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英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機?

作者:semiwiki 時(shí)間:2024-01-11 來(lái)源:半導體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

Trendforce 報道稱(chēng),將獲得 可能于 2024 年發(fā)貨的 10 種 HIGH NA 光刻機中的 6 種。三星副董事長(cháng) Kyung Kye-hyun 的話(huà)說(shuō)「三星已經(jīng)獲得了 HIGH NA 設備技術(shù)的優(yōu)先權」。這似乎意味著(zhù)獲得了最 HIGH NA 光刻機,其次是三星,而且其最近宣布與韓國 投資 7.55 億美元。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202401/454681.htm

這將使臺積電處于不同尋常的第三位,與目前在 EUV 領(lǐng)域的主導地位(占全球 EUV 光刻機的 70%)形成鮮明對比。

2024 年 北美銷(xiāo)售額將達到 3.5 至 40 億美元?

如果我們假設光刻機成本為 3.5 億至 4 億美元,并且 2024 年 10 個(gè)光刻機的 HIGH NA 銷(xiāo)售額將在 35 億至 40 億美元之間。

我們認為,ASML 的 HIGH NA 帶來(lái)的潛在上漲空間并未體現在股價(jià)中,因為對于大多數人來(lái)說(shuō),十種光刻機聽(tīng)起來(lái)有點(diǎn)夸張,但如果能做到這一點(diǎn),那就意味著(zhù)強勁的上漲空間。

蔡司是看門(mén)人

如果 ASML 確實(shí)在 2024 年交付了 10 種光刻機,那么這種增長(cháng)將意味著(zhù)在 2025 年輕松增加到 15 種或更多光刻機,并可能在 2026 年增加到 20 種以上。

與常規 EUV 光刻機一樣,蔡司的鏡頭可用性將再次成為限制因素,因為 HIGH NA 鏡頭比當前已經(jīng)很困難的 EUV 鏡頭復雜得多。

鑒于 EUV 光源將保持一定程度的不變,并且階段增量實(shí)際上完全取決于鏡頭。

誰(shuí)會(huì )得到它們?何時(shí)何地?

如果我們假設確實(shí)按照建議獲得了前 6 個(gè) HIGH NA 光刻機,我們可以想象英特爾將至少獲得前兩個(gè)光刻機,其他光刻機將在 2024 年前往亞利桑那州或俄亥俄州。

在其他四種光刻機中,三星可能至少有兩到三種光刻機,而臺積電則獲得一到兩種光刻機。

我們猜測臺積電可能會(huì )更加努力地推動(dòng)當前 EUV 的多重圖案化,而不是立即跳到 HIGH NA。

許多業(yè)界人士認為,與現有的多圖案 EUV 光刻機相比,高數值孔徑 EUV 光刻機將難以在成本上證明其合理性。時(shí)間會(huì )證明一切。從英特爾的角度來(lái)看,他們別無(wú)選擇,只能大力推進(jìn),因為他們過(guò)去在 EUV 上的緩慢是臺積電在摩爾定律中超越他們的原因之一。

很明顯,英特爾不希望重蹈最初的 EUV 光刻機的覆轍,因此很早就向 ASML 承諾獲得一年多前宣布的第一批 HIGH NA 光刻機。

如果 HIGH NA 確實(shí)成功,這將是英特爾需要迎頭趕上的「重要一躍」。

如果我們對 2025 年 15 種光刻機的猜測靠譜的話(huà),預計英特爾、三星和臺積電之間的份額會(huì )更加均勻,而歐洲 IMEC 的一款光刻機與 ASML 密切合作,很可能也會(huì )獲得一款用于研發(fā)。

到 2026 年,三大晶圓代工/邏輯制造商之間可能會(huì )出現 20 種光刻機的情況,很可能會(huì )像最近宣布的那樣為紐約增加一款用于研發(fā)的 HIGH NA 光刻機。

我們預計存儲器制造商在最初幾年不會(huì )采用高數值孔徑,因為他們現在才剛剛開(kāi)始采用常規 EUV,并且仍落后于 EUV 光刻技術(shù)的代工/邏輯需求 4 到 6 年。

不會(huì )感到驚訝的是,經(jīng)過(guò) 3 年的 HIGH NA 出貨量,英特爾擁有大部分 HIGH NA 光刻機,就像臺積電擁有當前 EUV 技術(shù)的最大份額一樣。

對英特爾來(lái)說(shuō)這是一個(gè)重大但必要的賭注

如果英特爾在 2024 年購買(mǎi) 6 個(gè) HIGH NA 光刻機,則意味著(zhù) HIGH NA 光刻機資本支出將達到 21 億至 24 億美元。這是一個(gè)相當大的賭注……但如果它有助于追趕臺積電,那么這筆錢(qián)花得值。別無(wú)選擇,因為如果不這樣做,英特爾就會(huì )落后于臺積電,如果幸運的話(huà),最好的情況是與臺積電處于同等地位。

高數值孔徑將比標準 EUV 更快投入生產(chǎn)

盡管 EUV 和高數值孔徑 EUV 光刻機之間存在顯著(zhù)差異,但基本概念是相同的。EUV 與 ARF 沉浸式技術(shù)相比并不是巨大的飛躍。芯片制造商將需要盡快讓這些新光刻機投入使用。他們還必須集中精力在單一圖案 HIGH NA 與多圖案標準 EUV 上獲得經(jīng)濟回報。

這一消息如果屬實(shí),甚至接近屬實(shí),對于 ASML 和英特爾來(lái)說(shuō)都是一個(gè)重大利好。然而,我們還不認為這對臺積電來(lái)說(shuō)是負面的,因為他們可能在 EUV 領(lǐng)域總體上保持強勢地位。

假設生產(chǎn)沒(méi)有出現問(wèn)題,ASML 及其股票可能會(huì )在 2024 年經(jīng)歷 HIGH NA EUV 浪潮。



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