獨立存儲器

簡(jiǎn)介

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(cháng)的耐久力和低功耗。富士通半導體提供了采用串行（I²C和SPI）和并行外設的FRAM產(chǎn)品，目前4Kb至4Mb的產(chǎn)品也已量產(chǎn)。 

富士通正在為客戶(hù)評估提供工程研發(fā)樣品或生產(chǎn)樣品。請確認我們的 FRAM產(chǎn)品陣列 ，如果您想獲得樣品 ，請填寫(xiě)“FRAM樣品/文檔申請咨詢(xún)表”申請樣品和/或文件。

FRAM的優(yōu)勢

與SRAM相比

獨立的FRAM存儲器，因為具有Pseudo-SRAM I/F，因此與SRAM之間具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以獲得的優(yōu)勢如下：

1. 總的成要縮減

采用SRAM，你需要檢測其電池狀態(tài)。但是FRAM卻讓你免去了進(jìn)行電池檢測的困擾。而且，FRAM不需要電池槽、防倒流二極管和更多的空間，而這些都是SRAM所需的。FRAM的單芯片解決方案可以節省空間和成本。

●   維護自由；無(wú)需更換電池

●   縮小的器件尺寸；可以省去大量的器件

2.環(huán)保型產(chǎn)品（減少了環(huán)境負擔）

用過(guò)的電池成為工業(yè)廢料。在生產(chǎn)過(guò)程中，與SRAM相比，FRAM能夠降低一半的CO2排放量。FRAM對于環(huán)保有益。

●   無(wú)廢棄電池

●   降低工業(yè)負荷，實(shí)現環(huán)保

與E2PROM/閃存相比

與傳統的非易失性存儲器，如E2PROM和閃存相比，FRAM具有更快的寫(xiě)入、更高耐久力和更低功耗等優(yōu)勢。用FRAM取代E²PROM和閃存還具有更多優(yōu)勢，具體如下：

1. 性能提升

FRAM的高速寫(xiě)入能夠在電源中斷的瞬間備份數據。不僅如此，與E2PROM和閃存相比，FRAM能夠更頻繁的記錄數據。當寫(xiě)入數據時(shí)，E2PROM和閃存需要高壓，因此，消費的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么電池供電器件中的電池的壽命將更長(cháng)。 

總之，FRAM具有下列優(yōu)勢：

●   能夠在電源中斷的瞬間備份數據

●   能夠進(jìn)行頻繁的數據記錄

●   能夠保證更長(cháng)的電池壽命

2. 總的成本縮減

在為每個(gè)產(chǎn)品寫(xiě)入出廠(chǎng)參數時(shí)，與E2PROM 和閃存相比，FRAM可以縮減寫(xiě)入時(shí)間。而且，FRAM可以為您提供一種芯片解決方案，避免采用幾個(gè)存儲器來(lái)保存數據，而E2PROM卻不能實(shí)現。因此，利用FRAM可以降低總成本！

●   當寫(xiě)入出廠(chǎng)參數時(shí)，縮短了寫(xiě)入時(shí)間

●   減掉了產(chǎn)品上很多的部件

產(chǎn)品列表

串行閃存

I²C接口

與世界標準，I²C BUS完全兼容。利用兩個(gè)端口，幾個(gè)時(shí)鐘（SCL）和串行數據（SDA）控制每個(gè)函數。