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FRAM在汽車(chē)行駛記錄儀中的應用

  • 中國的汽車(chē)行駛記錄儀中的數據應該包括二個(gè)部分,一部分為汽車(chē)實(shí)時(shí)數據(存放汽車(chē)發(fā)生事故前后的數據),另一部分...
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富士通半導體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產(chǎn)品

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布,推出兩款新型FRAM產(chǎn)品-MB85RS1MT 和 MB85RS2MT,兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器,是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開(kāi)始提供新品樣片。
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富士通攜六大系列新品亮相2013慕尼黑上海電子展

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布出席在中國上海舉行的“第十二屆慕尼黑上海電子展”。在本次電子展中,富士通半導體將展出其最新芯片及系統解決方案。本次展覽是中國電子領(lǐng)域的盛會(huì )之一,展出地點(diǎn)為上海新國際博覽中心,展出時(shí)間為2013年3月19日至21日。
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富士通推出帶新的小封裝的超低功耗16Kb FRAM

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
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基于FRAM的MCU為低功耗應用提高安全性

  • 21ic訊 安全性在包括智能手機配件、智能儀表、個(gè)人健康監控、遙控以及存取系統等各種應用中正在變得日益重要。要保護收益及客戶(hù)隱私,OEM 廠(chǎng)商必須采用安全技術(shù)加強系統的防黑客攻擊能力。對于大量這些應用而言,將要
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德州基于領(lǐng)先“金剛狼”技術(shù)的MSP430FR59xx微控制器

  • 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出基于其突破性“金剛狼”技術(shù)平臺的業(yè)界首款最低功耗微控制器樣片。TI 基于 FRAM 的新型 MSP430FR59xx 微控制器使開(kāi)發(fā)人員能為無(wú)線(xiàn)傳感、能量采集、智能電網(wǎng)、工業(yè)、消費、樓宇自動(dòng)化和安全性等各種應用增加靈活性、提升性能并延長(cháng)電池壽命。
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在嵌入式設計中將FRAM用作閃存的替代方案

  • 在嵌入式設計中將FRAM用作閃存的替代方案, 如今,有多種存儲技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而,迄今為止還沒(méi)有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器(MCU)中閃存技術(shù)的強勁競爭者,直到FRAM的出現這種情況才得以改變。鐵電隨機存取存儲器(FRA
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富士通推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布,推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止,富士通V系列FRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit,16Kbit,64Kbit,256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內工作的FRAM產(chǎn)品,為當今對元器件電壓范圍要求高的領(lǐng)域提供了設計的方便。
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富士通推出帶9 KB FRAM的新型高頻RFID標簽芯片

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布其FerVID 家族推出用于RFID標簽的一款新的芯片-MB89R112。該芯片用于高頻RFID標簽,帶9 KB的FRAM內存。FerVID家族產(chǎn)品使用鐵電存儲器(FRAM),具有寫(xiě)入速度快,高頻可重寫(xiě),耐輻射,低功耗操作等特點(diǎn)。
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內置串行接口的鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID

  • 鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應用。概述到目前為止,富士通半導體已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了高頻段(13.6MHz)和超高頻
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FRAM在汽車(chē)雙向報警系統的應用

  • 隨著(zhù)汽車(chē)在中國的普及化,汽車(chē)防盜已經(jīng)成汽車(chē)安全的一個(gè)重要問(wèn)題。采用GPS防盜,運營(yíng)成本高,所以只針對一些高檔的汽車(chē)。那么一些經(jīng)濟型的汽車(chē)如何實(shí)現有效防盜,最簡(jiǎn)單的方式是在以前簡(jiǎn)單的單向報警的系統增加GSM模塊或
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德州儀器推出業(yè)界首款超低功耗 FRAM 微控制器

  •   開(kāi)發(fā)人員藉此可讓世界變得更加智能   MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)高達100倍的寫(xiě)入速度增幅及250倍的功耗降幅,因而可從全新的地點(diǎn)獲得更多的有用數據   北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前,德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)16位微控制器,從而宣告可靠數據錄入和射頻(RF)通信能力進(jìn)入了一個(gè)新時(shí)代。新型 MSP430FR57xx FRAM 系列的面市進(jìn)一步彰顯了 TI 在嵌入式處理技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,與基于
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富士通推出基于0.18μm技術(shù)的全新FRAM產(chǎn)品

  • 富士通半導體(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18μm技術(shù)的全新系列FRAM產(chǎn)品家族。該系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 兩個(gè)型號,均支持I2C接口且可在5V電壓下工作。
  • 關(guān)鍵字: 富士通  FRAM  MB85RC64V  

富士通推出基于0.18 μm全新5V I2C接口FRAM

  • 富士通半導體(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18μm技術(shù)的全新系列FRAM產(chǎn)品家族。該系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 兩個(gè)型號,均支持I2C接口且可在5V電壓下工作,即日起即可供貨。
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串行接口的FRAM RFID LSI概述

  • 鐵電隨機存儲器(FRAM)RFID由于存儲容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感...
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fram介紹

鐵電存儲器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度,像工業(yè)標準的串行和并行接口,工業(yè)標準的封裝類(lèi)型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。   非易失性記憶體掉電后數據不丟失??墒撬械姆且资杂洃涹w均源自ROM技術(shù)。你能想象到,只讀記憶體的數據是不可能修改的 [ 查看詳細 ]

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