3D NAND風(fēng)暴來(lái)襲，中國存儲器廠(chǎng)商如何接招?

　　自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技術(shù)上每年都會(huì )前進(jìn)一步，由24層、32層、48層，到今年的第四代64層。有消息稱(chēng)2017年三星將可能推出80層 3D NAND。除技術(shù)進(jìn)步之外，有分析師預測在2018年中期，全球NAND閃存市場(chǎng)在3D堆疊技術(shù)的影響下，價(jià)格有可能低到每Gb約3美分。在此之際，有必要了解3D NADN的產(chǎn)業(yè)競爭形勢。

　　全球3D NAND競爭形勢加劇

　　想要了解3D NAND，首先應當了解其關(guān)鍵制造工藝。3D NAND的制造工藝十分復雜，主要包括高深寬比的溝開(kāi)挖(High aspect ratio trenches)、在源與漏中不摻雜(No doping on source or drain)、完全平行的側壁(Perfectly parallel walls)、眾多級的臺階(Tens of stairsteps)、在整個(gè)硅片面上均勻的淀積層(Uniform layer across wafer)、一步光刻樓梯成形(Single-Lithostairstep)、硬掩?？涛g(Hard mask etching)、通孔工藝(Processing inside of hole)、孔內壁淀積工藝(Deposition on hole sides)、多晶硅溝道(Polysilicon channels)、電荷俘獲型存儲(Charge trap storage)、各種不同材料的刻蝕(Etch through varying materials)、淀積眾多層材料(Deposition of tens of layers)等。這些還只是主要關(guān)鍵部驟，可見(jiàn)其復雜性。

　　然而，2D NAND在進(jìn)入1xnm節點(diǎn)之后，器件耐久性和數據保持特性持續退化，單元之間的耦合效應難以克服，很難解決集成度提高和成本控制的矛盾，進(jìn)一步發(fā)展面臨瓶頸。發(fā)展3D NAND已經(jīng)是大勢所趨。近期全球3D NAND的發(fā)展迎來(lái)少見(jiàn)的紅火，之前認為僅三星獨家領(lǐng)先的態(tài)勢，可能需要重新思考，至少各方之間的差距正逐步縮小。因為誰(shuí)都不愿在未來(lái)落后。

　　從3D NAND的技術(shù)與產(chǎn)能方面尋求突破，近期幾大廠(chǎng)商都在加大力度。日前，英特爾大連廠(chǎng)傳出消息，經(jīng)過(guò)僅8個(gè)多月的努力，英特爾大連廠(chǎng)非易失性存儲制造新項目于今年7月初實(shí)現提前投產(chǎn)。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠(chǎng)建設為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲器制造工廠(chǎng)。

　　東芝方面，在2016年春季開(kāi)始量產(chǎn)48層3D NAND，緊接著(zhù)7月15日在日本三重縣四日市的半導體二廠(chǎng)中舉行啟動(dòng)儀式，未來(lái)該廠(chǎng)將量產(chǎn)64層3D NAND閃存。此舉表示東芝可能領(lǐng)先于三星。因為三星原先的計劃是2017年下半年在韓國京畿道平澤市廠(chǎng)量產(chǎn)它的64層3D NAND閃存。

　　東芝在3D NAND閃存方面的決心很大，計劃2017年3D NAND占其全部NAND出貨量的50%，至2018財年增加到80%。

　　另外，由于2016年5月西部數據并購閃迪并沒(méi)有影響閃迪與東芝間的合作關(guān)系。東芝與西部數據雙方各自出資50%，在未來(lái)2016年到2018年的三年內將總投資1.5兆日圓(約147億美元)在存儲方面。

　　美光(Micron)在新加坡與英特爾合資的12英寸廠(chǎng)于2016年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)3D NAND，月產(chǎn)3000片，并計劃于今年年底擴充產(chǎn)能至4萬(wàn)片/月。8月9日美光正式推出了首款面向中高端智能手機市場(chǎng)的32GB 3D NAND存儲產(chǎn)品。

　　該款3D NAND芯片是業(yè)內首款基于浮柵技術(shù)的移動(dòng)產(chǎn)品，也是業(yè)內最小的3D NAND存儲芯片，面積只有60.217 mm2，同時(shí)采用UFS 2.1標準的存儲設備，讓移動(dòng)設備實(shí)現一流的順序讀取性能;基于3D NAND的多芯片封裝(MCP)技術(shù)和低功耗LPDDR4X，使得該閃存芯片比標準的LPDDR4存儲的能效更優(yōu)。此外，與相同容量的平面NAND芯片相比，美光3D NAND芯片的尺寸可以縮小30%。

　　海力士也不甘示弱，它的利川M14廠(chǎng)近期改造完畢。SK海力士進(jìn)一步表示，2016年年底將建立2萬(wàn)～3萬(wàn)片的3D NAND Flash產(chǎn)能，以應市場(chǎng)需求。第三季度之前的3D NAND Flash投資與生產(chǎn)重心會(huì )放在36層產(chǎn)品，預計今年的第四季度將擴大48層產(chǎn)品的投資與生產(chǎn)能力。另外海力士也計劃投資15.5兆韓元，約134億美元，新建一座存儲器制造廠(chǎng)。

　　雖然其他廠(chǎng)商你爭我?jiàn)Z，但是顯然目前三星的優(yōu)勢尚在。據J.P.摩根發(fā)表的研究報告，三星應該會(huì )在2016年年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬(wàn)片晶圓(西安廠(chǎng)12萬(wàn)片及Line 16廠(chǎng)接近4萬(wàn)片)。三星的西安廠(chǎng)目前已接近(10萬(wàn)片/月片)產(chǎn)能全開(kāi)，且該公司還計劃把Line 16廠(chǎng)的部分2D NAND產(chǎn)能轉換為3D。

　　另外，三星也將調用Line 17廠(chǎng)在二樓的空間，于明年投產(chǎn)3D NAND。依據上述消息，J.P.摩根估計三星明年年底的3D NAND月產(chǎn)能將攀升至22萬(wàn)片(西安廠(chǎng)12萬(wàn)片、Line 16廠(chǎng)近6萬(wàn)片、Line17廠(chǎng)近4萬(wàn)片)，等于是比今年年底的月產(chǎn)能(16萬(wàn)片)再擴充37.5%。

　　以技術(shù)突破獲取成本降低

　　根據上述分析，近四個(gè)月以來(lái)，變化最大的是東芝及英特爾。因為現階段三星在NAND方面領(lǐng)先，估計平均領(lǐng)先兩年左右，而目前它的3D NAND產(chǎn)出已經(jīng)占它NAND的比重達40%。但是東芝正后來(lái)居上，因為它的64層提前量產(chǎn)，或者與三星同步，但是它的目標更為宏大，3D NAND在2017年目標要占它的NAND產(chǎn)出50%，2018年達以80%，而目前僅5.4%。

　　另外，英特爾大連廠(chǎng)僅用8個(gè)月時(shí)間便完成NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)的改造。目前尚不清楚英特爾大連廠(chǎng)將在今年下半年量產(chǎn)的是3D NAND，還是其Xpoint新型存儲器。非常有可能的是，2017年?yáng)|芝和英特爾的3D NAND產(chǎn)能將是三星西安廠(chǎng)的2~3倍。這將直接威脅到三星的霸主地位。

　　由于平面NAND閃存的量產(chǎn)已經(jīng)達15納米，幾乎接近物理極限，因此為了提高存儲器的容量及帶寬，向3D NAND技術(shù)邁進(jìn)是必然趨勢。

　　但是3D NAND技術(shù)很復雜，由于成品率低，導致成本高。依三星的技術(shù)水平，估計它的48層3D NAND的成本已經(jīng)接近2D NAND，未來(lái)64層時(shí)可能會(huì )占優(yōu)勢。而其他的各廠(chǎng)家現階段仍然需要克服成本這一難題。這可以給中國存儲廠(chǎng)商一些時(shí)間。

　　但是，不管如何，到2018年長(cháng)江存儲實(shí)現諾言量產(chǎn)3D NAND時(shí)，它的32層與三星可能已經(jīng)達100層相比絕不占優(yōu)勢。技術(shù)只是一個(gè)方面，更為嚴峻的是制造成本方面的差距。

　　因此，長(cháng)江存儲的產(chǎn)能擴充不可能盲目地馬上擴大到月產(chǎn)10萬(wàn)片規模。但是歷來(lái)存儲產(chǎn)業(yè)就是像一場(chǎng)賭局，對于中國半導體業(yè)是沒(méi)有退路，只有迎頭努力往前趕。長(cháng)江存儲上馬的意義，不能完全用市場(chǎng)經(jīng)濟的概念來(lái)注釋?zhuān)渲屑夹g(shù)方面的突破是首位，其次是降低制造成本，逐漸縮小差距。爭取在未來(lái)全球半導體業(yè)處于上升周期時(shí)，存儲器價(jià)格有所回升，那時(shí)長(cháng)江存儲才有希望實(shí)現成功突圍。