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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
紫光暫時(shí)擱置投資臺廠(chǎng) 正與美芯片廠(chǎng)談判
- 紫光集團董事長(cháng)趙偉國表示，將暫時(shí)擱置對臺灣科技公司的投資計畫(huà)。紫光目前重點(diǎn)是五年內投資人民幣3，000億元(約新臺幣1.5兆元)，打造成為全球第三大晶圓制造廠(chǎng)，且目前正與美國一家芯片公司談判中。 稍早趙偉國提出愿將旗下展訊、銳迪科與聯(lián)發(fā)科合并，共同對抗美國芯片大廠(chǎng)高通，并布建“從芯到云”相關(guān)產(chǎn)業(yè)重要零組件，先前趙偉國來(lái)臺，還曾密會(huì )NAND控制IC大廠(chǎng)群聯(lián)董事長(cháng)潘建成。 市場(chǎng)先前解讀，趙偉國頻頻對臺灣IC設計業(yè)釋出友善態(tài)度，若日后陸資投資我IC設計業(yè)規范松綁，紫光結盟
- 關(guān)鍵字： 紫光 NAND
中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機構TrendForce表示，隨著(zhù)清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過(guò)于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長(cháng)遠來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應用成長(cháng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲存
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD
如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉？
- 摘要：關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶(hù)頭疼的難點(diǎn)，他們強調已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高，只能每天眼睜睜看著(zhù)一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)! 近日某電子科技有限公司的客戶(hù)郵件反饋：使用我們的SmartPRO 6000F-Plus燒錄MICRON廠(chǎng)家的TSOP48封裝的Nand Flash MT29F2G08ABAEA，不良率比較高，甚至達到了10%的燒錄不良率，而燒錄SAMSUNG廠(chǎng)家
- 關(guān)鍵字： SmartPRO NAND
因應中國市場(chǎng)需求 Intel大連廠(chǎng)轉生產(chǎn)3D NAND
- 半導體產(chǎn)業(yè)龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國的大連市政府配合，將原先以65奈米制程生產(chǎn)處理器晶片的中國大連廠(chǎng)，轉型為生產(chǎn)最新的3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達55億美元，預計于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。 根據TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新公布數據，2015年整體中國市場(chǎng)NAND Flash總消耗量換算產(chǎn)值高達66.7億美元，占全球產(chǎn)值29.1%，明年更可望達到全球NAND Flash產(chǎn)量的三分之一，成長(cháng)幅度十分驚人。 DRAMeXchan
- 關(guān)鍵字： Intel NAND
研調：陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示，由于中國大陸內需市場(chǎng)胃納量龐大，在伺服器以及智慧型手機的出貨需求持續攀升，預估今(2015)年中國內需市場(chǎng)在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達120億與66.7億美元，分別占全球產(chǎn)值的21.6%與29.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，從DRAM需求觀(guān)察，近年來(lái)中國品牌不論在個(gè)人電腦或是智慧型手機領(lǐng)域出貨量不斷增長(cháng)。其中，聯(lián)想(0992.HK)在個(gè)人電腦市場(chǎng)與第一名的惠普出貨量在伯仲之間，并穩居
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
今年推兩款存儲芯片 美光現轉機
- 《巴倫周刊》(Barron’s)報導指出，半導體廠(chǎng)商美光(Micron)盡管今年以來(lái)遭遇股價(jià)蒸發(fā)近半，但仍有許多投資人看多，原因在于訂于今年問(wèn)世 的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint，鎖定手機應用程式市場(chǎng)和大數據分析領(lǐng)域，料將大幅提升美光利潤率。 兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進(jìn)美光2016年營(yíng)收與凈利，而后者料自2018年起占美光營(yíng)收比明顯擴大。 有看多美光者預測，股價(jià)可能于1年間上漲逾6成，達每股30美元。較保守的假設為，1年間上漲
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
紫光“三星化”壯大：企業(yè)合作找龍頭 人才招募選精英
- 中國半導體研究機構芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話(huà)，“這兩天半導體產(chǎn)業(yè)會(huì )有重大新聞”，5 日正式發(fā)文，表示臺灣南亞科總經(jīng)理高啟全將離職，加入中國紫光集團，負責半導體儲存業(yè)務(wù)。消息一出，果然在臺灣帶來(lái)震撼。外界也好奇，近來(lái)動(dòng)作頻頻的紫光集團，究竟有什么背景與能耐，在半導體行業(yè)到處“興風(fēng)作浪”? ■紫光發(fā)展簡(jiǎn)歷 依紫光集團官網(wǎng)簡(jiǎn)介，紫光的前身是中國清華大學(xué)在 1988 年所成立的科技開(kāi)發(fā)公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
- 關(guān)鍵字： 紫光 NAND
東芝財報風(fēng)波長(cháng)期恐將損及NAND事業(yè)
- 東芝(Toshiba)財報不實(shí)風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門(mén)，但日媒體日經(jīng)Tech-On訪(fǎng)問(wèn)日本半導體界人士，卻表示長(cháng)期終將損害快閃存儲器產(chǎn)品競爭力。 目前東芝半導體事業(yè)主力NAND存儲器產(chǎn)品，由于移動(dòng)裝置需求持續成長(cháng)，銷(xiāo)售量不斷增大，為日本少數仍名列前茅且具世界競爭力的半導體產(chǎn)品;但這項產(chǎn)品需要大量資金持續投資才能保持領(lǐng)先，受企業(yè)財務(wù)狀況影響比其他半導體產(chǎn)品更大。 現在東芝碰上財務(wù)問(wèn)題，對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響，雖說(shuō)新社長(cháng)室町正志出身半導體事業(yè)，對這個(gè)
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
FinFET/3D NAND前景亮 推升半導體設備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿(mǎn)足車(chē)載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(cháng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。 應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著(zhù)先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導線(xiàn)技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測技術(shù)。 應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
- 關(guān)鍵字： FinFET 3D NAND
美光2016 資本支出大增至53億美元，市場(chǎng)冷淡
- 內存大廠(chǎng)美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會(huì )議(Analyst Conference)，會(huì )中宣布 2016 會(huì )計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢(qián)拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場(chǎng)似乎對內存前景不具信心，當日股價(jià)仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。 美光財務(wù)長(cháng) Ernie Maddock 在會(huì )中公布 2016 會(huì )計年度的資本支出將達 53 億至 58 億美元。反觀(guān)即將在本月底結束的 2015 年會(huì )計年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
不同產(chǎn)品策略影響NAND供應商營(yíng)收表現
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀(guān)察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤等的各項營(yíng)運指標也有不一樣的的呈現。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續自今年第四季開(kāi)始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
不同產(chǎn)品策略影響NAND供應商營(yíng)收表現
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀(guān)察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤等的各項營(yíng)運指標也有不一樣的的呈現。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續自今年第四季開(kāi)始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾
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