稱(chēng)三星與長(cháng)江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專(zhuān)利

據韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開(kāi)始，將使用長(cháng)江存儲(YMTC)的專(zhuān)利技術(shù)，特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專(zhuān)利的許可協(xié)議，達成合作。

據悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。

據了解，長(cháng)江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨立加工負責數據 I/O 及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓 NAND 獲取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。

在創(chuàng )業(yè)初期，長(cháng)江存儲通過(guò)與美國科技公司Xperi簽署許可協(xié)議獲得了混合鍵合技術(shù)的原始專(zhuān)利。隨后，長(cháng)江存儲還在NAND封裝技術(shù)方面建立了相當多的自主專(zhuān)利，在相關(guān)技術(shù)上擁有強大的專(zhuān)利積累。