富士通微電子與臺積電合作發(fā)展28納米工藝技術(shù)

　　日本富士通微電子株式會(huì )社與臺灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺積電先進(jìn)的技術(shù)平臺為基礎，針對富士通微電子的28納米邏輯IC產(chǎn)品進(jìn)行生產(chǎn)、共同開(kāi)發(fā)并強化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子與臺積電已經(jīng)就40納米工藝進(jìn)行合作。這項協(xié)定代表富士通微電子將延伸已經(jīng)在臺積電生產(chǎn)的40納米產(chǎn)品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28納米高效能工藝，而首批28納米工程樣品預計于2010年年底出貨。

　　這項先進(jìn)技術(shù)的合作將富士通微電子在先進(jìn)高速工藝與低耗電設計技術(shù)的專(zhuān)長(cháng)及優(yōu)勢，以及臺積電節能的高效能邏輯/系統單芯片工藝及「開(kāi)放創(chuàng )新平臺」(Open Innovation Platform)中的先進(jìn)技術(shù)相結合。這次延伸至28納米工藝的合作計劃，能在臺積電包含高效能與低耗電應用的28納米技術(shù)組合基礎上，提供富士通微電子與臺積電一個(gè)從深具競爭優(yōu)勢、高效能28納米技術(shù)中獲益的機會(huì )。

　　同時(shí)，二家公司也正在就先進(jìn)封裝合作的可能性進(jìn)行討論，希望能有效結合富士通微電子在高效能、無(wú)鉛、超高接腳(ultra-high-pin count)封裝技術(shù)的優(yōu)勢及臺積電在芯片封裝整合與先進(jìn)的銅/超低介電系數(Cu/ELK)導線(xiàn)的堅強實(shí)力。

　　富士通微電子常務(wù)執行董事八木春良(Haruyoshi Yagi)表示，我們先前宣布與臺積電在 40納米工藝技術(shù)的合作正快速進(jìn)展中，目前已有好幾個(gè)產(chǎn)品進(jìn)入實(shí)體設計階段。透過(guò)與臺積電在28納米高效能工藝共同開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)上的合作，我們可以結合雙方的競爭優(yōu)勢，來(lái)為客戶(hù)創(chuàng )造更大的價(jià)值，此舉將可進(jìn)一步擴大臺積電的營(yíng)運成長(cháng)，同時(shí)擴展富士通微電子在專(zhuān)用集成電路(ASIC)與專(zhuān)用標準產(chǎn)品(ASSP)注1市場(chǎng)的業(yè)務(wù)。

　　臺積電全球業(yè)務(wù)暨行銷(xiāo)副總經(jīng)理陳俊圣表示，我們過(guò)去在先進(jìn)技術(shù)上開(kāi)發(fā)及量產(chǎn)的傲人紀錄，是富士通微電子選擇我們成為合作伙伴的原因之一。臺積電的技術(shù)平臺涵蓋與芯片設計相關(guān)的種種考量，包括設計套件、設計流程、臺積電與合作伙伴的硅知識產(chǎn)權、健全的元件資料、優(yōu)異的工藝技術(shù)、后段的封裝及測試能力，此次的協(xié)定代表臺積電的技術(shù)平臺已獲得肯定。