EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
Flash廠(chǎng)力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問(wèn)世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著(zhù)下滑，吸引固態(tài)硬碟開(kāi)發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價(jià)格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著(zhù)突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠(chǎng)及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠(chǎng)，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
分析師：NAND第三季可望擺脫供過(guò)于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及 2015年度蘋(píng)果(Apple)新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季擺脫供過(guò)于求，轉為供需較為平衡的格局。 從供給面來(lái)觀(guān)察，雖然各家NAND Flash廠(chǎng)商陸續宣布3D-NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統端搭配的相容性問(wèn)題，DRAMeXchange預估2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND
研調：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過(guò)于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋(píng)果新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季將擺脫供過(guò)于求，轉為供需較為平衡的格局。 從供給面觀(guān)察，雖然各家NAND Flash廠(chǎng)商陸續宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統端搭配的相容性問(wèn)題，DRAMeXchange預估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND Flash
2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距
- 在存儲器芯片市場(chǎng)上，垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 據韓國MT News報導，2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規模預估將擴大10倍，而除目前獨占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導體廠(chǎng)加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場(chǎng)，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結構，增加到48層。 外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類(lèi)，V-N
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著(zhù)突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠(chǎng)及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠(chǎng)，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)價(jià)格媲美傳統硬碟的產(chǎn)品，驅動(dòng)SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性?xún)Υ媸袌?chǎng)出貨量翻揚。 慧榮科技產(chǎn)品企畫(huà)處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長(cháng)一倍以上，主要因素在于SSD開(kāi)發(fā)商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD
存儲器價(jià)格波動(dòng)大 業(yè)界穩定機制受關(guān)注
- 在經(jīng)歷多次市場(chǎng)價(jià)格的大起大落后，全球存儲器芯片產(chǎn)業(yè)終于在近年來(lái)邁向整合，使得定價(jià)漸趨穩定。不過(guò)，近來(lái)存儲器大廠(chǎng)新帝(SanDisk)接連2季下修預測數據，并歸因于快閃存儲器的價(jià)格下滑，引發(fā)外界質(zhì)疑新興的穩定機制是否為曇花一現的假象，又或現狀僅是個(gè)別公司所遭遇的瓶頸。 據Barron's Asia報導指出，眼下雖然存儲器芯片價(jià)格有所衰退，但許多專(zhuān)家仍對整體產(chǎn)業(yè)抱持樂(lè )觀(guān)態(tài)度，認為與2014年積弱不振的表現相比，快閃存儲器的市場(chǎng)供需平衡現已漸入佳境，多數問(wèn)題的發(fā)生恐是因公司而異，并非普遍的業(yè)界趨勢。
- 關(guān)鍵字： 存儲器 3D NAND
3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著(zhù)突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠(chǎng)及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠(chǎng)，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)價(jià)格媲美傳統硬碟的產(chǎn)品，驅動(dòng)SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性?xún)Υ媸袌?chǎng)出貨量翻揚。 慧榮科技產(chǎn)品企畫(huà)處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長(cháng)一倍以上，主要因素在于SSD開(kāi)發(fā)商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD
NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！
- 2014年NAND flash銷(xiāo)售數據出爐，IHS報告稱(chēng)，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷(xiāo)售皆有成長(cháng)，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產(chǎn)品出包遭蘋(píng)果召回，市占和業(yè)績(jì)雙雙下滑。 BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱(chēng)，三星電子穩居NAND flash老大，去年銷(xiāo)售年增4%至90.84億美元，市占率成長(cháng)0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷(xiāo)售也大減將近3億美元。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND flash
Stifel：3D NAND技術(shù)看起來(lái)很美好 但成本會(huì )持續多年居高不下
- 近年來(lái)，固態(tài)硬盤(pán)似乎已經(jīng)成為了計算機的標配。而隨著(zhù)SSD的普及，人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲空間，制造商們正在想著(zhù)3D NAND技術(shù)前進(jìn)。與傳統的平面式(2D)設計相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來(lái)更顯著(zhù)的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場(chǎng)研究公司卻發(fā)現：為了實(shí)現這一點(diǎn)，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無(wú)法在多年的生產(chǎn)和銷(xiāo)售后減退多少。 ? 影響利潤的一個(gè)主要原因是，3D NAND芯片的生產(chǎn)，比以往要復雜得
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD
閃存容量突破性進(jìn)展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開(kāi)發(fā)而成，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類(lèi)NAND技術(shù)高達三倍的存儲設備。該技術(shù)可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進(jìn)而帶來(lái)很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿(mǎn)足眾多消費類(lèi)移動(dòng)設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴展極限
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
閃存容量突破性進(jìn)展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開(kāi)發(fā)而成，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類(lèi)NAND技術(shù)高達三倍的存儲設備。該技術(shù)可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進(jìn)而帶來(lái)很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿(mǎn)足眾多消費類(lèi)移動(dòng)設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 ? 當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴展極限
- 關(guān)鍵字： 英特爾 鎂光 3D NAND
東芝：智社會(huì ) 人為本，我做到了
- 雖然東芝的宣傳口號是“智社會(huì ) 人為本，以科技應人之求”，但2015慕尼黑上海電子展上，仔細觀(guān)看東芝強大產(chǎn)品陣容之后，我倒更愿意用“半導體技術(shù)溫暖你的心”來(lái)形容它。因為東芝的很多設計確實(shí)很貼心，真的可以讓生活更加方便快捷。 東芝電子亞洲有限公司副董事長(cháng)野村尚司說(shuō)，中國市場(chǎng)大體上有兩種產(chǎn)品需求，一是以量?jì)r(jià)為中心的產(chǎn)品，另一種是以提高附加值為中心的產(chǎn)品。東芝有非常寬廣的產(chǎn)品線(xiàn)來(lái)滿(mǎn)足以上兩種市場(chǎng)的需求。 東芝展位 存儲產(chǎn)品解決方案 東
- 關(guān)鍵字： 東芝 LED NAND
閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司近日宣布成功開(kāi)發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱(chēng)為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠(chǎng)內投入試生產(chǎn)，于2016年進(jìn)行規?；虡I(yè)生產(chǎn)。 閃迪存儲技術(shù)部執行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構，與我們的合作伙伴T(mén)oshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D NAND技術(shù)為基礎，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開(kāi)發(fā);我們相信，它將為我們的客戶(hù)提供讓人贊
- 關(guān)鍵字： 閃迪 NAND
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)電路
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)相關(guān)帖子
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)資料下載
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473