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3d nand
3d nand 文章 進(jìn)入3d nand技術(shù)社區
5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
- 關(guān)鍵字： 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC
聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用，預計今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì )，公布2024年第一季財報，合并營(yíng)收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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如何減少光學(xué)器件的數據延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
- 關(guān)鍵字： 3D-IC
Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺(jué)相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(cháng)的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著(zhù)減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當在高端GPU上運行時(shí)，我們推薦的預設和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
- 關(guān)鍵字： Zivid 3D 機器人
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中，內存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著(zhù) AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠(chǎng)商，以及全球知名半導體科研機構都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據首爾半導體行業(yè)
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
群聯(lián)3月?tīng)I收年增73%，創(chuàng )歷史單月新高紀錄
- 近日，存儲廠(chǎng)商群聯(lián)公布了2024年3月份營(yíng)運結果，合并營(yíng)收為新臺幣67.75億元，年成長(cháng)達73%，刷新歷史單月?tīng)I收新高紀錄。全年度營(yíng)收累計至3月份達新臺幣165.26億元，年成長(cháng)達64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長(cháng)達96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數總出貨量的年成長(cháng)率（Bit Growth Rate）也達80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場(chǎng)需求持續緩步回升趨勢不
- 關(guān)鍵字： 群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤(pán) NAND Flash
3D NAND，1000層競爭加速
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
3D NAND，1000層競爭加速！
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 集邦咨詢(xún)
第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數據（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場(chǎng)氛圍持續受供應商庫存降低，以及減產(chǎn)效應影響，預估第二季NAND Flash合約價(jià)將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來(lái)源，由于部分供應商已降低供應此類(lèi)別產(chǎn)品，中國模組廠(chǎng)出貨大幅提升。買(mǎi)方為了滿(mǎn)足生產(chǎn)需求開(kāi)始擴大采用模組廠(chǎng)方案，助益中國模組廠(chǎng)技術(shù)進(jìn)一步升級及
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西部數據NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉
- 月5日，西部數據宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專(zhuān)注經(jīng)營(yíng)核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過(guò)程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí)，將為即將分拆的閃存和傳統硬盤(pán)業(yè)務(wù)任命CEO。西部數據稱(chēng)，現任西部數據全球運營(yíng)執行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續以西部數據的身份運營(yíng)?，F任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門(mén)成立的新公司，出任新公司執行長(cháng)。圖片來(lái)源：西部數據西部數據與鎧俠合并進(jìn)展如何？據悉，自2021年以來(lái)，西部數據及
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長(cháng) 24.5%：三星增長(cháng) 44.8% 居首位
- IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢(xún)近日發(fā)布市場(chǎng)研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長(cháng) 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續保持上漲，預估環(huán)比會(huì )繼續增長(cháng)兩成。三星第四季營(yíng)收以三星（Samsung）增長(cháng)幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長(cháng)。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷(xiāo)售價(jià)格環(huán)比增加 12%，帶動(dòng)營(yíng)收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團（SK Group）受惠于價(jià)
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 存儲 市場(chǎng)分析
千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰悄然開(kāi)局
- 從目前公開(kāi)的DRAM（內存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠(chǎng)布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫(xiě)入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線(xiàn)寬來(lái)提高集成度
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲
1年利潤暴跌84.9%！三星樂(lè )觀(guān) 今年業(yè)績(jì)回暖：存儲漲價(jià)是開(kāi)始
- 2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過(guò)，全年利潤暴跌84.9%，確實(shí)沒(méi)辦法，不過(guò)他們保持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷，尤其是存儲芯片價(jià)格暴跌的背景下，三星全年營(yíng)收為258.94萬(wàn)億韓元，同比減少14.3%；營(yíng)業(yè)利潤為6.57萬(wàn)億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法，2024年上半年業(yè)績(jì)會(huì )回暖，其中以存儲產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯，相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì )停止，只會(huì )更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后，目前報價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國內重量級NAN
- 關(guān)鍵字： 存儲 三星 鎂光 海力士 NAND
3d nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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