富士通電子推出可在125℃高溫下穩定運行的最新4Mbit FRAM

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達到FRAM產(chǎn)品最高水平，運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶(hù)提供評測版樣品。

這款全新FRAM是非易失性?xún)却娈a(chǎn)品，在125℃高溫環(huán)境下可以達到10兆次讀/寫(xiě)次數，工作電流低，是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統（ADAS）等汽車(chē)應用的最佳選擇。

FRAM的讀/寫(xiě)耐久性、寫(xiě)入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產(chǎn)20多年，近年來(lái)廣泛用于可穿戴設備、工業(yè)機器人和無(wú)人機。

自去年發(fā)布以來(lái)，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車(chē)和工業(yè)設備中獲得廣泛應用，而MB85RS4MTY將其容量提高了一倍，達到4M bit，滿(mǎn)足更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。由于這款FRAM工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運作頻率50MHz），最大掉電模式電流為30μA，因此有助于降低環(huán)境敏感應用的功耗。

這款全新FRAM在-40℃至+ 125℃溫度范圍內可以達到10兆次讀/寫(xiě)次數，適合某些需要實(shí)時(shí)數據記錄的應用。例如，每0.03毫秒重寫(xiě)一次數據，同一地址連續記錄數據可達10年之久。

這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現有類(lèi)似引腳的EEPROM。此外，還提供8-pin DFN（無(wú)引線(xiàn)雙側扁平）封裝。

富士通電子將繼續提供內存產(chǎn)品和解決方案，滿(mǎn)足市場(chǎng)和客戶(hù)的未來(lái)需求。

關(guān)鍵規格：

●   組件型號： MB85RS4MT

●   容量（組態(tài)）： 4 Mbit（512K x 8位）

●   接口： SPI（Serial Peripheral Interface）

●   運作頻率： 最高50 MHz

●   運作電壓： 1.8V - 3.6V

●   運作溫度范圍： -40°C - +125°C

●   讀/寫(xiě)耐久性： 10兆次（1013次）

●   封裝規格： 8-pin DFN，8-pin SOP

圖1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（頂部?底部）

詞匯與備注

鐵電隨機存取內存（FRAM）

FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以?xún)Υ鏀祿膬却?，即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存數據。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫(xiě)入數據、低功耗和高速讀/寫(xiě)周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開(kāi)始生產(chǎn)FRAM，亦稱(chēng)為FeRAM。

圖2：FRAM應用實(shí)例

相關(guān)鏈接：

●   富士通電子網(wǎng)站 

●   FRAM產(chǎn)品系列網(wǎng)站 

●   MB85RS4MTY簡(jiǎn)介 

●   MB85RS4MTY數據表 

●    (參考) MB85RS2MTY數據表