45nm 文章進(jìn)入45nm技術(shù)社區

分析稱(chēng)中芯國際遭遇海外訴訟應該積極應對

　　近日，針對中芯國際因為非法使用臺積電的商業(yè)機密將向臺積電支付10億美元的巨額賠償金，臺積電還要去法院永久禁止中芯國際在美國出售使用相關(guān)涉案技術(shù)產(chǎn)品。iSuppli的高級分析師顧文軍表示，中國企業(yè)在遇到這種知識產(chǎn)權糾紛的官司時(shí)，不要采取鴕鳥(niǎo)政策或者一味“金錢(qián)換和平”，或者不愿付出高昂的律師訴訟等費用而最后被判負，而應該積極應對。　　該消息稱(chēng)美國加利福尼亞州高級法院近日就臺積電與中芯國際之間的商業(yè)機密案作出裁定，中芯國際因違反他們與臺積電先前達成的相關(guān)協(xié)議，非法使用了臺積電的商
關(guān)鍵字：中芯國際 90nm 65nm 45nm

三星拓展新研發(fā)中心開(kāi)發(fā)邏輯晶圓代工制程

　　三星電子近日宣布其新半導體研發(fā)中心開(kāi)始著(zhù)手開(kāi)發(fā)先進(jìn)邏輯制程。該項技術(shù)將成為三星在晶圓代工業(yè)務(wù)方面的重要主力。三星半導體研發(fā)中心將三星電子的邏輯開(kāi)發(fā)團隊和記憶體開(kāi)發(fā)團隊集中在一起，以實(shí)現包括新材料，元件結構等各個(gè)領(lǐng)域的協(xié)同作用，并共享尖端的先進(jìn)制程設備。此舉可為三星的晶圓代工客戶(hù)提供更有領(lǐng)先優(yōu)勢的技術(shù)方案，進(jìn)而在性能、功耗和面積方面為客戶(hù)的產(chǎn)品獲取最佳的競爭力。　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)是三星電子重要的成長(cháng)引擎之一，提供先進(jìn)的邏輯制程，竭力服務(wù)半導體業(yè)界諸多優(yōu)秀的fabless公司和IDM公司。目前 45
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北京微電子國際研討會(huì )再燃摩爾定律之爭

　　在全球半導體產(chǎn)業(yè)復蘇之際，北京微電子國際研討會(huì )于10月27日成功召開(kāi)，摩爾定律這一引領(lǐng)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“圣經(jīng)”再次成為了主題演講會(huì )場(chǎng)爭論的焦點(diǎn)。　　摩爾定律減速之爭　　Intel中國研究院院長(cháng)方之熙認為，摩爾定律還將延續，技術(shù)的發(fā)展不會(huì )止步。目前Intel已開(kāi)始15nm技術(shù)的研發(fā)，2011年將開(kāi)始10nm技術(shù)的研發(fā)。追溯Intel的歷史，每?jì)赡暌淮男录夹g(shù)推出從未延遲，例如2005年的65nm技術(shù)，2007年的45nm技術(shù)及2009年的32nm技術(shù)都為業(yè)界帶來(lái)的全新的產(chǎn)
關(guān)鍵字： Intel 摩爾定律 45nm

中芯國際45nm制程今年12月試產(chǎn)

　　“中芯國際第一個(gè)45nm產(chǎn)品今年12月試產(chǎn)。”中芯國際總裁兼執行長(cháng)張汝京在10月23日上海舉辦的第九屆技術(shù)研討會(huì )上透露，“中芯深圳的200mm生產(chǎn)廠(chǎng)今年年底將建設好，明年第一季度設備進(jìn)場(chǎng)，安裝調試，第二季度開(kāi)始試產(chǎn)。” 　　在隨后的媒體見(jiàn)面會(huì )上，中芯代理財務(wù)總監兼首席會(huì )計師吳曼寧向媒體表示，“中芯國際未來(lái)兩年的重點(diǎn)是要盈利，”吳曼寧強調，“中芯國際從2002年開(kāi)始建廠(chǎng)到現在已走過(guò)了7年，在過(guò)去的7年中主要的目的是將企
關(guān)鍵字：中芯國際 45nm 混合信號射頻模擬

聯(lián)電新加坡工廠(chǎng)擴產(chǎn)使用45/40nm工藝

　　據報道，聯(lián)電近日表示，他們在新加坡的Fab 12i晶圓廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始啟動(dòng)擴產(chǎn)計劃進(jìn)行45/40nm工藝生產(chǎn)，聯(lián)電的此次擴產(chǎn)計劃也是為滿(mǎn)足客戶(hù)對先進(jìn)制程技術(shù)的需求。　　Fab 12i晶圓廠(chǎng)是聯(lián)電的首個(gè)300mm晶圓廠(chǎng)，于2002年4月完工，并在2003年開(kāi)始試產(chǎn)，目前的月晶圓產(chǎn)量為31000片，主要量產(chǎn)65/55nm工藝芯片。　　聯(lián)電稱(chēng)此次擴產(chǎn)計劃極具“侵略性”，但是沒(méi)有透露此次擴產(chǎn)所投花費、完成時(shí)間以及擴產(chǎn)后的產(chǎn)能。　　聯(lián)電負責晶圓廠(chǎng)運營(yíng)業(yè)務(wù)的副總裁顏博文表示：&ldq
關(guān)鍵字：聯(lián)電 45nm 40nm 晶圓

ARM制成45nm SOI測試芯片功耗降低40%

　　據ARM的研究人員的報道，公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比，功耗可減少40%。該結果在近期的IEEE SOI Conference上發(fā)表。
關(guān)鍵字： ARM 45nm SOI 測試芯片

聯(lián)電計劃將旗下新加坡Fab12i工廠(chǎng)轉向40/45nm制程

　　最近，臺灣聯(lián)電(UMC)公司宣布將利用為其新加坡12英寸芯片廠(chǎng)Fab12i提升產(chǎn)能的機會(huì )，將這家工廠(chǎng)的制程轉向40/45nm.盡管聯(lián)電今年的銷(xiāo)售額比去年同期略有下降，但該公司今年的表現相對來(lái)說(shuō)還算不錯。上個(gè)月，聯(lián)電的營(yíng)收甚至達到了兩年以來(lái)的最高點(diǎn)2.96億美元，并且實(shí)現了連續第四個(gè)月的營(yíng) 收額增長(cháng)。　　聯(lián)電公司的領(lǐng)導人鼓吹稱(chēng)這次Fab12i的40/45nm遷移計劃是一次“躍進(jìn)”式的進(jìn)步，不過(guò)他們并沒(méi)有透露計劃所需耗費的資金數目。另外，聯(lián)電何時(shí)能完成這項計劃也令人矚目，目前
關(guān)鍵字： UMC 40nm 45nm

中芯國際65nm邏輯今年Q3\Q4量產(chǎn)

　　9月15日，由中芯國際與武漢新芯共同舉辦的“2009年技術(shù)研討會(huì )”首次在武漢舉行，此次研討會(huì )上中芯國際披露了其最新技術(shù)路線(xiàn)圖，并介紹了武漢新芯的最新進(jìn)展和未來(lái)規劃。　　據中芯國際市場(chǎng)行銷(xiāo)副總李偉博士介紹，中芯國際65nm邏輯技術(shù)在2009年第三和第四季度實(shí)現量產(chǎn)，45nm邏輯有望在明年第二和第三季度量產(chǎn)，而32nm邏輯計劃于2011年第三和第四季度量產(chǎn);而混合信號產(chǎn)品量產(chǎn)將會(huì )有所滯后，65nmMS/RF預計在2009年第三和第四季度實(shí)現量產(chǎn)，45nmMS/RF計劃于次年的第
關(guān)鍵字：中芯國際 65nm 45nm 存儲芯片

40nm工藝帶來(lái)全新競爭力

　　全球能源問(wèn)題的集中爆發(fā)，讓半導體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升，而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點(diǎn)。與眾多先進(jìn)電源管理方案實(shí)現降低系統功耗相比，制程工藝的進(jìn)步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法，轉向更高制程無(wú)疑是提升半導體產(chǎn)品性能功耗比和市場(chǎng)競爭力最直接有效的辦法。　　市場(chǎng)研究機構Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示，過(guò)去數十年來(lái)，集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng )新方面扮演領(lǐng)航者的角色，未來(lái)也將繼續在新一代產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)上扮演重要的角色。同時(shí)，專(zhuān)業(yè)
關(guān)鍵字：臺積電 DRAM 40nm 45nm 200909

FTF：多核、45nm、軟件三大驕傲，電子書(shū)充滿(mǎn)魅力

　　在8月27日的FTF(飛思卡爾技術(shù)論壇)上，董事長(cháng)兼CEO Rich Beyer在網(wǎng)絡(luò )通信主題中介紹了該公司對中國市場(chǎng)的理解及該公司基本戰略。　　　　光彩奪目的主題報告臺期待精彩講演　　中國快速的增長(cháng)和政府的積極推動(dòng)使電話(huà)和寬帶延伸到了農村地區，致使網(wǎng)絡(luò )基礎設施的建設如火如荼。據中國互聯(lián)網(wǎng)信息中心最近的報告指出，中國的Internet用戶(hù)已經(jīng)超過(guò)了美國的人口數量。今年早些時(shí)候，中國政府開(kāi)始發(fā)放3G服務(wù)牌照。因此，在中國的無(wú)線(xiàn)基礎設施設備的擴張有望在2009年超過(guò)60億美
關(guān)鍵字：飛思卡爾網(wǎng)絡(luò )通信 45nm 電子書(shū) LTE

“芯”路歷程 45nm時(shí)代還能維持多久？

　　納米技術(shù)在芯片界中的發(fā)展速度相當可觀(guān)，而對于目前企業(yè)級處理器發(fā)展領(lǐng)域中主要還是靠45nm獨當一面，而隨著(zhù)45nm工藝的日趨成熟，各個(gè)芯片廠(chǎng)商卻早已開(kāi)始瞄向32nm工藝和22nm工藝。而按照工藝路線(xiàn)，接下來(lái)的處理器將指向32nm工藝。早在08年末的國際電子組件會(huì )議(IEDM)上，主要的會(huì )議切入點(diǎn)集中放在了32nm工藝之上，并且英特爾(Intel)公司在此次會(huì )議中，對32nm制程技術(shù)的細節進(jìn)行闡述，并計劃于2009年第四季投產(chǎn)，以推出更大能源效率、更高密度、效能更強的晶體管。　　從最早的1965年英特
關(guān)鍵字： Intel 45nm 32nm 22nm

三星開(kāi)始提供ARM11處理器S5P6440樣品

　　三星電子日前已經(jīng)開(kāi)始向合作廠(chǎng)商提供ARM11架構新款S5P6440處理器的樣品,這款處理器將面向消費電子市場(chǎng),使用45nm制程工藝,封裝形式為 13x13 FBGA,核心工作頻率為533/667MHz,支持OpenVG 2D圖像硬加速,處理器使用64位166MHz總線(xiàn)與外部鏈接,而且還集成了可配合移動(dòng)版DDR/DDR2內存的內存控制器. 　　這款芯片同時(shí)還集成了對DSI顯示輸出接口的支持功能,并能運行WinCE和Linux操作系統,預計這款處理器將在今年第三季度正式上市.
關(guān)鍵字：三星 ARM11 S5P6440 45nm

AMD在45nm“低功耗”服務(wù)器測試中擊敗intel

　　在采用新型低功耗AMD皓龍“ShanghaiHE”處理器的服務(wù)器，對與采用英特爾至強“低功耗”處理器的相同服務(wù)器的測試中，AMD功耗可降低13%-21%，同時(shí)具有更高的吞吐量性能。　　這些測試結果是獨立的計算機性能咨詢(xún)公司NealNelson在進(jìn)行廣泛測試后得出的，同時(shí)上述的結果還得到該公司“不準確就退款”的保證。　　NealNelson咨詢(xún)公司的總裁說(shuō)：“在我們的測試中，基于A(yíng)MD產(chǎn)品的服務(wù)器擊敗了基于英特爾
關(guān)鍵字： AMD 處理器 45nm

IBM宣布提供45nm芯片“代工”服務(wù)

　　一年前，英特爾發(fā)布了45nm的芯片制造工藝，一度成為市場(chǎng)熱點(diǎn)。一年后，在A(yíng)MD即將發(fā)布45nm制程工藝芯片之際，IBM出人意料宣布將提供45nm工藝的芯片“代工”服務(wù)，采用其倡導的絕緣硅技術(shù)。　　在芯片產(chǎn)業(yè)中，工廠(chǎng)已經(jīng)成為了最大的一部分業(yè)務(wù)。臺積電是最大的晶圓代工廠(chǎng)，該廠(chǎng)為AMD和Nvidia制造芯片。大多數的晶圓代工廠(chǎng)現在能夠提供的是基于65nm制程工藝的芯片。　　周一，IBM宣布基于其silicon-on-insulator (SOI)技術(shù)的45nm制程工藝已經(jīng)可以
關(guān)鍵字： 45nm

IC業(yè)在拐點(diǎn)生存

分析了IC業(yè)的眾多特點(diǎn)，例如從90nm向65nm、45nm、32nm、22nm等拐點(diǎn)演進(jìn)的困難，以及ESL、DFM拐點(diǎn)，制造是設計的拐點(diǎn)，FPGA與ASIC之間的拐點(diǎn)等熱門(mén)問(wèn)題。
關(guān)鍵字： EDA 65nm 45nm 22nm 光刻處理器 FPGA ASIC 200808

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45nm介紹

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