富士通電子推出可在高溫下穩定運行的新款2Mbit FRAM

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V，配有串行外設接口（SPI）。目前可為客戶(hù)提供評測版樣品，將在6月實(shí)現量產(chǎn)。

這款全新FRAM產(chǎn)品是汽車(chē)電子電控單元的最佳選擇，滿(mǎn)足高端汽車(chē)市場(chǎng)對低功耗電子器件的需求，如ADAS。

FRAM的讀/寫(xiě)耐久性、寫(xiě)入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對傳統非易失性?xún)却嫘阅懿粷M(mǎn)意的客戶(hù)采用我們的FRAM。

自2017年以來(lái)，富士通電子不斷推出工作電壓3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽車(chē)級FRAM產(chǎn)品。但高端汽車(chē)電控單元的推出，使得一些客戶(hù)開(kāi)始要求FRAM的工作電壓低于1.8V。富士通電子近日推出的這款全新FRAM正是為了滿(mǎn)足這一市場(chǎng)需求而面世的。

MB85RS2MLY在-40°C至+125°C溫度范圍內可以達到10兆次讀/寫(xiě)次數，適合某些需要實(shí)時(shí)數據記錄的應用，比如連續10年每天每0.1秒記錄一次數據，則寫(xiě)入次數將超過(guò)30億。另外，這款產(chǎn)品可靠性測試符合AEC-Q100 Grade 1標準，達到汽車(chē)級產(chǎn)品的認證標準。因此，在數據寫(xiě)入耐久性和可靠性方面，富士通電子最新推出的這款FRAM完全支持ADAS等需要實(shí)時(shí)數據記錄的應用。

這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現有類(lèi)似引腳的EEPROM。此外，還提供外形尺寸為5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN（無(wú)引線(xiàn)雙側扁平）封裝。

除2Mbit FRAM，富士通電子目前正在研發(fā)125°C溫度系列容量為4Mbit的存儲產(chǎn)品。富士通電子將繼續提供內存產(chǎn)品和解決方案，滿(mǎn)足市場(chǎng)和客戶(hù)的未來(lái)需求。  

圖1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝

關(guān)鍵規格

●   組件型號：MB85RS2MLY

●   容量（組態(tài)）：2 Mbit（256K x 8位）

●   接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

●   運作頻率：最高50 MHz

●   運作電壓：1.7伏特 - 1.95伏特

●   運作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度

●   讀∕寫(xiě)耐用度：10兆次 (1013次)

●   封裝規格：8-pin SOP與8-pin DFN

●   認證標準：符合AEC-Q100 Grade 1

圖2：應用實(shí)例（ADAS）

詞匯與備注

注一：鐵電隨機存取內存（FRAM）

FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以?xún)Υ鏀祿膬却?，即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存數據。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫(xiě)入數據、低功耗和高速讀/寫(xiě)周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開(kāi)始生產(chǎn)FRAM，亦稱(chēng)為FeRAM。

圖3：8pin DFN和8pin SOP封裝