臺積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)

這幾年，天字一號代工廠(chǎng)臺積電在新工藝進(jìn)展上簡(jiǎn)直是開(kāi)掛一般的存在，7nm工藝全面普及，5nm工藝一路領(lǐng)先，3nm工藝近在眼前，2nm工藝也進(jìn)展神速。

根據最新報道，臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節，但是據此樂(lè )觀(guān)預計，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。

臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時(shí)延續摩爾定律，繼續挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。

臺積電預計，蘋(píng)果、高通、NVIDIA、AMD等客戶(hù)都有望率先采納其2nm工藝。

2nm工藝上，臺積電將放棄延續多年的FinFET(鰭式場(chǎng)效應晶體管)，甚至不使用三星規劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環(huán)繞柵極場(chǎng)效應晶體管)，也就是納米線(xiàn)(nanowire)，而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場(chǎng)效應晶體管)，也就是納米片(nanosheet)。

從GAAFET到MBCFET，從納米線(xiàn)到納米片，可以視為從二維到三維的躍進(jìn)，能夠大大改進(jìn)電路控制，降低漏電率。

當然，新工藝的成本越發(fā)會(huì )成為天文數字，三星已經(jīng)在5nm工藝研發(fā)上已經(jīng)投入了大約4.8億美元，3nm GAAFET上會(huì )大大超過(guò)5億美元。

臺積電很少披露具體工藝節點(diǎn)上的投入數字，但是大家可以放開(kāi)去想象了……