美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案　瞄準中高階手機市場(chǎng)

　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產(chǎn)品。

　　美光移動(dòng)事業(yè)行銷(xiāo)副總Gino Skulick在接受EE Times專(zhuān)訪(fǎng)表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機市場(chǎng)，此區塊市場(chǎng)占全球智能型手機總數的50%。

　　而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技術(shù)的移動(dòng)裝置版3D NAND解決方案，將資料儲存單元層以垂直方式堆疊，儲存容量是前代平面NAND產(chǎn)品的3倍。

　　此外，晶粒(die)也縮小到僅有60.217平方毫米，比相同容量的平面晶粒小了30%，讓存儲器封裝體積能夠更微型化，以釋出更多空間容納更大的電池，甚或是用來(lái)打造更小型的裝置。

　　Skulick表示，美光也在此3D NAND架構的多芯片封裝(MCP)中，采用了低功耗LPDDR4X模組，其能源效率比標準LPDDR4提升了20%，并符合UFS 2.1標準。

　　雖然eMMC仍是目前智能型手機儲存介面的主流，但由于eMMC采讀寫(xiě)分開(kāi)執行的半雙工模式，在速度上仍略遜一籌，故美光選擇支援同步讀寫(xiě)的UFS介面來(lái)與3D NAND搭配，使其發(fā)揮相得益彰之效，讓使用者體驗更上層樓。

　　有鑒于接下來(lái)在擴增實(shí)境(AR)及虛擬實(shí)境(VR)應用中，對于速度及容量的需求將會(huì )更高，美光就以當今高效能游戲用PC為范本，預測未來(lái)移動(dòng)裝置在執行此類(lèi)應用時(shí)之需求，作為日后開(kāi)發(fā)的參考。

　　由于目前智能型手機電池壽命仍是業(yè)界耕耘的重點(diǎn)，半導體市場(chǎng)研調機構Objective Analysis分析師亦指出，3D NAND的能耗比傳統NAND明顯低上許多，這將是其進(jìn)軍智能型手機市場(chǎng)時(shí)的一大賣(mài)點(diǎn)，對美光的3D NAND之路抱持著(zhù)樂(lè )觀(guān)看法。

　　美光移動(dòng)裝置NAND解決方案目前已進(jìn)入對客戶(hù)及合作伙伴送樣階段，預計將于2016年底正式上市。