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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來(lái)聚焦TLC和QLC技術(shù)
- 據消息人士透露，三星計劃在下個(gè)月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著(zhù)其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時(shí)，三星還提高了MLC NAND的價(jià)格，促使部分客戶(hù)開(kāi)始尋找替代供應商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶(hù)之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應商，以填補這一空缺。據悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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臺積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價(jià)蠢動(dòng)
- 業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì )社（MGC），近日向客戶(hù)發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。 隨著(zhù)原料缺貨日益嚴峻，載板供應中長(cháng)期將出現短缺。 供應鏈業(yè)者同步透露，金價(jià)持續上漲、產(chǎn)品交期延長(cháng)，NAND Flash控制芯片等領(lǐng)域，也可望轉嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機會(huì )受惠。多家BT載板業(yè)者證實(shí)，確實(shí)2025年5月上旬時(shí)，陸續接獲日本MGC書(shū)面通知，部分高階材料訂單交期將進(jìn)一步拉長(cháng)，顯示先前傳出ABF載板材料供不應求的情形，已進(jìn)一步向BT載板供應鏈蔓延。據三菱發(fā)出的通知內容指出，
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現 AI
- Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng )新，該公司聲稱(chēng)該創(chuàng )新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來(lái)時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性?xún)却婕夹g(shù)的開(kāi)發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱(chēng)之為 3D 矩陣內存的東西。在同
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兆易創(chuàng )新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng )新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來(lái)新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動(dòng)應用場(chǎng)景的理想之選。GD5F1GM9系列
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兆易創(chuàng )新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash， 突破性讀取速度，助力應用快速啟動(dòng)
- 近日，兆易創(chuàng )新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng )新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來(lái)新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動(dòng)應用場(chǎng)景的理想之選。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n
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美光、SK海力士跟隨中！三星對內存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶(hù)已開(kāi)始談判新合同
- 4月7日消息，據國外媒體報道稱(chēng)，三星公司領(lǐng)導層將對主要全球客戶(hù)提高內存芯片價(jià)格——從當前水平提高3-5%。在三星看來(lái)，“需求大幅增長(cháng)”導致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預計2025年和2026年價(jià)格都會(huì )上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過(guò)剩，但隨著(zhù)主要公司開(kāi)始減產(chǎn)，供應量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業(yè)自動(dòng)化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
- 關(guān)鍵字： 內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
SK海力士完成對英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購
- 據韓媒報道，根據SK海力士向韓國金融監管機構FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第二階段，交易正式完成。據了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當時(shí)支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務(wù)及其位于中國大連NAND閃存制造廠(chǎng)的資產(chǎn)。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價(jià)取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設計相關(guān)的知識產(chǎn)權、研發(fā)人員以及大連工廠(chǎng)的員工在內的其余相關(guān)有形/無(wú)形資產(chǎn)。
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AI推理應用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場(chǎng)需求
- AI推論快速成長(cháng)，QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負載。 法人分析，臺廠(chǎng)如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲器模組廠(chǎng)，有望從中受惠。根據調研機構預測，2025年QLC NAND產(chǎn)能將達250.48億Gb，占NAND總產(chǎn)能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務(wù)器主要負責分析以及處理大量數據，而這類(lèi)應用訪(fǎng)問(wèn)模式以讀取為主，寫(xiě)入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
- 關(guān)鍵字： AI推理 QLC NAND Flash
存儲市場(chǎng)復蘇，關(guān)鍵看AI
- 存儲市場(chǎng)新一輪的逆風(fēng)，始于 2024 年下半年。邁入 2025 年 3 月，市場(chǎng)已顯露出一些微妙變化。NAND 廠(chǎng)商，集體漲價(jià)近日，全球知名存儲芯片廠(chǎng)商閃迪向客戶(hù)發(fā)出漲價(jià)函，宣布自 4 月 1 日起，旗下產(chǎn)品將全面漲價(jià)，整體漲幅超 10%，此次調價(jià)覆蓋所有渠道及消費類(lèi)產(chǎn)品。閃迪還透露，將持續審查定價(jià)，后續季度或有額外漲幅。繼閃迪后，美光、三星、SK 海力士等 NAND 廠(chǎng)商也計劃將于 4 月漲價(jià)。從供應方面，美光今年新加坡 NAND 廠(chǎng)發(fā)生停電，也影響了供貨。NAND Flash 控制芯片廠(chǎng)商群聯(lián)也透露，
- 關(guān)鍵字： NAND
美光斷電減產(chǎn) NAND原廠(chǎng)4月提前調漲
- NAND Flash價(jià)格由谷底翻漲正蓄勢待發(fā)，繼SanDisk日前發(fā)函通知4月1日將調漲報價(jià)，近期市場(chǎng)傳出，美光（Micron）、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中國的存儲廠(chǎng)均將從4月起提高報價(jià)。由于二大韓廠(chǎng)減產(chǎn)措施發(fā)酵，美光日前新加坡NAND廠(chǎng)發(fā)生跳電，導致NAND供貨轉趨吃緊，長(cháng)江存儲旗下SSD品牌也將于4月起調漲代理價(jià)格，漲幅可望將超過(guò)10%，全球各大原廠(chǎng)不約而同推動(dòng)漲價(jià)，NAND價(jià)格回漲速度優(yōu)于原先預期。存儲器業(yè)界觀(guān)察，近期整體終端市場(chǎng)的需求并
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SK海力士完成與英特爾的最終交割
- SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預設的最早時(shí)間點(diǎn)）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著(zhù)交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場(chǎng)的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)（SSD）方面。隨著(zhù)AI技術(shù)的普及和應用，存儲需求正在不斷增長(cháng)，HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導者SK海力士卻沒(méi)有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開(kāi)直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達成協(xié)議，宣布以90億美元收購其N(xiāo)AND閃存及存儲業(yè)務(wù)；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
- 關(guān)鍵字： SK海力士 英特爾 NAND 閃存
十年磨一劍：三星引入長(cháng)江存儲專(zhuān)利技術(shù)
- 近日，三星與長(cháng)江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專(zhuān)利許可協(xié)議。不過(guò)，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專(zhuān)利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開(kāi)始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長(cháng)江存儲的專(zhuān)利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實(shí)現?——?通過(guò)直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著(zhù)提高了傳輸
- 關(guān)鍵字： 三星 長(cháng)江存儲 NAND 混合鍵合 晶棧 Xtacking 閃存
NAND Flash市況 有望6月復蘇
- NAND Flash控制芯片廠(chǎng)慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章預期，NAND Flash市況將于6月好轉，下半年表現將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開(kāi)始堅守價(jià)格，避免市場(chǎng)陷入低迷行情。他強調，供應商根據市場(chǎng)狀況自然調節供給，是NAND Flash供需好轉的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。美國商務(wù)部對出口至中國大陸的存儲器制造設備實(shí)施管制，也將延緩中國大陸廠(chǎng)商在DRAM領(lǐng)域的擴張步伐。盡管中國大陸部分
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) NAND Flash
稱(chēng)三星與長(cháng)江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專(zhuān)利
- 據韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開(kāi)始，將使用長(cháng)江存儲(YMTC)的專(zhuān)利技術(shù)，特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專(zhuān)利的許可協(xié)議，達成合作。據悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。據了解，長(cháng)江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨立加工負責
- 關(guān)鍵字： 三星 長(cháng)江存儲 NAND
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
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