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進(jìn)軍智能水/氣表市場(chǎng)，富士通FRAM再下一城
- 在計量?jì)x表行業(yè)，水表/氣表目前仍是不同于電表的一個(gè)“藍?！笔袌?chǎng)，對成本的敏感度遠低于對功耗的敏感度，正是因為這一特點(diǎn)，使得FRAM這一無(wú)電池存儲技術(shù)在無(wú)論是通信單元(中繼)還是計量單元都得到越來(lái)越多的應用?！ 《谏钲谧罱e辦的2015智能水/氣計量及管網(wǎng)執行力論壇(WATER&GAS METERING China2015)上，富士通半導體的展臺人頭攢動(dòng)，業(yè)界對這一新型存儲技術(shù)的關(guān)注可見(jiàn)一斑，FRAM在電表領(lǐng)域的成功很快將延伸到一顆電池要用10-15年的水/氣表中，甚至有過(guò)
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在RFID中嵌入FRAM，打破傳統RFID標簽的一系列限制
- 開(kāi)車(chē)的朋友可能會(huì )有這樣的經(jīng)歷，當您經(jīng)過(guò)高速公里收費站時(shí)，您的交通收費卡在進(jìn)站和出站時(shí)偶爾會(huì )無(wú)法讀取，原因是您的交通卡使用的頻率比較高，超過(guò)了它的讀寫(xiě)次數。目前，這些交通卡大部分是采用內嵌EEPROM的RFID制作的，而如果將智能交通卡中的EEPROM換成FRAM，問(wèn)題就迎刃而解了。 “采用FRAM 的RFID的讀寫(xiě)次數可以達到1012，而采用EEPROM 的RFID的讀寫(xiě)次數最多只有一百萬(wàn)次，這就是為何高速收費處偶爾會(huì )出現數據讀不出的問(wèn)題。”富士通半導體(上海)有限公司市
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富士通為1Mb序列FRAM開(kāi)發(fā)超小型封裝
- 富士通半導體臺灣分公司宣布成功開(kāi)發(fā)及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實(shí)現將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。 WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產(chǎn)品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫(xiě)入資料時(shí)將功耗降至最低，并提供更持久的電池續航力。 穿戴式市場(chǎng)是目
- 關(guān)鍵字： 富士通 FRAM
富士通為1Mb序列FRAM開(kāi)發(fā)超小型封裝
- 富士通半導體臺灣分公司宣布成功開(kāi)發(fā)及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實(shí)現將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。 WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產(chǎn)品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫(xiě)入資料時(shí)將功耗降至最低，并提供更持久的電池續航力。 穿戴式市場(chǎng)是目
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可穿戴電子應用的FRAM
- 引言： FRAM存儲器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來(lái)低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業(yè)控制系統、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間應用、高可靠軍事以及各種汽車(chē)應用。使FRAM適用于這些應用的特征也使之成了可穿戴應用的可行技術(shù)，因為FRAM技術(shù)與生俱來(lái)的附加屬性包括低功耗與高耐用性。 電子可穿戴設計的一個(gè)主要注意事項是在提升可靠性的同時(shí)降低總體功耗。設計人員必須在增加功能的同時(shí)降低系統功耗，以便延長(cháng)電池使用壽命。與此同時(shí)，嵌入式軟件的大小和復雜性
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德州儀器 (TI) 全新超低功耗FRAM微控制器為數據存儲與恢復帶來(lái)變革，在電源意外中斷時(shí)確保數據安全
- 為了解決困擾工程師們數十年的設計難題，德州儀器 (TI) (NASDAQ: TXN) 日前宣布推出具有革命性的Compute Through Power Loss (CTPL)技術(shù)，以在包括全新MSP430FR6972 MCU的整個(gè)MSP430TM FRAM微控制器 (MCU) 產(chǎn)品系列中實(shí)現數據存儲與恢復。這項正在申請專(zhuān)利的技術(shù)能夠在應用程序意外斷電后通過(guò)智能系統狀態(tài)恢復實(shí)現瞬時(shí)喚醒。此外，具有TI CTPL技術(shù)的全新MSP430FR6972 MCU包含了集成的智能模擬和數字外設，用于減少系統成本、
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FRAM邁向主流存儲器之漫漫長(cháng)路…
- 鐵電記憶體(FRAM，或FeRAM)在1990年代中期被認為將成為主流技術(shù)，但至今仍與其他眾多新記憶體技術(shù)一樣，并沒(méi)有如預期般迅速崛起。FRAM的內部運作原理類(lèi)似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快閃記憶體的非揮發(fā)性;在1980年代首個(gè)成功的FRAM電路問(wèn)世，其通用功能就被認為可以在許多應用中取代DRAM、SRAM與EEPROM。 “那樣的情況就是沒(méi)有發(fā)生，”半導體產(chǎn)業(yè)分析師Jim Handy (來(lái)自Objective Analysis)在Cypress收購FRAM
- 關(guān)鍵字： FRAM
物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車(chē)、高清視頻應用需要怎樣的金剛鉆？
- “有了金剛鉆，敢攬瓷器活”，當物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能汽車(chē)、高清視頻等熱門(mén)應用載著(zhù)滿(mǎn)滿(mǎn)的財 富襲來(lái)之時(shí)，半導體廠(chǎng)商是否有足夠先進(jìn)的技術(shù)以應對呢?尤其是在需要高性能的細分市場(chǎng)，對于半導體廠(chǎng)商的要求更高。例如，物聯(lián)網(wǎng)需要小型、低功耗、高可靠 的存儲器解決方案，智能汽車(chē)需要先進(jìn)的圖形顯示控制器以實(shí)現ADAS功能，而實(shí)時(shí)4K則需要H.265編碼能力。 在本屆慕尼黑上海電子展上，相關(guān)廠(chǎng)商展示的幾項“低調奢華有內涵”的相關(guān)技術(shù)方案引起了 筆者的關(guān)注：高可靠FRA
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控制自身功耗預算并優(yōu)化軟件的MCU？說(shuō)說(shuō)MSP430 FRAM
- MSP430FR59x/69x FRAM MCU產(chǎn)品系列集成了涵蓋32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++?實(shí)時(shí)功耗分析器和調試器。這些MSP430? MCU非常適用于智能計量?jì)x表、可佩戴式電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠程傳感器、能量收集裝置、家庭自動(dòng)化設備、數據采集系統、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內存選擇和智能模擬集成的應用。 EnergyTrace++技術(shù)是全球第一個(gè)能使開(kāi)發(fā)人員為每個(gè)外設實(shí)時(shí)分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調試系統。這
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FRAM存儲“多、快、省”
- 近日，富士通半導體(上海)有限公司市場(chǎng)部經(jīng)理蔡振宇介紹了FRAM(鐵電存儲器)產(chǎn)品在應用中的獨特優(yōu)勢。擁有15年FRAM量產(chǎn)經(jīng)驗的富士通半導體，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特點(diǎn)?！岸唷敝傅氖荈RAM的高讀寫(xiě)耐久性(1萬(wàn)億次)的特點(diǎn)，可以頻繁記錄操作歷史和系統狀態(tài);“快”指的是FRAM的高速燒寫(xiě)(是EEPROM的40000倍)特性，這可以幫助系統設計者解決突然斷電數據丟失的問(wèn)題;“省”是FRAM超低
- 關(guān)鍵字： 富士通 FRAM EEPROM 201503
FRAM以領(lǐng)先特性解決應用瓶頸、促進(jìn)產(chǎn)品創(chuàng )新
- 在海量的固態(tài)存儲技術(shù)已經(jīng)非常廣泛應用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術(shù)大賣(mài)，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫療電子、消費電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無(wú)處不在。這種存儲技術(shù)就是鐵電存儲器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導體(上海)有限公司市場(chǎng)部經(jīng)理蔡振宇分享了FRAM產(chǎn)品在應用中的獨特技術(shù)特性?xún)?yōu)勢，特別是FRAM RFID和認證FRAM方面眾多的創(chuàng )新應用案例對電子產(chǎn)品的設計具有很好的創(chuàng )新啟發(fā)，受到與會(huì )嘉賓的關(guān)注。
- 關(guān)鍵字： FRAM EEPROM
FRAM以領(lǐng)先特性解決應用瓶頸、促進(jìn)產(chǎn)品創(chuàng )新
- 在海量的固態(tài)存儲技術(shù)已經(jīng)非常廣泛應用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術(shù)大賣(mài)，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫療電子、消費電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無(wú)處不在。這種存儲技術(shù)就是鐵電存儲器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導體(上海)有限公司市場(chǎng)部經(jīng)理蔡振宇分享了FRAM產(chǎn)品在應用中的獨特技術(shù)特性?xún)?yōu)勢，特別是FRAM RFID和認證FRAM方面眾多的創(chuàng )新應用案例對電子產(chǎn)品的設計具有很好的創(chuàng )新啟發(fā)，受到與會(huì )嘉賓的關(guān)注。
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富士通：鐵電存儲器我也很牛的！
- 鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM，FRAM;或稱(chēng)FeRAM)由于結合了ROM與RAM的優(yōu)勢，具備非揮發(fā)性、高速寫(xiě)入、高耐受度、低功耗等方面的條件，在這幾年來(lái)不斷擴大市場(chǎng)版圖，特別是在工業(yè)應用領(lǐng)域備受矚目;隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)崛起，FRAM也可望在各類(lèi)智慧連網(wǎng)裝置上找到更多新應用商機。 在FRAM技術(shù)領(lǐng)域耕耘15年的日商富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)，自1999年首度量產(chǎn) FRAM 元件以來(lái)，全球出貨量累計已超過(guò)25億顆，具備多樣化的產(chǎn)品種類(lèi)選擇;
- 關(guān)鍵字： 富士通 鐵電存儲器 FRAM
fram介紹
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標準的串行和并行接口，工業(yè)標準的封裝類(lèi)型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性記憶體掉電后數據不丟失?？墒撬械姆且资杂洃涹w均源自ROM技術(shù)。你能想象到,只讀記憶體的數據是不可能修改的 [ 查看詳細 ]
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