性?xún)r(jià)比優(yōu)勢更明顯　TLC NAND應用版圖急擴張

　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性?xún)r(jià)比較過(guò)去大幅提高，因而激勵消費性固態(tài)硬碟制造商擴大采用比例。

　　三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場(chǎng)滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著(zhù)制程演進(jìn)而持續下滑，各種終端應用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續成長(cháng)。

　　在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND快閃記憶體中，又以TLC性?xún)r(jià)比最為人所注目，因而吸引原始設備/設計制造商(OEM/ODM)的目光，并增加采用TLC顆粒比例，促進(jìn)TLC NAND快閃記憶體應用版圖擴張。

　　控制晶片技術(shù)突破　TLC SSD傾巢而出

　　看好TLC在固態(tài)儲存市場(chǎng)的發(fā)展前景，慧榮科技發(fā)布新一代TLC控制晶片--SM2256，能大幅提升TLC NAND快閃記憶體高達三倍的寫(xiě)入/抹除次數(P/E Cycle)，解決其過(guò)去為人詬病的使用壽命和可靠度不佳等問(wèn)題，可望助力品牌廠(chǎng)加速推出高性?xún)r(jià)比的消費性TLC固態(tài)硬碟。

　　圖1　慧榮科技產(chǎn)品企劃部專(zhuān)案副理陳敏豪表示，藉由先進(jìn)的控制晶片技術(shù)，TLC固態(tài)硬碟的使用壽命及穩定度將大幅增加。

　　慧榮科技產(chǎn)品企劃部專(zhuān)案副理陳敏豪(圖1)表示，相較于SLC和MLC顆粒，TLC NAND快閃記憶體擁有顯著(zhù)的價(jià)格優(yōu)勢，單單比較TLC與MCL NAND市價(jià)，兩者價(jià)差約介于20~30%之間;而隨著(zhù)制程進(jìn)一步微縮，TLC NAND成本未來(lái)仍有下滑空間。

　　陳敏豪指出，雖然TLC顆粒具成本優(yōu)勢，但在使用壽命、速度、可靠性和錯誤率等方面卻為人詬病，須以先進(jìn)的控制晶片及大量的預留空間(Over-provisioning)來(lái)進(jìn)行糾錯及校準;也因此，目前僅有三星、新帝(SanDisk)兩家品牌廠(chǎng)在消費零售市場(chǎng)先后推出TLC固態(tài)硬碟。

　　為解決上述困境，慧榮科技推出新一代TLC NAND控制晶片--SM2256，提升TLC NAND三倍的寫(xiě)入/抹除次數，進(jìn)而延長(cháng)其使用壽命，使TLC固態(tài)硬碟更能兼具成本及效能優(yōu)勢。

　　陳敏豪解釋?zhuān)琋AND快閃記憶體的控制晶片向來(lái)系采用 BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)編碼進(jìn)行糾錯，而慧榮科技則轉而選用低密度奇偶修正碼(Low Density Parity Check Code, LDPC)及RAID修正方式，研發(fā)出獨有的“NANDXtend”錯誤修正技術(shù)。

　　據悉，“NANDXtend”技術(shù)可高速平行解碼且即時(shí)精準修正錯誤，并依糾錯的難易度來(lái)分層開(kāi)啟修正機制，有效增加TLC NAND的寫(xiě)入/抹除次數，解開(kāi)TLC NAND長(cháng)期以來(lái)讀寫(xiě)次數不理想的桎梏。

　　陳敏豪透露，目前SM2256已通過(guò)三家主要NAND快閃記憶體供應商--東芝(Toshiba)、三星、SK Hynix的測試，而采用慧榮科技控制晶片的TLC固態(tài)硬碟最快2015年第一季即可上市。

　　陳敏豪預測，2015年是TLC固態(tài)硬碟起飛元年，未來(lái)將會(huì )有更多廠(chǎng)商推出TLC固態(tài)硬碟，大舉搶攻消費零售市場(chǎng)，進(jìn)而瓜分三星、SanDisk市占。值得注意的是，除了消費零售市場(chǎng)外，PC-OEM業(yè)者也正密切關(guān)注TLC固態(tài)硬碟應用于桌上型電腦、筆記型電腦的可行性;因此，未來(lái)TLC固態(tài)硬碟更可望進(jìn)攻電腦市場(chǎng)，挑戰MLC固態(tài)硬碟的主流地位。

　　3D/TLC NAND齊頭并進(jìn)　Flash產(chǎn)業(yè)邁入轉捩點(diǎn)

　　根據TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究預估，2015年NAND快閃記憶體產(chǎn)值將較2014年成長(cháng)12%，市場(chǎng)規模約為276億美元。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2015年NAND快閃記憶體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入關(guān)鍵時(shí)刻。由于各家業(yè)者有志一同盡量降低產(chǎn)能增加速度，因此預估2015年總晶圓投片量年成長(cháng)率只有約8%。供給端發(fā)展重心將會(huì )放在15/16奈米的制程轉進(jìn)、3D NAND快閃記憶體的開(kāi)發(fā)，以及TLC產(chǎn)品應用的擴張。

　　據了解，三星(Samsung)已于2014年第四季順利量產(chǎn)3D NAND快閃記憶體并導入企業(yè)級固態(tài)硬碟產(chǎn)品，2015年更預計全面導入消費性固態(tài)硬碟中。

　　另一方面，英特爾(Intel)則在2015年的投資人會(huì )議中揭露與美光(Micron)共同開(kāi)發(fā)的3D NAND固態(tài)硬碟開(kāi)始進(jìn)入試作階段，預計在2016年年中之后正式出貨。

　　楊文得預期，英特爾的動(dòng)作將加速其他尚未明確公布量產(chǎn)計畫(huà)的廠(chǎng)商推出3D NAND快閃記憶體的時(shí)程;而在價(jià)格、性能與控制晶片搭配性的各種因素考量下，3D NAND快閃記憶體應用普及時(shí)間點(diǎn)將會(huì )落在2015年第四季之后。

　　值得注意的是，具有顯著(zhù)性?xún)r(jià)比優(yōu)勢的TLC NAND快閃記憶體，已由三星率先證明其市場(chǎng)價(jià)值。該公司利用TLC NAND快閃記憶體在eMMC/eMCP與消費性固態(tài)硬碟市場(chǎng)取得成功，因此其他業(yè)者自2015年下半年起也可望陸續推出TLC的相關(guān)嵌入式產(chǎn)品。

　　事實(shí)上，蘋(píng)果的iPhone 6即首度采用TLC做為儲存裝置，可望帶動(dòng)其他品牌廠(chǎng)提高采用意愿。DRAMeXchange預期，2015年TLC的產(chǎn)出比重將快速攀升至41%。

　　楊文得認為，隨著(zhù)行動(dòng)運算硬體競爭從高階轉向中低階機種，TLC顆粒較能夠滿(mǎn)足業(yè)者對于成本的考量，加上目前控制技術(shù)已能大幅改善TLC的速度與效能問(wèn)題，因此主要個(gè)人電腦(PC)與行動(dòng)裝置品牌業(yè)者都將逐漸開(kāi)始采用TLC產(chǎn)品，尤其TLC固態(tài)硬碟更將于2015年大舉出籠。