提高，因而激勵消費性固態(tài)硬碟制造商擴大采用比例。 三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場(chǎng)滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著(zhù)制程演進(jìn)而持續下滑，各種終端應用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續成長(cháng)。 在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
- 關(guān)鍵字： 三星 TLC NAND
EMC：新技術(shù)沖擊導致傳統業(yè)務(wù)節節敗退
- 由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統SAN驅動(dòng)器陣列銷(xiāo)售衰退的趨勢已然出現，與此同時(shí)超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業(yè)務(wù)則及時(shí)趕上，填補了這部分市場(chǎng)空間。 William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰略論壇大會(huì )，并以郵件的形式向客戶(hù)發(fā)布了此次會(huì )議的內容總結。 EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調查數據，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統市場(chǎng)的復合年均營(yíng)收(目前為260億美元)將實(shí)現3%增幅。在此期間，“傳統獨立混合系
- 關(guān)鍵字： EMC NAND
大陸手機市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費量陡升
- 中國大陸智能型手機的高成長(cháng)，使得內存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash
3D NAND堆疊競爭鳴槍 SK海力士、東芝苦追三星
- 為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統獨大市場(chǎng)，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導體大廠(chǎng)也正加速展開(kāi)相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。 據ET News報導，NAND Flash的2D平面微細制程，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現象等問(wèn)題，已進(jìn)入瓶頸。主要半導體大廠(chǎng)轉而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導體業(yè)界的技術(shù)競爭焦點(diǎn)從制程微細化，轉變?yōu)榇怪倍?/li>
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
美光開(kāi)放日：引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲潮流
- 近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發(fā)展如何幫助實(shí)現未來(lái)互聯(lián)世界”為主題的“美光開(kāi)放日”活動(dòng)。美光科技高層與業(yè)內專(zhuān)家、學(xué)者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見(jiàn)解和創(chuàng )新解決方案，探討和展望未來(lái)行業(yè)發(fā)展趨勢。 美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類(lèi)型解決方案的廠(chǎng)商，占據整個(gè)存儲器22%以上的市場(chǎng)份額，穩居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò )建設、機器對機器、移動(dòng)設備、云和大數據五大應用領(lǐng)域，提供全球最廣泛的存儲產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態(tài)硬盤(pán)、NA
- 關(guān)鍵字： 美光 存儲器 NAND 201503
美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟
- 希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設立一結合兩家公司創(chuàng )新與專(zhuān)業(yè)技術(shù)之架構。在此協(xié)議的架構基礎上，雙方客戶(hù)能夠同時(shí)受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲存解決方案，進(jìn)而更快速且有效率地實(shí)現創(chuàng )新。 盡管在合作初期，美光與希捷將著(zhù)重于下個(gè)世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預期這項長(cháng)達數年的結盟協(xié)議在未來(lái)將有機會(huì )發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級儲存解決
- 關(guān)鍵字： 美光 希捷 NAND
半導體市場(chǎng)今年迎向高規格之爭
- 2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規格半導體之爭蓄勢待發(fā);行動(dòng)應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加，被視為半導體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)新動(dòng)能。 據韓媒亞洲經(jīng)濟的報導，智慧型手機的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND Flash LPDDR4
NAND閃存下一步指向3D架構14納米
- 存儲是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一，它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會(huì )需要存儲芯片。近年來(lái)，存儲芯片行業(yè)熱點(diǎn)話(huà)題不斷：3D NAND的生產(chǎn)制造進(jìn)展情況如何?LPDDR4在市場(chǎng)上的應用進(jìn)程是怎樣的?移動(dòng)產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術(shù)發(fā)展的路徑或許會(huì )爭論不休，但是整體方面卻不會(huì )改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節能以及更低的成本。 2015年手機存儲市場(chǎng) 著(zhù)眼用戶(hù)體驗提升 目前業(yè)界對于2015年中國智能手機市場(chǎng)走勢的預測很多，總的觀(guān)點(diǎn)是增長(cháng)率放緩。當
- 關(guān)鍵字： NAND 14納米
2014年Q4品牌NAND供應商營(yíng)收僅成長(cháng)2%
- 根據市場(chǎng)研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷(xiāo)端的壓力影響營(yíng)收、及第三 季呈現微幅衰退的情況下，品牌供應商營(yíng)收僅較第三季成長(cháng)2%至87.5億美元。 DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015年第一季整體市況將轉為供過(guò)于求，在價(jià)格滑落幅度轉趨明顯的情況下
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾 三星
淡季影響銷(xiāo)售，NAND Flash 供應商 Q1 將供過(guò)于求
- 根據 TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷(xiāo)端的壓力影響營(yíng)收、及第三季呈現微幅衰退的情況下，品牌供應商營(yíng)收僅較第三季成長(cháng) 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015 年第一季整體市況將轉為供過(guò)于求，在價(jià)格滑落幅度轉趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉進(jìn)，改善成本架構，以減低價(jià)格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星 東芝
國際大廠(chǎng)找Mobile RAM貨源 敲開(kāi)與臺廠(chǎng)合作大門(mén)
- 存儲器廠(chǎng)持續在eMCP(eMMC結合MCP封裝)領(lǐng)域擴大進(jìn)擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來(lái)臺尋找移動(dòng)式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長(cháng)約或包下產(chǎn)能，顯示國際存儲器大廠(chǎng)亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開(kāi)與臺廠(chǎng)合作大門(mén)。 半導體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導下，智能型手機內建存儲器規格從eMMC轉為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年?yáng)|芝??新帝陣營(yíng)將展開(kāi)大反撲。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Mobile RAM
NAND Flash價(jià)格續滑 難擺脫供給過(guò)剩困境
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應量持續增加，造成價(jià)格連續兩個(gè)月下滑，業(yè)界預期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。 根據韓媒DigitalTimes報導，由于USB、硬碟與記憶卡市場(chǎng)進(jìn)入淡季，加上庫存堆積，導致NAND Flash價(jià)格走滑，市場(chǎng)供給過(guò)剩情況恐持續到農歷春節。業(yè)界認為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星
無(wú)線(xiàn)應用成2015半導體市場(chǎng)最大增長(cháng)動(dòng)力
- 2015年全球半導體行業(yè)收入預計將達3580億美元，較2014年增長(cháng)5.4%，但仍然低于之前5.8%的增長(cháng)預期。 半導體市場(chǎng)的增長(cháng)動(dòng)力包括智能手機專(zhuān)用標準電路ASSP，以及超移動(dòng)PC和固態(tài)硬盤(pán)中使用的DRAM和NAND閃存芯片。 “由于DRAM恢復傳統的降價(jià)方式，而整個(gè)行業(yè)需要消耗假期的過(guò)多庫存，因此2015年的半導體收入增長(cháng)可能較2014年的7.9%有所放緩?！睒I(yè)內人士認為，“由于供應短缺，DRAM價(jià)格在2014年基本保持堅挺，使之成為2014年增速最
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) DRAM NAND
群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠(chǎng)群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠(chǎng)宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬(wàn)元，取得宇瞻9.9%股權，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應用固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)。 群聯(lián)昨股價(jià)上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。 群聯(lián)斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權，成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長(cháng)潘健成。 本報系資料庫 分享 上述私募價(jià)格是采依過(guò)去30個(gè)交易日均價(jià)31
- 關(guān)鍵字： 群聯(lián) 宇瞻 NAND Flash
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
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