富士通電子推出能在苛刻環(huán)境正常工作的SPI 2Mbit FRAM

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM ^注1 。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達攝氏125度的高溫下正常運作，其評測樣品（evaluation sample）現已開(kāi)始供應。 

此款FRAM非易失性?xún)却嬖谶\作溫度范圍內能保證10兆次讀 / 寫(xiě)次數，并支持實(shí)時(shí)記錄像駕駛數據或定位數據等，這類(lèi)需要持續且頻繁的數據記錄。由于該內存屬于非易失性，并且具有高速寫(xiě)入特點(diǎn)，即使遇到突然斷電的狀況，寫(xiě)入的數據也能完整保留不會(huì )遺失。因此，這款產(chǎn)品適用于需在高溫環(huán)境下運作的應用，像是具有會(huì )產(chǎn)生大量熱能的引擎或馬達的汽車(chē)設備與工業(yè)機器人。 

富士通電子在過(guò)去約20年量產(chǎn)各種FRAM非易失性?xún)却娈a(chǎn)品，具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入速度及超低功耗。近幾年來(lái)，這些產(chǎn)品被廣泛應用于可穿戴裝置、工業(yè)機器人與無(wú)人機。 

圖一：MB85RS2MTY封裝

這款擁有2Mbit密度的產(chǎn)品采用SPI接口，支持從1.8v至3.6v的寬電壓范圍，且運作耐熱度可高達攝氏125度；即使在這樣的高溫環(huán)境也能保證10兆次的讀∕寫(xiě)次數，相當于EEPROM的一千萬(wàn)倍；最高運作頻率則達到50 MHz，比現有產(chǎn)品快1.5倍。此外，這些產(chǎn)品的可靠性測試符合AEC-Q100 Grade 1標準，達到被稱(chēng)為“汽車(chē)級”產(chǎn)品的認證標準。 

此款FRAM采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝，使其能輕松取代現有類(lèi)似腳位的EEPROM產(chǎn)品。此外，也提供擁有8-pin DFN（Dual Flatpack Non-leaded）的封裝。

圖二：適合MB85RS2MTY的應用

富士通電子持續為IC卡、工業(yè)機械與消費性裝置提供數據寫(xiě)入效能高于EEPROM的FRAM產(chǎn)品。能在最高攝氏125度環(huán)境下運作的FRAM產(chǎn)品自2017年起就已經(jīng)量產(chǎn)，因此這類(lèi)FRAM逐漸被廣泛應用在需要在高溫下維持運作與高可靠性的汽車(chē)及工業(yè)機械市場(chǎng)。此次富士通電子研發(fā)并推出最大容量的2 Mbit產(chǎn)品，借此強化可運作于高達125度的FRAM產(chǎn)品陣容。

富士通電子將持續提供各種FRAM產(chǎn)品與解決方案，協(xié)助客戶(hù)提升各類(lèi)應用的價(jià)值與便利性。

圖三：MB85RS2MTY的主要特色

關(guān)鍵規格

●   組件型號：MB85RS2MTY 

●   容量（組態(tài)）：2 Mbit（256K x 8位） 

●   接口：SPI（Serial Peripheral Interface） 

●   運作頻率：最高50 MHz

●   運作電壓：1.8伏特 - 3.6伏特 

●   運作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度 

●   讀∕寫(xiě)耐用度：10兆次 (10¹³次) 

●   封裝規格：8-pin SOP與8-pin DFN 

●   認證標準：符合AEC-Q100 Grade 1

詞匯與備注

*注一：鐵電隨機存取內存（FRAM） 

FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以?xún)Υ鏀祿膬却?，即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存數據。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫(xiě)入數據、低功耗和高速讀/寫(xiě)周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開(kāi)始生產(chǎn)FRAM，亦稱(chēng)為FeRAM。

相關(guān)鏈接：

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●    FRAM產(chǎn)品系列網(wǎng)站

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