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high-speed 文章 進(jìn)入high-speed技術(shù)社區
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機存取內存（DRAM）專(zhuān)用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線(xiàn)制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
- 關(guān)鍵字： imec High-NA EUV DRAM
價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息，在近日的財報電話(huà)會(huì )議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著(zhù)提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現2nm以下先進(jìn)制程大規模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠(chǎng)，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
- 關(guān)鍵字： Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠(chǎng)
- 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話(huà)會(huì )議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺大型設備，安裝時(shí)間需要數月，預計可帶來(lái)新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話(huà)中指出，第二臺High NA設備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠(chǎng)房。由于英特爾財報會(huì )議后股價(jià)表現不佳，因此這番話(huà)并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶(hù)，今年只記錄第一臺的收入。不過(guò)
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臺積電CEO秘訪(fǎng)ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動(dòng)，臺積電CEO魏哲家罕見(jiàn)的沒(méi)有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪(fǎng)問(wèn)位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專(zhuān)業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過(guò)社交媒體透露了魏哲家秘密出訪(fǎng)的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設備將如何實(shí)現未來(lái)
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High-NA EUV光刻機入場(chǎng)，究竟有多強？
- 光刻機一直是半導體領(lǐng)域的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實(shí)基礎；再到后來(lái)的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長(cháng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開(kāi)發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實(shí)現 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著(zhù)其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì )導致影響晶圓吞吐量的光損失。
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英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機？
- HIGH NA 無(wú)疑是打贏(yíng)下一場(chǎng)比賽的重要籌碼。
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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來(lái)兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節點(diǎn)。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì )采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時(shí)觀(guān)望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統微縮(scaling)技術(shù)系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實(shí)現了晶體管性能的顯著(zhù)提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
- 關(guān)鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
拆解報告：MOVE SPEED移速20W小精靈快充
- MOVE SPEED移速近期推出了一款20W PD快充迷你充電器，型號為YSFCP101-20W，還為其取了個(gè)很好聽(tīng)的名字——小精靈。這款產(chǎn)品支持QC、PD以及PPS等快充協(xié)議，可以滿(mǎn)足iPhone 12手機全速快充需求，對其它品牌安卓機也有很好的兼容性，下面充電頭網(wǎng)就對其進(jìn)行拆解，看看用料做工如何。一、移速20W小精靈快充外觀(guān) 包裝盒藍白配色，正面印有品牌、充電器外觀(guān)圖、名稱(chēng)以及20W、CCC認證標識等?！ ”趁嬗∮猩碳倚畔??！ 让嬗∮谐潆娖鲄??！ ×硪粋让嬗∮挟a(chǎn)品四大特性標識?！ “b內含充
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基于LEON3處理器和Speed協(xié)處理器的復雜SoC設計實(shí)現
- 前言 隨著(zhù)科技的發(fā)展，信號處理系統不僅要求多功能、高性能，而且要求信號處理系統的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)周期短，可編程式專(zhuān)用處理器無(wú)疑是實(shí)現此目的的最好途徑?？删幊虒?zhuān)用處理器可分為松耦合式(協(xié)處理器方式，即MCU+協(xié)處理器)和緊耦合式(專(zhuān)用指令方式，即ASIP)，前者較后者易于實(shí)現，應用較廣。本文就是介紹一款松耦合式可編程專(zhuān)用復雜SoC設計實(shí)現，選用LEON3處理器作為MCU，Speed處理器作為Coprocessor。 LEON3及Speed LEON3是由歐洲航天總局旗下的Gaisler Re
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