鐵電存儲器FRAM的優(yōu)劣勢

FRAM憑借高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面的優(yōu)勢，被視為替代傳統EEPROM和FLASH的產(chǎn)品。FRAM產(chǎn)品的主要廠(chǎng)商包括英飛凌、日本富士通半導體和其他公司，這幾家公司代表了當今世界最先進(jìn)的FRAM技術(shù)。FRAM在半導體市場(chǎng)上已經(jīng)得到了商業(yè)驗證，FRAM存儲器產(chǎn)品已成功應用在汽車(chē)中。
 
1.  FRAM的優(yōu)勢：
 
FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫(xiě)更快、壽命更長(cháng)，FRAM已經(jīng)應用于IC卡和MCU中，預計未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn)，符合科創(chuàng )板屬性，目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
 
2.  FRAM的劣勢：
 
FRAM的制造成本高，價(jià)格比EEPROM、FLASH更加昂貴，儲存的空間更小。
 
由于目前EEPROM和FLASH經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)積淀和積累，無(wú)論是技術(shù)還是市場(chǎng)的認可度都非常高，且價(jià)格低廉。FRAM作為新型存儲器之一，FRAM的技術(shù)發(fā)展的路徑尚不確定，未來(lái)替代EEPROM會(huì )經(jīng)歷一個(gè)漫長(cháng)的過(guò)程，將來(lái)也可能是其他新型存儲器，如相變存儲器PCM、磁存儲器MRAM、電阻存儲器ReRAM、碳納米管存儲器NRAM取代現有的存儲器。
 
雖然目前富士通半導體等公司正在大力推廣FRAM，但是傳統的存儲器如EEPROM和FLASH依舊會(huì )保持很大的市場(chǎng)份額，未來(lái)EEPROM、FLASH的技術(shù)迭代也會(huì )提升其各方面的性能，FRAM與EEPROM、FLASH會(huì )保持長(cháng)期共存的局面，不會(huì )短時(shí)間內出現FRAM徹底替代EEPROM、閃存Flash的情況。
 
建議改類(lèi)型的項目方提供下游客戶(hù)的產(chǎn)品中必須用到FRAM的情形，以及其他可替代的存儲器，并說(shuō)明與日本富士通半導體和英飛凌的FRAM的產(chǎn)品性能優(yōu)勢或成本對比，是否已經(jīng)大規模量產(chǎn)以及良率如何，由此來(lái)綜合評估該類(lèi)型項目的FRAM產(chǎn)品的技術(shù)壁壘和未來(lái)市場(chǎng)銷(xiāo)售情況。