3D NAND堆疊競爭鳴槍　SK海力士、東芝苦追三星

　　為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統獨大市場(chǎng)，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導體大廠(chǎng)也正加速展開(kāi)相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。

　　據ET News報導，NAND Flash的2D平面微細制程，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現象等問(wèn)題，已進(jìn)入瓶頸。主要半導體大廠(chǎng)轉而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導體業(yè)界的技術(shù)競爭焦點(diǎn)從制程微細化，轉變?yōu)榇怪倍询B能力。

　　在3D NAND的發(fā)展方面，目前三星暫時(shí)領(lǐng)先。2014年三星完成32層Cell堆疊并投入量產(chǎn)，2015年下半將生產(chǎn)48層堆疊產(chǎn)品。同時(shí)，三星也計劃在2016年上半投入64層堆疊產(chǎn)品量產(chǎn)。三星的技術(shù)發(fā)展較其他競爭業(yè)者更快，在3D領(lǐng)域確保獨步全球的技術(shù)競爭力。

　　三星利用大陸西安工廠(chǎng)生產(chǎn)3D NAND，未來(lái)大容量固態(tài)硬碟(SSD)也將大部分以3D NAND制造。南韓業(yè)界認為，三星的3D NAND比重將從2015年的15%，在2016年提升到35%水準。

　　SK海力士2014年研發(fā)出24層堆疊的NAND Flash，并對部分客戶(hù)提供樣品，目前正在研發(fā)36、40層堆疊的產(chǎn)品。2015年將完成實(shí)驗產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)及生產(chǎn)性驗證，并于2016年初選定主力產(chǎn)品投入量產(chǎn)。

　　東芝和美光最快將在2015年底投入量產(chǎn)。兩大廠(chǎng)都已確保24層堆疊技術(shù)。2015年底或2016年初實(shí)際生產(chǎn)的產(chǎn)品，堆疊層數預估會(huì )是30~40層。3D NAND的核心競爭力在于面積相同Cell的堆疊層數。因在裝置上占的面積最小化，并確保更大的儲存容量。

　　即使采用同樣的制程技術(shù)，3D堆疊的芯片較2D在理論上寫(xiě)入速度快2倍、寫(xiě)入次數最大可提升到10倍，集成度也可提升2倍以上，而耗電量則減少一半耐用度也較2D產(chǎn)品優(yōu)越。

　　南韓業(yè)者表示，目前尚未知存儲器芯片堆疊技術(shù)的瓶頸，未來(lái)也有可能出現堆疊100層以上的設計。惟3D制程在蝕刻和蒸鍍的難易度較高，確保尖端設備變得非常重要。