EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
3d 打印機
3d 打印機 文章 進(jìn)入3d 打印機技術(shù)社區
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來(lái)架構
- 動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術(shù)進(jìn)步驅動(dòng)了DRAM的微縮，隨著(zhù)技術(shù)在節點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動(dòng)存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著(zhù)生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 泛林
Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會(huì )展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
- 關(guān)鍵字： Teledyne Vision China 3D AI成像
3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過(guò) 300 條字線(xiàn)的 3D NAND IC。根據其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導側向
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
羅姆在打印機用激光二極管市場(chǎng)的布局與優(yōu)勢
- 【前言】打印機是我們工作和生活中常見(jiàn)的一類(lèi)OA產(chǎn)品，根據不同的工作方式，主流的打印機可以分為：激光打印機、噴墨打印機和針式打印機。相比噴墨打印機和針式打印機，激光打印機具有分辨率高、打印速度快、堅固耐用等特點(diǎn)，因此被廣泛地應用于銀行、學(xué)校、政府機構、醫療機構、保險、大型企業(yè)等場(chǎng)景中。近年來(lái)，隨著(zhù)中國國內的激光打印機產(chǎn)品研發(fā)速度加快，不斷孕育出新的市場(chǎng)需求，中國激光打印機的市場(chǎng)需求越來(lái)越大。圖1 | 激光打印機示意圖?激光二極管被稱(chēng)為打印機的光之“筆”激光打印機脫胎于上世紀八十年代末的激光照排技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 羅姆 打印機 激光二極管
平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱(chēng)，三星的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱(chēng)這將改變存儲器行業(yè)的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲器
外媒：存儲大廠(chǎng)正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長(cháng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(cháng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線(xiàn)寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
- 關(guān)鍵字： 存儲 3D DRAM
芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”
- 國內EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業(yè)國際在線(xiàn)平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱(chēng)號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D InCites創(chuàng )始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
- 關(guān)鍵字： 芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎
芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”
- 國內EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業(yè)國際在線(xiàn)平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱(chēng)號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D?InCites創(chuàng )始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
- 關(guān)鍵字： 芯和半導體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎
支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
- 關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC
3d 打印機介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d 打印機!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d 打印機的理解，并與今后在此搜索3d 打印機的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d 打印機的理解，并與今后在此搜索3d 打印機的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
3d 打印機電路
3d 打印機相關(guān)帖子
3d 打印機資料下載
3d 打印機專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473